Пути повышения эффективности использования основных средств ПРУП "Транзистор"
Информация - Экономика
Другие материалы по предмету Экономика
?ия в таблице 3.
Таблица 3 - Сравнительные показатели форм обновления машин и оборудования ПРУП "Транзистор"
ПоказателиФорма обновления оборудованиямодернизацияновое
оборудованиеГодовая производительность оборудования, тысяч шт/год1 3701 510Себестоимость годового объема производства продукции, млн. р. 2 105,341 473,74Затраты на модернизацию оборудования, млн. р. 3627,1-Стоимость нового оборудования, млн. р. -7158,46Межремонтный цикл, лет5-Поэтому, выбор формы обновления модернизация или приобретение нового оборудования может осуществляться путем сопоставления капитальных вложений, себестоимости продукции и потерь на эксплутационных расходах.
Потери на эксплуатационных расходах (ЭР) на период (Т) работы оборудования от окончания модернизации до начала следующей определяется по формуле
(1)
В общем виде экономическая целесообразность модернизации должна удовлетворять неравенству (1.15)
Приведенное соотношение показывает, что потери на эксплуатационных расходах за период службы модернизированных основных средств меньше разницы между затратами на новое оборудование и модернизацию старого на 10,6%.
Обоснование приобретения нового оборудования на условиях банковского кредита
Проблема дефицита природных ресурсов, очевидные признаки энергетического кризиса в той или иной степени затрагивающего все индустриально развитые страны, вынуждает производителей промышленной продукции переходить на качественно новые и энергосберегающие экологически чистые технологии.
Особое внимание специалистов привлекает задача снижения потерь электрической энергии в технологической цепочке: "первичный источник - преобразование и передача - потребители электроэнергии", на основе элементной базы силовой электроники. Изделия силовой электроники используются повсеместно, обеспечивая значительную экономию всех ресурсов за счет оптимизации рабочих процессов. ПРУП "Транзистор" специализируется на производстве высококачественных и надежных изделий силовой микроэлектроники.
Современный мощный транзистор все больше приобретает особенности сверхбольшой интегральной микросхемы с встроенными функциями защиты по току и напряжению, в котором, кроме оптимизации топологии, разработчику приходится решать вопросы обеспечения работоспособности в условиях предельных электрических и тепловых воздействий на материалы конструкции. Плотность упаковки элементов для n-канального МОП транзистора КП723 достигает уровня 1 миллиона элементов/см2 с минимальными технологическими размерами до 1,5 мкм.
Подавляющее большинство из изделий изготавливаются на подложках с эпитаксиальными слоями толщиной до 100 мм с различным уровнем легирования. Причем требования к качеству эпитаксиальных слоев, то есть к разбросам по толщине, удельному сопротивлению, привносимой и иной дефектности, постоянно ожесточаются. Поэтому, для того чтобы сохранить и нарастить экспорт изделий силовой микроэлектроники необходимо использование кремниевых подложек с эпитаксиальными слоями улучшенного качества. В настоящее время на заводе №2 УП "Транзистор" для производства эпитаксиальных структур используются установки "Эпиквар-101 М" и "Эпиквар-121 М". Данное оборудование имеет реактор цилиндрического типа и обладает высокой производительностью, однако обладают рядом недостатков, таких как: нестабильность параметров эпитаксиального слоя; высокий коэффициент заполнения линиями скольжения; высокий уровень дефектообразования в процессе эпитаксии; низкая надежность реактора установки; недостаточный уровень автоматизации управления техпроцессом.
Наличие отмеченных недостатков приводит к тому, что действующее эпитаксиальное оборудование не обеспечивает уровень качества эпитаксиальных структур, необходимый для производства конкурентоспособной продукции. Предусмотренные конструкцией установки методы устранения неоднородностей электрофизических параметров позволяют поддерживать разброс значений удельного сопротивления и толщины эпитаксии в пределах 10% от номинала, этого недостаточно для ряда производимых изделий и для большинства проектируемых изделий. Невозможно в полной мере обеспечить высокие требования, предъявляемые к структурам для диодов Шоттки, изделиям MOSFET, стабилизаторам напряжения, новым перспективным разработкам.
В результате под экспортные поставки УП "Транзистор" закупает эпитаксиальные структуры за рубежом с тенденцией к росту величины этих закупок. Кроме того, низкая надежность приводит к дополнительным трудовым и материальным затратам на ремонт, перерасходу энергоносителей, простою оборудования. Высокая плотность дефектов роста и привносимой дефектности обуславливает необходимость проведения нулевой фотолитографии - "подавление шипов", что позволит снизить себестоимость производства кристаллов. Таким образом, необходим перевод установок эпитаксиального наращивания в "чистое помещение" класса 1000 и закупка более совершенного эпитаксиального оборудования типа GIMINI - 1,2 фирма "LAM RESEACH", целесообразно провести техническое перевооружение эпитаксиального производства ПРУП "Транзистор" и оснастить его передовым контрольно-измерительном оборудованием. Этому способствует тот факт, что УП "Транзистор" уже оплатило "чистую комнату" для эпитаксиального оборудования. Внедрение в п