Основные качества полупроводников

Контрольная работа - Компьютеры, программирование

Другие контрольные работы по предмету Компьютеры, программирование

?сть, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

Q - скважность.

Rтп-с - тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.

Rтп-к - тепловое сопротивление от перехода к корпусу транзистора.

tвкл - время включения биполярного транзистора. Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.

tвыкл - время выключения биполярного транзистора. Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигнет значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.

Тмакс - максимальная температура корпуса транзистора.

Тп.макс - максимальная температура перехода транзистора.

tрас - время рассасывания биполярного транзистора. Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.

Uкб - напряжение коллектор - база транзистора.

Uкбо.макс - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - база при токе эмиттера, равном нулю.

Uкбо.и.макс - максимально допустимое импульсное напряжение коллектор - база при токе эмиттера, равном нулю.

Uкэо.гр - граничное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.

UкэR макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база - эмиттер транзистора.

Uкэх.и.макс - максимально допустимое импульсное напряжение между коллектором и эмиттером при заданных условиях в цепи база - эмиттер.

Uкэ - напряжение коллектор - эмиттер транзистора.

Uкэ.нас - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. Uэбо.макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база при токе коллектора, равном нулю.

Класификация биполярных транзисторов относительно основных параметров

Тип прибораПредельные значения параметров

при Тп = 25 СЗначения параметров при Тп = 25 СІк.макс, мАІк.и.макс,

мАUкэR.гр, {Uкэо.макс}, BUэбо. макс,

BРк.макс, {Рк.и.макс}, мВтh21, {h21Э}Uкб, {Uкэ}, BIэ, {Iк}, мАUкэ. нас, BІкбо, мкАfгp, {fh21}, МГц1Т1026-55302051-101КТ214Е-150100{20}20504010,040,61-М5А70150{15}1075{20.50}1100,15201МП42А10020015-200{30.50}{1}{10}0,2251П4120150151015030.10051-151П40А2015030515020.8051---

Тип прибораПредельные значения параметров при Тп = 25 СЗначения параметров при Тп = 25 СІк.макс, мАІк.и.макс,

мАUкэя.макс, {икэо.гр}, BUкбо. макс,

BРк.макс, {Р макс}, мВтh21,

{h21Э}Uкб, {икэ}, B1э, {Ік}, мАUкэ.нас, BІкбо, {1кэк}, мкАfгp, {fh21}, МГц2Т127А-150-{25}2515{15.60}{5}10,510,12Т127Б-150-{25}2515{40.200}{5}10,510,1М3А50100{15}1575{18.55}1100,5{20}1МП9А20150{15}15{150}15.4551-30{1}МП113201001010{150}15.4551-3{1}ТМ3А50100{15}1575{18.55}1100,5{20}1

Тип прибораПредельные значения параметров при Тп = 25 СЗначения параметров при Тп = 25 СІк.макс, мАІк.и.макс,

мАUкэR.гр, {Uкэо.макс}, BUэбо. макс,

BРк.макс, {Рк.и.макс}, мВтh21, {h21Э}Uкб, {Uкэ}, BIэ, {Iк}, мАUкэ. нас, BІкбо, мкАfгp, {fh21}, МГц1Т101Б10-151550{60.120}51-15{5}2Т203В10501515150{60.200}51--10КТ208Б150300202020040.1201300,4-5КТ209А300500151520020.601300,4-5П286-5530{33.100}50,5-3{5}П4065-{6}630{20}61-6{10}

Тип прибораПредельные значения параметров при Тп = 25 СЗначения параметров при Тп = 25 СІк.макс, мАІк.и.макс,

мАUкэR.гр, {Uкэо.макс}, BUэбо. макс,

BРк.макс, {Рк.и.макс}, мВтh21, {h21Э}Uкб, {Uкэ}, BIэ, {Iк}, мАUкэ. нас, BІкбо, мкАfгp, {fh21}, МГцП30730120808025016.502010-320П307А30120808025030.902010-320П307Б15120808025050.1502010-320П307Г15120808025016.502010-320П3083012012012025030.902010-320