Сухов Михаил Юрьевич, канд техн наук, доцент учебно-методический комплекс

Вид материалаУчебно-методический комплекс

Содержание


1. Цели изучения дисциплины
2. Требования к уровню освоения дисциплины
3. Объем дисциплины и виды учебной работы
Всего часов на дисциплину
4. Содержание дисциплины
Раздел 1. Общие сведения о важнейших этапах развития и элементах электроники
Раздел 3. Аналоговые устройства
Раздел 4. Цифровые устройства
Раздел 2. Полупроводниковые приборы
Раздел 3. Аналоговые устройства
Раздел 4. Цифровые устройства
Раздел 4. Цифровые устройства
Раздел 4. Цифровые устройства
4.5. Тематика курсовой работы
5. Самостоятельная работа
6. Учебно-методическое обеспечение дисциплины
6.2. Средства обеспечения освоения дисциплины
Конспект лекций
1.2. Вольт-амперная характеристика диода
1.3. Выпрямительные диоды
...
Полное содержание
Подобный материал:
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   10





Автор-составитель:

Сухов Михаил Юрьевич, канд. техн. наук, доцент


Учебно-методический комплекс по дисциплине Электроника составлен в соответствии с требованиями Государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования и на основании примерной учебной программы данной дисциплины в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки инженера по специальности 190401 «Электроснабжение железных дорог».

Дисциплина входит в федеральный компонент цикла общепрофессиональных дисциплин специальности и является обязательной для изучения.


Содержание



Рабочая учебная программа по дисциплине ……………………….………

4

Конспект лекций по дисциплине ……………………………………………

14

Лабораторный практикум……………………………………………………

65

Задание на курсовую работу и общие указания к выполнению курсовой работы …………………………………………………...................................

70

Методические указания студентам …………………………………………

76

Методические указания преподавателям …………………………………..

77

Вопросы к зачету ……………………………………………………………..

78

Экзаменационные вопросы по дисциплине ………………………………..

79

Экзаменационные билеты по дисциплине …………………………………

81





1. ЦЕЛИ ИЗУЧЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ


Электроника обеспечивает создание сложных устройств автоматики и регулирования, автоматических систем управления на железнодорожном транспорте. Поэтому знание основных технических характеристик и особенностей применения элементной базы электронных устройств является обязательным условием их рационального использования как на стадии проектирования, так и на стадии эксплуатации.

Данная дисциплина использует сведения и навыки, полученные студентами при изучении курсов «Математика», «Физика», «Теоретические основы электротехники».

Цели изучения дисциплины состоят: в изучении физических принципов действия, характеристик, параметров основных типов полупроводниковых приборов, в ознакомлении с областями их применения; в изучении принципов построения, в изучении параметров и характеристик основных типов аналоговых и цифровых устройств на электронных приборах; в освоении основных этапов и методов расчета электронных устройств; в получении навыков измерения параметров электронных приборов и устройств.


2. ТРЕБОВАНИЯ К УРОВНЮ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ


Изучив дисциплину, студент должен:

2.1. Иметь представление: о перспективах развития электронных приборов и интегральных микросхем; об основных областях применения электронных приборов и устройств на железнодорожном транспорте.

2.2. Знать и уметь использовать: принцип действия, параметры и характеристики полупроводниковых, электровакуумных и газоразрядных приборов; основные типы, принципы построения и функционирования, параметры и характеристики усилителей, генераторов импульсных и цифровых устройств; виды интегральных схем; методы расчета и измерения параметров аналоговых и цифровых устройств.

2.3. Иметь опыт: измерения параметров электронных приборов; расчета усилителей, генераторов, импульсных и цифровых устройств; измерения параметров усилителей, импульсных и цифровых устройств.


3. ОБЪЕМ ДИСЦИПЛИНЫ И ВИДЫ УЧЕБНОЙ РАБОТЫ


Форма обучения заочная

Вид учебной работы

Количество часов

Всего по уч.плану

В т.ч. по семестрам

5

6

3

Аудиторные занятия:

16

16


40

Лекции

8

8


18

Практические и семинарские занятия








18

Лабораторные работы (лабораторный практикум)

8

8




Индивидуальные занятия








9

Самостоятельная работа

92

46

46

51

ВСЕГО ЧАСОВ НА ДИСЦИПЛИНУ

108

62

46

100

Текущий контроль (количество и вид текущего контроля)




Курс. раб.

