Розробка топології і конструкції гібридної інтегральної схеми типу "Підсилювач НЧ К2УС372"
Курсовой проект - Компьютеры, программирование
Другие курсовые по предмету Компьютеры, программирование
?ок і ширину провідників, розширити допуски на суміщення прошарків і збільшити відстані між елементами і т. ін.
Комутаційну схему розробляють на основі принципової електричної схеми, переліку елементів, загальних конструктивних вимог, спеціальних електричних i конструктивних вимог. До останніх частіше відносять вимоги по розташуванню контактних площадок (рознесення входу i виходу, порядок i місце розташування периферійних контактних площадок, а також вимоги по мінімізації проходження електричних сигналів i паразитних звязків між конкретними елементами i провідниками).
Звичайно застосовують такий порядок розробки комутаційної схеми:
- із принципової схеми виключають уci навісні компоненти, а їхні виводи замінюють контактними площадками;
- розташовують yci контактні площадки з максимальним урахуванням ycix схемотехнічних i конструкторських вимог (розташування виводів, розміщення транзисторів i т.д.);
- розташовують інші елементи (зберігаючи їхнє схемне позначення), приєднуючи, їх до контактних площадок відповідно до принципової схеми;
- аналізують отриману комутаційну схему з метою її спрощення i зменшення числа перетинань
Для зменшення числа перетинань плівкових провідників, що є потенційно слабкими місцями плівкової мікросхеми, використовують такі прийоми:
переміщення перетинання в те місце схеми, де воно реалізується не у вигляді перетинання двох плівкових, а у вигляді перетинання плівкового i навісного провідників (периферійні контактні площадки розміщують на деякій відстані від краю, а між краєм підкладки i площадками прокладають плівкові провідники; пропускають плів корни провідник між контактними площадками, до яких приєднують виводи транзистора. Плівковий провідник у місці його перетинання з навісним провідником повинен бути покритий прошарком ізоляції;
- варіювання розташування навісних компонентів;
- деяке переміщення контактних площадок; у пpoцeci розробки комутаційної схеми контакті площадки можна нумерувати довільно. Контактні площадки нумерують остаточно після розробки топологиї; в при реалізації мікросхем на декількох платах раціональний розподіливши елементів між платами за принципом зменшення звязків між платами, але з урахуванням вимоги технологічності конструкції.
Спроектована топологія повинна:
- відповідати принциповій електричній схемі;
- задовольняти всі запропоновані конструктивні вимоги;
- задовольняти всі технологічні вимоги і обмеження, обумовлений методом виготовлення;
- забезпечувати можливість експериментальної перевірки електричних параметрів елементів схеми;
- задовольняти усі висунуті електричні вимоги;
6) розташувати елементи на платі так, щоб забезпечити нормальну роботу схеми при заданому конструктивному виконанні і при заданих зовнішніх кліматичних впливах;
7)складатися таким чином, щоб для виготовлення мікросхеми застосовувалась найбільш проста і дешева технологія;
8) забезпечувати, по можливості, максимальне використання площі.
У тому випадку, якщо розрахунки показують значний вплив паразитних звязків або нагрівання мікросхеми вище допустимого рівня, у топологію вносять відповідні зміни.
Спроектована топологія відповідає принциповій електричній схемі підсилювача К2УС372. У ході проектування топології були дотримані всі технічні обмеження обумовлені товстоплівковою технологією виготовлення; поетапно були усунуті недоліки топології, що проектується, а саме перетини провідників, їх невиправдані перегини, не раціональне розміщення елементів. Топологія задовольняє всім конструктивним та електричним вимогам. Елементи розміщені на платі рівномірно і забезпечують роботу схеми.
У результаті коригування й уточнень ескізів топології був розроблений остаточний варіант топології - оригінал, що задовольняє вимогам. Топологічне креслення зображене у додатку Б.
Висновок
В результаті виконання курсової роботи було розроблено топологію підсилювача низької частоти К2УС372.
Для цього були розраховані геометричні розміри пасивних елементів (резисторів) з урахуванням їх опору та потужності; обрані матеріали резистивних плівок та перевірено правильність цього вибору.
Маючи значення розмірів резисторів та навісних компонентів (транзисторів) була підрахована площа підкладки ІМС з урахуванням зовнішніх та внутрішніх КП, яка становить
За розрахованим значення обрано 8-ий типорозмір підкладки згідно стандартам
()
Список літератури
1. Методичні вказівки до курсового проектування з дисциплін “Основи мікроелектроніки”, “Основи нано- та мікроелектроніки” для студентів спеціальностей 8.091001, 8.091003, 8.080402 денної форми навчання / Укл.: О.В.Андріянов, В.А.Мокрицький, - Одеса: „Наука і техніка”, 2004. 64 с.
2. Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник / Б.П.Кудряшов, Ю.В.Назаров, Б.В.Тарабрин, В.А.Убышев. М.: Радио и связь, 1981. 160с.