Классификация интегральных микросхем
Методическое пособие - Компьютеры, программирование
Другие методички по предмету Компьютеры, программирование
Министерство образования Республики Таджикистан
Методичка
По курсу:
"Микроэлектроника"
В этой работе приведена классификация интегральных микросхем (ИМС). Даны общие методы расчёта конструирования топологии тонкоплёночных элементов (ТЭ) гибридных ИМС. Описаны методы получения тонких плёнок. Приведён пример расчёта ТЭ и разработки топологической структуры гибридной ИМС. В приложении приводятся варианты схем задания для курсовой работы.
Пособие предназначено для студентов радиотехнических специальностей при изучении курса "Микроэлектроника" и может быть использовано при курсовом и дипломном проектировании.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
. Классификация интегральных микросхем
. Расчёт и проектирование резистивных элементов
. Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов
. Плёночные индуктивные элементы
. Элементы коммутации
. Навесные компоненты ГИС
. Подложки ГИС
. Способы нанесения тонких плёнок
8.1 Метод термического испарения
.2 Ионно-плазменное напыление (катодное напыление)
.3 Электрохимическое и химическое нанесение плёнок
9. Задание на курсовую работу: "Разработка топологии гибридной тонкоплёночной ИМС"
. Методические указания к выполнению курсовой работы
. Пример расчёта
Литература
Приложение
резистивный конденсатор индуктивный напыление
Введение
Микроэлектроника - наиболее динамично развивающееся направление электронной техники, определяющее научно- технический прогресс в вычислительной технике, радиоэлектронике, приборостроении, автоматике, промышленности средств связи, оказывающее существенное воздействие на развитие многих других отраслей промышленности, таких как машиностроение, автомобилестроение, авиастроение и др.
Развитие микроэлектроники характеризуется постоянным обновлением технических идей, изменением технологии производства изделий микроэлектроники, расширением областей её применения и выделением ряда новых перспективных направлений (базовые матричные кристаллы, программируемые логические матрицы, микропроцессорная техника).
Основной задачей микроэлектроники является комплексная миниатюризация электронной аппаратуры - вычислительной техники, аппаратуры связи, устройств автоматики. Комплексная миниатюризация приводит к снижению стоимости, материалоёмкости, энергопотребления, массы и габаритов изделий, повышению надёжности и увеличению объёма выполняемых электронной аппаратурой функций. Микроэлектронная технология позволяет резко расширить масштабы производства микроэлектронной аппаратуры, создать мощную индустрию информатики, удовлетворить потребности общества в информационном обеспечении.
Поэтому при подготовке современного радиоинженера необходимо уделить особое внимание приобретению знаний в области микроэлектроники.
1.Классификация интегральных микросхем
По способу изготовления и получаемой при этом структуре интегральные микросхемы (ИМС) подразделяются на два типа:
.полупроводниковые ИМС
.гибридные ИМС.
Полупроводниковые ИМС - это монолитные устройства, в которых все элементы изготовлены на единой полупроводниковой подложке и в едином технологическом цикле.
По полупроводниковой технологии в основном изготавливаются цифровые ИМС малой, средней и большой степени интеграции; микропроцессоры, микрокомпьютеры; а также низкочастотные аналоговые, аналого-цифровые устройства (операционные усилители, компараторы, аналоговые, цифроаналоговые преобразователи и т.д.).
Гибридная интегральная микросхема представляет собой миниатюрную печатную плату с напылёнными проводящими дорожками, к которым припаиваются, привариваются или приклеиваются дискретные бескорпусные элементы (транзисторы, диоды, чипы бескорпусных полупроводниковых ИМС), а также формируются на печатной плате пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности).
По способу изготовления пассивных элементов гибридные интегральные микросхемы (ГИС) подразделяются на:)толстоплёночные ГИС;)тонкоплёночные ГИС.
В толстоплёночных ГИС для нанесения плёнок используется механический способ выдавливания паст через трафарет. Для получения различных пассивных элементов используются соответствующие пасты.
В тонкоплёночных ГИС для формирования пассивных элементов используются методы напыления, электрохимического осаждения.
При микроминиатюризации высокочастотных и СВЧ радиоэлектронных устройств наиболее часто используется тонкоплёночная гибридная технология.
В связи с этим данное методическое пособие посвящено вопросам проектирования тонкоплёночных ГИС.
2. РАСЧЁТ И ПРОЕКТИРОВАНИЕ РЕЗИСТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Плёночный резистор конструктивно состоит из резистивной плёнки определённой конфигурации и контактных площадок. Наиболее распространённые конфигурации резисторов (рис .1):)полосковые;)типа меандр;)составные.
С учётом требований автоматизации проектирования, конфигурации резисторов не должны содержать криволинейных контуров.
Плёночные резисторы должны обладать высокой стабильностью во времени и в интервале температур; низким уровнем шумов; малыми значениями паразитных параметров; требуемой мощностью рассеяния; минимальным значением занимаемой площади.
Сопро?/p>