Катодолюминесценция твердых растворов на основе (SiC)1-x(AlN)x
Дипломная работа - Физика
Другие дипломы по предмету Физика
в Ш.А., Сафаралиев Г.К. и др. Особенности получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)1-x (AlN) x. -Изв. АН. СССР, сер. Неорганические материалы, 1986, Т.22. N10. С. 1672-1674.
.Абдуев А.Х., Атаев Б.Н., Курбанов М.К., Сафаралиев Г.К. и др. Управляемое изменение люминесцентных свойств твердых растворов на основе SiC. Письма в ЖТФ. Т. 14, В. 12, 1988. с. 1095-1098.
.Mokhov E.N., Shulpina J.l., Tregubova A.S., Vodakov Yu.A. Cryst. Res. and Techn., 1981, v.16, N8, p. 879-886.
.Ильин В.А., Карачинов В.А., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Упрочнение кристаллической решетки 6Н-SiC при легировании изовалентными примесями - Письма в ЖТФ, 1985, т.11, вып. 12, с. 749-752.
.Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ломаника Г.А. Проблемы управляемого получения легированных структур на базе карбида кремния. В кн.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников, Ленинград 1979 г. стр. 136-149.
.Нурмагомедов Ш.А. Твердые растворы нитрид алюминия - карбид кремния.: Диссерт. на соиск. уч.степени канд. физ.-мат. наук - Л., ЛЭТИ, 1986.
10.Adachi S., Mokhri M., Yomashima T. // Surt. Sci, 1985. v. 165 N2-3, p.479.
.James J.F. On the use of aphotomultiplier as aphoton counter. Mot.Not R.Astor Soc. 1967, v. 137, p. 15.
.Totnill A.A., W. Measurement of very low spectral intensities. EMI. Ltd. Document. Ref. R/P029Z70.
13.Нурмагомедов Ш.А. Твердые растворы нитрид алюминия - карбид кремния.: Диссерт. на соиск. уч.степени канд. физ.-мат. наук - Л., ЛЭТИ, 1986.
.Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Офицерова Н.В., Морозенко Я.В., Абилова Н.А. // Физика и техника полупроводников, 1996, Т. 30, В.3, с. 493-496.
.Дмитриев В.А., Ефимов Л.Б., Линьков И.Ю., Морозенко Я.В., Никитина И.П., Челноков В.Е., Черенков А.Е., Чернов М. А., Твердые растворы SiC-AlN, выращенные методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии. Письма ЖТФ, т.17, вып. 6, 1991, с. 50-53.
.Нурмагомедов Ш.А., Пихтин А.Н., Разбегаев В.Н., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SIC)1-x(AlN)x.. Письма в ЖТФ, 1986, т.12, вып 17, с. 1043-1045.
.Дмитриев В.А.,.Иванов П.А, Морозенко Я.В., Попов И.В., Челноков В.Е.. Письма в ЖТФ, 11, 246 (1985).
.Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н.. В сб.; Широкозонные полупроводники (Махачкала, Изд-во ДГУ,1988) с. 23.