Электрохимическое осаждение пленок
Дипломная работа - Химия
Другие дипломы по предмету Химия
- полупроводниковая пластина с "окном" в слое SiO2 , образовавшемся в результате облучения и последующего травления; г - диффузия донорных примесей и создание области с проводимостью n-типа. 1 - слой фоторезиста, 2 - слой SiO2 3 - полупроводниковая пластина, 4 - фотошаблон, 5 - засвеченный участок фоторезиста, 6 - донорные атомы.
Рисунок 11. Интегральная схема с диодной изоляцией. 1 - металлическое межсоединение, 2 - слой SiO2, 3 - полупроводниковая пластина с областями р-, n- и n+ - типа проводимости. А, Б, В - соответствующие друг другу точки на рисунках а и б.
a - электричечская схема, б - топология
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
После рассмотрения различных химических методов получения тонких пленок можно сказать, что выбор способа получения пленки зависит от типа требуемой пленки, от ограничений в выборе подложек и часто, особенно в случае многократного осаждения, от общей совместимости различных процессов, протекающих при применении этого метода. В таблице 3 подведен итог по вопросу применимости обсуждаемых методов в микроэлектронике. Методам вакуумного испарения и ионного распыления традиционно отдается предпочтение в силу их универсальности. Однако нельзя не учитывать потенциальной пользы химических методов, поскольку использование их может оказаться более дешевым средством к достижению поставленных задач.
Таблица 3.
Использование различных методов получения тонких пленок в микроэлектронике.
МетодыФункциональное назначение пленокЭлектрохимического осажденияХимического восстановленияОсаждения из паровой фазыанодированияТермического выращиванияВакуумного испаренияИонного распыленияПроводники, резисторыДиэлектрические пленки, конденсаторыАктивные приборыМагнитные материалыСверхпроводники
Принципиальная возможность использования метода
Широкое практическое применение
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1.Технология тонких пленок: Справочник /Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. В 2-х т. Т.2. - М.: Советское радио, 1977.- 768 с.
2.Слепцов В.В. Перспективные технологии XXI века / Справочник. Инженерный журнал. - 1999. - No10.
3..
.Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. - М., 1991.
.Жеенбаев Ж.Ж., Оторбаев Д.К., Очкин В.Н. Препринт № 119. - М.: ФИАН, 1990.
.А.А. Бухараев, Н.И. Нургазизов Лаборатория Физики и Химии Поверхности Казанского Физико-Технического Института, Российская Академия Наук, e-mail: bukh@dionis.kfti.knc.ru