Разработка пакета учебно-прикладных программ по диiиплине "Проектирование интегральных микросхем"
Дипломная работа - Компьютеры, программирование
Другие дипломы по предмету Компьютеры, программирование
работы: Изучение конструкции полупроводниковых интегральных микросхем на биполярных транзисторах и Расчет параметров диффузионных резисторов. Разработанные лабораторные работы позволяют студентам с помощью персонального компьютера изучить особенности технологии ППИМС, БП транзисторов, структуру кристалла и диффузионных резисторов, типы диффузионных резисторов, особенности их построения и расположения на подложке, выполнить расчет параметров резисторов.
Разработанные лабораторные работы современны, показательны, они являются студентоориентированными, что облегчает как процесс получения знаний студентами, так и процесс обучения преподавателем. Новая оболочка имеет дружественный интерфейс, интуитивно понятна, эргономична, обладает большим модернизационным потенциалом.
Пакет учебно-прикладных программ был создан с использованием языка XHTML, который является современным языком для разработки сайтов, веб-страниц. Преимуществом выбранного языка является возможность постоянной доработки, совершенствования и дополнения данного пакета учебно-прикладных программ. Благодаря использованию возможностей XHTML лабораторные работы будут понятны любому пользователю, они просты в понимании, что важно, так как чем меньше отвлекающих факторов, тем лучше усвоение изучаемого материала.
В процессе создания данной дипломной работы были рассмотрены основные характеристики материалов, структура и технологические процессы производства ППИС. Также были рассмотрены характеристики и расчет диффузионных резисторов, требования к их проектированию и существующие ограничения.
Тема дипломной работы является перспективной, планируется дальнейшая разработка лабораторных работ данного цикла и включение их в пакет учебно-прикладных программ для обучения студентов диiиплине Проектирование интегральных микросхем
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1.Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. Учебное пособие для высших учебных заведений. - М., 1992.
.Коледов Л.А., Волков В.А., Докучаев Н.И. и др. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование. - М.: Высшая школа М., 1984.
.Малышева И.А. Технология изготовления интегральных микросхем. Учебник для вузов. - Москва Радио и связь 1991.
.Мустафаев Г.А. Проектирование и конструирование п/п и интегральных микросхем. Методические разработки по выполнению курсовой работы. - Нальчик: Каб. - Балк. Ун-т 2003.
.Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. шк., 1986.
.Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы: материалы, приборы, изготовление - М.: Мир, 1985.
.
.Шевченко О.И. Методические указания к лабораторным работам по диiиплине Конструирование устройств интегральной и функциональной микроэлектроники - ЛЭТИ - Л., 1989.
ПРИЛОЖЕНИЯ
Приложение 1
Основные требования к пластинам кремния [3, с.318].
Характеристика пластинДиаметр, ммДопустимые значенияТочность кристаллографической ориентации рабочей поверхности76; 1000,5Отклонение диаметра760,5 мм100(0,5тАж0,8) ммОтклонение толщины от номинала в партии76; 100(10тАж20) мкмОтклонение толщины от номинала по пластине76; 100(5тАж10) мкмДлина базового среза7620тАж25 мм10030тАж35 ммДлина дополнительных срезов769тАж11 мм10016тАж20 ммНепараллельность сторон (клиновидность)76; 1000,5 %Неплоскостность764тАж9 мм1005тАж9 ммПрогиб в исходном состоянии7615тАж30 мм10020тАж40 ммПрогиб после термоиспытаний7650 мкм10060 мкмШероховатость рабочей стороны76; 100Rx ? 0.05 мкмШероховатость нерабочей стороны76; 100Ra ? 0.5 мкм Шлифовано-травленная
Приложение 2
Файловая структура пакета учебно-прикладных программ:
Приложение 3
Изображения кристалла использованные при разработке пакета учебно-прикладных программ:
Подслой (ЛР1 и ЛР2)
Изоляция (ЛР1 и ЛР2)
Базовая диффузия (ЛР1 и ЛР2)
Эмиттерная диффузия (ЛР1 и ЛР2)
Контактные окна (ЛР1 и ЛР2)
Проводники (ЛР1)
Топология (ЛР1)
Проводники (ЛР2)
Топология (ЛР2)
Приложение 4
Изображения резисторов, рассматриваемых в ЛР2:
Резистор R1
Резистор R2
Резистор R3
Резистор R4
Резистор R5
Резистор R6
Резистор R7
Резистор R8