Конструкторско-технологическое проектирование ЭВМ
Реферат - Компьютеры, программирование
Другие рефераты по предмету Компьютеры, программирование
?ие разрыва) при сверлении плат. При этом мы должны учитывать явления подтравливания и разращиванивания проводящего слоя, погрешности относительного расположения отверстия и контактной площадки.
(2)
где dmax максимальный диаметр просверленного отверстия, мм;
отв погрешность расположения отверстия, мм;
b расстояние от края просверленного отверстия до края контактной площадки (берется в соответствии с классом точности платы (табл.1.)), мм;
кп смещение центра контактной площадки, мм.
(3)
где: d определяется точностью изготовления сверла и его смещением.
В свою очередь рассчитываем:
(4)
где: dМ ОТВ диаметр металлизированного отверстия. При этом dМ ОТВ выбираем из ряда, рекомендуемого отраслевым стандартом, и с учетом собираемости со штыревыми выводами электрорадиоэлементов и интегральных микросхем. Следует отметить, что коэффициент 0,1..0,15 величина усреднения и учитывает минимально допустимую толщину слоя гальванической меди 25мкм, слой металлорезиста, усадку отверстия после сверления, а также возможный разброс толщины при гальваническом осаждении меди и металлорезиста.
Погрешность расположения отверстия определяем как:
ОТВ = О + (5)
и учитывает неточности сверления станка и погрешности базирования платы на станке.
Смещение центра контактной площадки зависит от точности расположения ее рисунка на шаблоне, погрешности экспонирования, погрешности расположения базовых отверстий в фотошаблоне и заготовке платы и определяем как:
(6)
Подставив значения в (6), (5), (4), (3), (2) получаем:
КП = 0,05 + 0,02 +1/2(0,03+0,02)= 0,095 мм,
ОТВ = 0,08 + 0,02 = 0,1 мм,
dсв=0,5+0,15=0,645 мм,
dmax=0,645+0,2=0,665 мм,
Dmin=1,255+1,5(0,035+0,006)+0,02=1,336мм
Таким образом минимальный эффективный диаметр контактной площадки составит 1,255мм.
Минимальный диаметр контактной площадки рассчитаем по следующей формуле:
(7)
и составит:
Расчет ширины проводников ведется из условия сохранения достаточной прочности сцепления проводника с диэлектриком, зависящей от адгезионных свойств материала основания и гальванической фольги. Минимальная эффективная ширина проводника t1MIN определена эксперементально и равна 0,18 мм для плат первого и второго классов. Минимальная ширина проводника определяется по следующей формуле:
(8)
и составит:
tmin = 0,18 + 1,5 (0,035 + 0,006) + 0,02 = 0,261мм.
Расчет минимальных расстояний между элементами проводящего рисунка определяется заданным уровнем сопротивления изоляции при рабочем напряжении схемы или техническим требованием на печатные платы. Фактический зазор между элементами проводящего рисунка зависит от шага элементов, их максимальных размеров и точности расположения относительно заданных координат.
Минимальное расстояние между проводником и контактной площадкой:
,(9)
где L0 расстояние между центрами рассматриваемых элементов, принимаем равным 2мм.
Минимальный диаметр контактной площадки на фотошаблоне:
DШ min = Dmin hp(10)
DШ min = 1,336 0,02 = 1,316 мм.
Минимальная ширина проводника на фотошаблоне:
tШ min = tmin hp(11)
tШ min = 0,261 0,02 = 0,241 мм.
Максимальный диаметр контактной площадки на фотошаблоне:
DШ max = DШ min + DШ(12)
DШ max = 1,336 + 0,02= 1,336 мм.
Максимальная ширина проводника на фотошаблоне:
tШ max = tmin + tШ(13)
tШ max = 0,261 + 0,05 = 0,311 мм.
Максимальный диаметр контактной площадки:
Dmax = DШ max + hp + э(14)
Dmax = 1,336 + 0,02 + 0,02 = 1,376 мм.
Максимальная ширина проводника:
tmax = tШ max + hp + э(15)
tmax = 0,311 + 0,02 + 0,02 = 0,351 мм.
Подставив в (9) значения из (14) и (15) получаем:
S1min=2-[(1,376/2+0,095)+0,351/2+0,05)]=1мм
Минимальное расстояние между двумя контактными площадками:
S2 min = L0 (Dmax + 2КП)(16)
S2 min = 2 (1,376 + 2* 0,095) = 0,43 мм.
Минимальное расстояние между двумя проводниками:
S3 min = L0 (t max + 2Шt)(17)
S3 min = 2 (0,351 + 20,05) = 1,54 мм.
Минимальное расстояние между проводником и контактной площадкой на фотошаблоне:
(18)
S4min=2-[(1,336/2+0,095)+0,311/2+0,05)]=1,03мм
Минимальное расстояние между двумя контактными площадками на фотошаблоне:
S5 min = L0 (DШ max + 2КП)(19)
S5 min = 2 (1,336 + 2*0,095) = 0,474 мм.
Минимальное расстояние между двумя проводниками на фотошаблоне:
S6 min = L0 (t Ш max + 2Шt)(20)
S6 min = 2 (0,311 + 20,05) = 1,589 мм.
1.5 Конструктивные характеристики ЭРЭ
Транзистор КТ815Г
Размеры сечения выводов-0,6мм;
m=1гр;
Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5мм от корпуса.При монтаже в схему допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не менее 2,5мм от корпуса под углом 90 радиусом не менее 0,8мм. При этом д