Виды промежуточного контроля

(экзамен, зачет)




Зачет,

экзамен


4. СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ


4.1. Распределение часов по темам и видам учебной работы


Форма обучения заочная

Названия разделов и тем

Всего часов по учебному плану

Виды учебных занятий

Индив. занятия

Самостоят. работа

Аудиторные занятия, в том числе

лекции

Практ. занятия, семинары

Лаб. работы (практикумы)

Раздел 1. Общие сведения о важнейших этапах развития и элементах электроники






1. Развитие электроники

6,5

0,5










6

Раздел 2. Полупроводниковые приборы

1. Основы физики полупроводников

6,5

0,5










6

2. Свойства полупроводниковых переходов

6,5

0,5










6

3. Полупроводниковые диоды

7,5

0,5




1




6

4. Биполярные транзисторы

13

1




2




10

5. Полевые транзисторы

7,5

0,5




1




6

6. Многослойные переключающие приборы

12

1




1




10

7. Интегральные микросхемы

6,5

0,5










6

8. Оптоэлектронные приборы

7,5

0,5




1




6

Раздел 3. Аналоговые устройства





1. Усилительные устройства

6,5

0,5










6

2. Генераторы гармонических колебаний

6,5

0,5










6

Раздел 4. Цифровые устройства





1. Простейшие импульсные устройства

3,5

0,5




1




2

2. Регенеративные импульсные устройства

11,5

0,5




1




10

3. Основные типы цифровых устройств

6,5

0,5










6

ИТОГО:

108

8




8




92



4.2. Содержание разделов дисциплины


Раздел 1. Общие сведения о важнейших этапах развития и элементах электроники


1.1. Развитие электроники


Составные части дисциплины. Важнейшие этапы развития электроники. Основные типы элементов радиоэлектронных схем.

В данном разделе рассматриваются составные части дисциплины, основные этапы и хронологические даты изобретения приборов и устройств электроники, параметры и характеристики пассивных компонентов электронных устройств, электровакуумных и газоразрядных приборов.

[1, стр. 7-20; 3, стр. 11-16; 5, стр. 3, 4; 6, стр. 3 - 8; 9, гл. 1; 10, §1.4; 12, §3.2, §3.7, §3.8]

Раздел 2. Полупроводниковые приборы



2.1. Основы физики полупроводников


Полупроводниковые материалы, собственные и примесные (p-типа, n-типа) полупроводники. Концентрация свободных носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда и параметры, их характеризующие. Электропроводность полупроводников и влияние температуры. Генерация и рекомбинация, время жизни носителей заряда.

В данном разделе рассматриваются типы полупроводников, их свойства, типы носителей зарядов и особенности протекания тока.

[1, стр. 396-404; 2, гл. 1, стр. 5-9; 4, гл. 2, стр. 151-183; 5, гл. 1, стр. 5-35, гл. 2, стр. 36-72; 6, гл. 1, стр. 9-25; 12, §2.1, §2.2]


2.2. Свойства полупроводниковых переходов


Разновидности электрических переходов и методы их создания. Р-п переход, его образование и свойства. Параметры р-п-перехода: ширина обедненного слоя, высота потенциального барьера, емкость перехода. Вольтамперная характеристика (ВАХ) р-п перехода и реального диода. Виды пробоя. Зависимость ВАХ от температуры.

В данном разделе рассматривается образование р-п перехода, его ВАХ, параметры и свойства.

[1, стр. 20-24; 2, гл. 1, стр. 9-13; 3, гл. 1, стр. 31,32; 4, гл. 2, стр. 201-213; 5, гл. 3, стр. 75-100; 6, гл. 1, стр. 26-41; 12, §2.3]


2.3. Полупроводниковые диоды


Разновидности полупроводниковых диодов:

• выпрямительные;

• импульсные;

• стабилитроны;

• варикапы;

• туннельные и обращенные;

• СВЧ-диоды.

