Мобільний термінал охоронної системи для автомобіля

Дипломная работа - Компьютеры, программирование

Другие дипломы по предмету Компьютеры, программирование

?й виріб. Її габаритні характеристики та спосіб кріплення обрані з огляду на необхідність прихованого встановлення на ТРЗ та забезпечення надійного звязку через канали GPS та GSM.

Антена встановлюється на горизонтальній поверхні таким чином, щоб у верхній полусфері були відсутні затінення та перешкоди для проходження радіосигналів від супутників.

 

  1. Електричні розрахунки основних функціональних вузлів

 

  1. Розрахунок мікрофонного підсилювача

Проведемо розрахунок необхідного коефіцієнта підсилення та ширини смуги пропускання сигналу [15] для частини мікрофонного підсилювача наведеній на рис. 4.1.

Коефіцієнт підсилення для цієї схеми становить:

 

Для забезпечення смуги пропускання 150 8000 Гц, необхідно розрахувати і ємність С3. Частота зрізу становитиме:

 

 

Вихідні дані для розрахунку зведені до табл. 4.1.

 

Таблиця 4.1 Вихідні дані для розрахунку підсилення

Чутливість мікрофону, дБВ/Па-45Вхідний опір диференційний, кОм25Номінальна вхідна чутливість, мВ50Максимальна вхідна напруга, мВ360Смуга пропускання (-3 дБ), Гц150 - 8000

В умовах нормальної розмови на відстані 7 см від джерела акустичного сигналу створюється тиск в -4,7дБ для мікрофону з чутливістю -45 дБВ/Па. При такому акустичному тиску вихідна напруга від мікрофону становить:

 

UВИХ.дБ=(-45)+(-4,7)=-49,7 (дБВ),

що відповідає

UВИХ=10(-49,7/20)=3,3 (мВ)

 

Щоб забезпечити сигнал з амплітудою 50 мВ на вході наступного каскаду підсилювач повинен мати коефіцієнт підсилення:

 

Відповідно при підсиленні в 15 разів (24 дБ). При вхідному опорі розрахованого підсилювача в 10 кОм необхідний опір R4 буде дорівнювати:

 

R4=КПІДСR3=1010315=150103(Ом)

 

Промислові значення цих опорів з ряду Е96 складають 10 кОм та 150 кОм.

Відповідно значення ємності конденсатора С3:

 

(Ф);

 

З огляду на необхідну смугу пропускання, обираємо найближче значення С3 з ряду Е24 120 пФ.

Значення для другого каналу підсилювача ідентичні першому.

 

  1. Розрахунок стабілізаторів напруги

 

  1. Розрахунок перетворювача на мікросхемі L6902D

Розрахуємо загальну потужність втрат PTOT на мікросхемі L6902 за формулою.

Вихідні умови:

  1. вхідна напруга UIN = 12 В;
  2. вихідна напруга UOUT = 4,2 В;
  3. вихідний струм IOUT = 1 А рівний сумі струмів споживаних елементами схеми (табл. 3.1);
  4. опір внутрішнього ключа RDSON = 0,4 Ом (середнє значення);
  5. час перемикання типовий TSW = 70 нс;
  6. струм споживаний самою ІС IQ = 2,5 мА;

 

 

Отже теплові втрати становлять 0,52 Вт, визначимо тепер температуру кристалу мікросхеми.

Вона становитиме:

 

,

 

де TJ температура кристалу мікросхеми, TА температура навколишнього середовища та Rth J-A тепловий опір кристал-навколишнє середовище рівний 42 ?C/Вт [32]. При температурі навколишнього середовища 85 ?C маємо наступну температуру кристалу:

 

 

Отже мікросхема перегріватись не буде, оскільки допустима температура кристалу становить 150 ?C [16].

Розрахуємо номінали резисторів зворотного звязку для одержання вихідної напруги 4,2 В.

 

,

 

звідси випливає, що при рекомендованому R2 = 3,3 кОм R1 має рівнятись:

 

Але оскільки такого опору немає ні в ряді стандартних значень Е96, ні навіть в Е192, виберемо з Е48 найближче значення 7,87 кОм та перерахуємо значення для цього опору:

 

,

 

що, загалом, цілком влаштовує нас по точності.

 

  1. Розрахунок перетворювача на мікросхемі МАХ1692

Розрахуємо загальну потужність втрат PTOT на мікросхемі MAX1692.

Вихідні умови:

  1. вхідна напруга UIN = 4,2 В;
  2. вихідна напруга UOUT = 3,15 В;
  3. вихідний струм IOUT = 0,1 А, рівний сумі струмів споживаних елементами схеми, (табл. 3.3);
  4. опір внутрішнього ключа RDSON = 0,6 Ом (середнє значення);
  5. час перемикання типовий TSW = 50 нс;
  6. струм споживаний самою ІС IQ = 85 мкА;

 

 

Отже теплові втрати становлять 0,024 Вт, визначимо тепер температуру кристалу мікросхеми.

Вона становитиме:

,

 

де TJ температура кристалу мікросхеми, TА температура навколишнього середовища та Rth J-A тепловий опір кристал-навколишнє середовище рівний 280 ?C/Вт. При температурі навколишнього середовища 85 ?C маємо наступну температуру кристалу:

 

 

Отже мікросхема перегріватись не буде, оскільки допустима температура кристалу становить 150 ?C

Розрахуємо номінали резисторів зворотного звязку для одержання вихідної напруги 3,15 В.

 

,

 

звідси випливає, що при рекомендованому R2 = 301 кОм R1 має дорівнювати:

 

 

Але оскільки такого опору немає ні в ряді стандартних значень Е96, ні навіть в Е192, виберемо з Е192 найближче значення 470 кОм та перерахуємо значення для цього опору:

 

,

 

що також влаштовує нас по точності [17].

4.3 Проектування друкованого вузла

 

  1. Визначення площі монтажної поверхні

Визначення площі монтажу малогабаритних деталей

 

,

 

де сумарна площа, яку займають конденсатори; - сумарна площа, яку займають діоди; - сумарна площа, яку займають мікросхеми, - сумарна площа, яку займа?/p>