Генераторы пилообразного напряжения
Дипломная работа - Компьютеры, программирование
Другие дипломы по предмету Компьютеры, программирование
выходного сигнала от напряжения отсечки для схемы с идеальным полевым транзистором
Исследуя график, следует отметить, что на интервале [0;-2) амплитуда выходного сигнала резко уменьшается, затем увеличивается до тех пор, пока не достигает своего максимального значения = 5,735 В при напряжении отсечки -8 В. При больших значениях напряжения отсечки - амплитуда не изменяется. Были проведены такие же исследования, используя реальный транзистор NDF9406, содержащийся в разделах библиотеки Multisim. Результаты исследования зависимости амплитуды Авых от напряжения отсечки полевого транзистора для реального транзистора представлены в табл. 5, по которой построен график на рис. 18.
Таблица 5 - Таблица результатов моделирования
VTO,В0,0-0,5-0,75-1,0-1,5-2,0-2,25-2,5Авых,В1,69850,31020,52770,75321,21911,69851,96522,2078VTO,В-2,75-4,0-6,0-8,0-10,0-20,0Авых,В2,44723,69095,51075,69055,72305,7230
Рис. 18 - график зависимости амплитуды выходного сигнала от напряжения отсечки для схемы с полевым транзистором NDF9406
Исследуя график, следует отметить, что на интервале [0;-2) амплитуда выходного сигнала резко уменьшается, затем при напряжении отсечки -2В амплитуда становится равной значению при напряжении отсечки 0В и увеличивается до тех пор, пока не достигает своего максимального значения = 5,7 В при напряжении отсечки -8 В. При больших значениях - амплитуда не изменяется.
Сравнительная характеристика проведенных иследований показала, что зависимости амплитуды выходного сигнала от напряжения отсечки для идеального и реального транзисторов практически идентичны.
3. Посредством построенной в Multisim схемы ГПН исследовано разностный сигнал, оiиллограмма представлена на рис. 20.
Рис. 19 - схема ГПН
Рис. 20 - сравнение оiиллограмм идеальной и реальной пилы и разностного сигнала
Выводы
В работе были рассмотрены и изучены основные характеристики, параметры и принципы построения генераторов пилообразного напряжения: ГПН с зарядным транзистором и ГПН со стабилизатором тока. В пакете разработки электрических схем Multisim были реализованы данные схемы. При построении использовались компоненты отечественного производства. С помощью моделирования этих схем была выполнена основанная задача работы - исследование следующих зависимостей: амплитуды выходного сигнала от напряжения питания для обеих схем, амплитуды выходного сигнала от напряжения отсечки для схемы, содержащей полевой транзистор. Также было проведено измерение разностного сигнала для схемы с зарядным транзистором. На основе проведенного анализа были сделаны соответствующие выводы, что приведены в практической части работы.
Список использованной литературы
1.Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. - Москва "Мир", 1981.- 512с.
2.А.Л. Булычев, В.И. Галкин, В.А. Прохоренко. Аналоговые интегральные схемы: Справочник/.-2-е изд., перераб. и доп.-Мн.: Беларусь, 1994.-382 с.
.Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. - Л.: Энергоатомиздат, 1988. - 304 с.
.Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем.- Киев: Вища школа, 1983. - 242с.