Особенности конструкции, основные характеристики, параметры и их зависимость от внешних условий.

В данном разделе рассматриваются типы, параметры и характеристики диодов.

[1, стр. 24-42; 2, гл. 1, стр. 13-17,19; 3, гл. 1, стр. 32-42; 5, гл. 4, стр. 101-119; 6, гл. 2, стр. 46-60; 12, §2.4, §2.5, §2.6]


2.4. Биполярные транзисторы


Виды структуры, режимы работы, схемы включения. Физические параметры (коэффициенты передачи тока в схемах ОЭ и ОБ и др.).

Статические характеристики в схемах ОЭ и ОБ и их зависимость от температуры. Работа транзистора в ключевом режиме, импульсные параметры.

Конструктивно-технологические разновидности дискретных транзисторов. Мощные и СВЧ-транзисторы: особенности конструкций, основные параметры.

В данном разделе рассматриваются типы, параметры и характеристики биполярных транзисторов, схемы их включения.

[1, стр. 42-51; 2, гл. 1, стр. 22-32, гл. 3, стр. 126-128; 3, гл. 1, стр. 43,44; 4, гл. 2, стр. 215-217; 5, гл. 5, стр. 120-136, гл. 8, стр. 221-226; 6, гл. 2, стр. 61-75; 12, §2.7, §2.8]


2.5. Полевые транзисторы


Устройство, принцип действия и классификация полевых транзисторов с управляющим р-п переходом и переходом металл-диэлектрик-полупроводник (МДП).

Физические параметры (напряжение отсечки и пороговое, внутреннее сопротивление и др.) полевых транзисторов с управляющим р-п переходом, их режимная и температурная зависимость. ВАХ транзисторов в схеме с общим истоком.

Устройство и принцип действия МДП-транзисторов с индуцированным и встроенным каналами. Физические параметры, ВАХ и их зависимость от температуры.

Работа полевого транзистора в ключевом режиме, импульсные параметры. Конструктивно-технологические разновидности полевых транзисторов. Мощные МДП-транзисторы.

В данном разделе рассматриваются типы, параметры и характеристики полевых транзисторов, схемы их включения.

[1, стр. 52-61; 2, гл. 1, стр. 32-38, гл. 3, стр. 128,129; 3, гл. 1, стр. 44-59; 5, гл. 5, стр. 137-148; 6, гл. 2, стр. 75-85; 12, §2.10]


2.6. Многослойные переключающие приборы


Тиристоры, их типы и принцип действия. Схема включения, ВАХ и параметры динистора. Принцип действия тринистора, типы и параметры.

Симисторы, их типы и принцип действия. Схема включения, ВАХ и параметры.

В данном разделе рассматриваются типы, принцип действия, параметры и характеристики переключающих приборов, схемы их включения.

[1, стр. 62-68; 2, гл. 1, стр. 38-40; 3, гл. 1, стр. 66-81; 5, гл. 6, стр. 149-176; 6, гл. 2, стр. 86-110; 12, §2.9]


2.7. Интегральные микросхемы


Типы интегральных микросхем (ИМС) по технологии изготовления и видам обрабатываемого сигнала (аналоговые, цифровые, аналого-цифровые).

В данном разделе рассматриваются основные типы интегральных микросхем.

[1, стр. 123-130, стр. 274-300; 2, гл. 1, стр. 40-45, гл. 2, стр. 78-83; 5, гл. 8, стр. 263-272; 6, гл. 4, стр. 195-204; 12, §2.11]


2.8. Оптоэлектронные приборы


Светодиоды. Устройство, принцип действия, параметры и характеристики.

Типы фотоэффектов и фотоприемники (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры). Устройство, принцип действия, параметры и характеристики.

Оптроны, их типы и параметры. Средства отображения информации.

В данном разделе рассматриваются принцип действия, параметры и характеристики основных типов оптоэлектронных приборов, области их применения.

[1, стр. 39-42; 2, гл. 1, стр. 19-22; 5, гл. 7, стр. 177-195; 6, гл. 4, стр. 213-227; 12, §3.1-§3.6, §3.9]