ТАУ и электроника АВиМ
Курсовой проект - Компьютеры, программирование
Другие курсовые по предмету Компьютеры, программирование
bsp;
удельная крутизна транзистора.
3. Дальнейшее увеличение U3u приводит к переходу на пологий уровень.
Уравнение Ховстайна.
МДП-структуры
специального назначения
В структурах типа металл-нитрид-оксид-полупроводник (МНОП) диэлектрик под затвором выполняется двухслойным: слой оксида SiO2 и толстый слой нитрида Si3N4. Между слоями образуются ловушки электронов, которые при подаче на затвор МНОП-структуры положительного напряжения (28..30 В) захватывают туннелирующие через тонкий слой SiO2 электроны. Образующиеся отрицательно заряженные ионы повышают пороговое напряжение, причем их заряд может храниться до нескольких лет при отсутствии питания, т.к. слой SiO2 предотвращает утечку заряда. При подаче на затвор большого отрицательное напряжения (28...30 В), накопленный заряд рассасывается, что существенно уменьшает пороговое напряжение.
Структуры типа металл-оксид-полупроводник (МОП) с плавающим затвором и лавинной инжекцией имеют затвор, выполненный из поликристаллического кремния, изолированный от других частей структуры. Лавинный пробой p-n-перехода подложки и стока или истока на которые подается высокое напряжение, позволяет электронам проникнуть в слой оксида и достигнуть затвора, вследствие чего на нем появляется отрицательный заряд. Изолирующие свойства диэлектрика позволяют сохранить заряд десятки лет. Отвод электрического заряда с затвора осуществляется с помощью ионизирующего ультрафиолетового облучения кварцевыми лампами, при этом фототок позволяет электронам рекомбинировать с дырками. См. также ЛИЗМОП.
Области применения
полевых транзисторов
Значительную часть используемых в настоящий момент полевых транзисторов составляют КМОП (CMOS) транзисторы, которые в свою очередь используются повсеместно в цифровых интегральных схемах.
За счёт того, что полевые транзисторы управляются полем (величиной напряжения приложенного к затвору), а не током протекающем через базу (как в биполярных транзисторах) полевые транзисторы потребляют значительно меньше энергии, особенно в схемах ждущих и следящих устройств, а также в схемах малого потребления и энергосбережения (реализация спящих режимов).
Выдающийся пример устройства построенного на полевых транзисторах - пульт дистанционного управления для телевизора. За счёт применения полевых транзисторов пульт может работать до нескольких лет непрерывно ожидая нажатия кнопок, потому что практически не потребляет энергии.
8.5 основные схемы включения биполярного транзистора и особенности их работы;
Описание схем и включение биполярного транзистора см. п. 8.4
8.6 назначение операционного усилителя;
Операционный усилитель
Операционный усилитель (ОУ, OpAmp) усилитель постоянного тока с дифференциальным входом и, как правило, единственным выходом, имеющий высокий коэффициент усиления. ОУ почти всегда используются в схемах с глубокой отрицательной обратной связью, которая, благодаря высокому коэффициенту усиления ОУ, полностью определяет коэффициент передачи полученной схемы.
В настоящее время ОУ получили широкое применение как в виде отдельных чипов, так и в виде функциональных блоков в составе более сложных интегральных схем. Такая популярность обусловлена тем, что ОУ является универсальным блоком с характеристиками, близкими к идеальным, на основе которого можно построить множество различных электронных узлов.
Рис. 8.6.1 Операционные усилители в различных корпусах
Обозначения
На рисунке показано схематичное изображение ОУ
здесь:
V+: неинвертирующий вход
V?: инвертирующий вход
Vout: выход
VS+: плюс источника питания (также может обозначаться как VDD, VCC, или VCC + )
VS?: минус источника питания (также может обозначаться как VSS, VEE, или VCC ? )
Рис. 8.6.2 Обозначение операционного
усилителя на схемах
Указанные пять выводов присутствуют в любом ОУ, они абсолютно необходимы для его функционирования. Помимо этого, некоторые ОУ могут иметь дополнительные выводы, предназначенные для:
установки тока покоя
частотной коррекции
балансировки (коррекции смещения)
и ряда других функций.
Выводы питания (VS+ и VS?) могут быть обозначены по-разному (см. выводы питания интегральных схем). Вне зависимости от обозначений смысл остаётся одним и тем же. Часто выводы питания не рисуют на схеме, чтобы не загромождать её несущественными деталями, при этом способ подключения этих выводов явно не указывается или даже считается очевидным (особенно часто это происходит при изображении одного усилителя из микросхемы с четырьмя усилителями с общими выводами питания). При обозначении ОУ на схемах можно менять местами инвертирующий и неинвертирующий входы, если это удобно; выводы питания, как правило, всегда располагают единственным способом (положительный вверху).
Основы функционирования (Питание)
В общем случае ОУ использует двуполярное питание, то есть источник питания имеет три вывода с потенциалами:
U + (к нему подключается VS +)
0 > (обычно не подключается)
U (к нему подключается VS )
Вывод источника питания с нулевым потенциалом непосредственно к ОУ обычно не подключается, но, как правило, является общей точкой схемы и используется для создания обратной связи. Поэтому часто вместо двуполярного используется более простое од?/p>