Классификация интегральных микросхем

Методическое пособие - Компьютеры, программирование

Другие методички по предмету Компьютеры, программирование

?ия характерна для конденсаторов повышенной ёмкости (сотни - тысячи pF). Для конденсаторов небольшой ёмкости (десятки pF) характерна конструкция, представленная на рис 4б. Ёмкость такого конденсатора зависит от смещения обкладок из-за неточности совмещения.

Ёмкость плёночного конденсатора определяется по формуле:

 

С = С0 S(14)

 

где S - площадь взаимного перекрытия обкладок;

С0 - удельная ёмкость, измеряется в pF/cm2

 

Удельная ёмкость определяется диэлектрической проницаемостью применяемых материалов ( er) и толщиной плёнки диэлектрика (d).

 

;(15)

 

Потери в обкладках конденсатора зависят от взаимного расположения выводов. При работе на высоких частотах предпочтительно двустороннее расположение выводов.

Рабочее напряжение (Uр) обеспечивается подбором материала диэлектрической плёнки с требуемым значением электрической прочности (пробивной напряжённости электрического поля, Eпр) и необходимой толщиной плёнки (d). Для большинства диэлектрических материалов пробивная напряжённость составляет:

пр = (1 9)106 V/cm

 

Толщина диэлектрика выбирается исходя из условия обеспечения заданного рабочего напряжения, по формуле:

;

 

Где КЗ = 310 - коэффициент запаса, обеспечивающий надёжностные характеристики.

Добротность (Q) конденсатора зависит от конструкции и используемых материалов

 

;

 

где tgdД - тангенс угла диэлектрических потерь в диэлектрике, для большинства используемых материалов составляет 10-2 10-3.

tgdОВ = wС(r0 + rB) - тангенс угла потерь в обкладках и выводах.

Сопротивление обкладок (r0) определяется конструкцией конденсатора, проводимостью материала обкладок, их геометрией, а также картиной распределения линий тока в обкладках.

Добротность плёночных конденсаторов составляет:Q = 10 100;

Характеристики конденсаторов определяются свойствами применяемых материалов.

К диэлектрикам предъявляются следующие требования:

высокая диэлектрическая проницаемость;

высокая электрическая прочность;

высокое сопротивление изоляции;

малые диэлектрические потери;

хорошая адгезия;

технологическая совместимость.

Наиболее часто используемые диэлектрические материалы представлены в таблица 2.

Материалы обкладок конденсатора должны удовлетворять следующим требованиям:

низкое электрическое сопротивление, особенно для ВЧ конденсаторов;

иметь хорошую адгезию как к подложке, так и к ранее сформированным плёнкам;

обладать высокой коррозионной стойкостью;

температурный коэффициент расширения должен быть близок к температурным коэффициентам расширения подложки и диэлектрика.

На практике чаще всего для изготовления обкладок применяют алюминий А99 с подслоем ванадия.

 

Таблица 2

Характеристики материалов плёночных конденсаторов

Материал диэлектрикаУдельная ёмкость, pF/cm2Способ нанесенияМоноокись кремния (SiO)5 000 10 000термическийМоноокись германия (GeO)5 000 15 000термическийДвуокись кремния (SiO2)20 000катодноеОкись тантала (Ta2O5)50 000катодное

4.Плёночные индуктивные элементы

 

Плёночные индуктивные элементы широко распространены в аналоговых ИМС. Конструкция индуктивных элементов представляет собой спирали (рис. 5).

 

 

Для повышения добротности спирали проводники должны быть большой толщины (30 100) mm. С этой целью проводят электрохимическое осаждение меди или золота на тонкий подслой титана или ванадия.

Индуктивность круглой плёночной спирали при Дн 3,5 Двн определяется по формуле:

 

; nH

 

где Дср = 0,5(Дн + Двн) - средний диаметр витка;

Дн - наружный диаметр;

Двн - внутренний диаметр;

h = nt + в - ширина спирали (cm);

t - шаг спирали (cm);

в - ширина проводника (cm);

n - число витков.

Если

 

в = (30 50)mm

t = (50 100)mm, то

 

для квадратной спирали на площади 25 mm2 можно получить индуктивность порядка:

= (250 500) nH.

 

В современных ГИС площадь, занимаемая одной спиралью, обычно не превышает 1 cm2. Максимальное число витков, которое можно разместить на этой площади определяется разрешающей способностью технологического процесса создания спирали, в частности вmin. При вmin 50mm индуктивность составляет 10mH [3].

Добротность спирали достигает значений: Q = 80 120 при оптимальном соотношении внутреннего и наружного диаметров Двн/ Дн 0,4. С увеличением частоты добротность катушек возрастает, поэтому плёночные катушки успешно работают в СВЧ-диапазоне при частотах 3 5 GHz, при этом число витков составляет 3 5.

Толщина спирали зависит от рабочей частоты и определяется глубиной проникновения (d) электромагнитной волны в материал плёночного проводника (скин-эффект)

 

;

 

где K - коэффициент, зависящий от материала проводника;

f - рабочая частота.

Для изготовления плёночных спиралей применяют материалы с высокой электропроводностью

 

5.Элементы коммутации

 

Элементами коммутации являются проводники и контактные площадки; они служат для электрического соединения компонентов и элементов ГИС между собой, а также для присоединения к выводам корпуса.

Электрофизические свойства элементов коммутации определяются свойствами применяемых материалов. К ним предъявляются следующие требования:

высокая электропроводность;

хорошая адгезия к подложке;

высок