Основные качества полупроводников
Контрольная работа - Компьютеры, программирование
Другие контрольные работы по предмету Компьютеры, программирование
30,625301,5{1,5}40.120{3}{250}230090
Тип прибораПредельные значения параметров при Тп = 25 СЗначения параметров при Тп = 25 СІк.
макс, мАІк.и.
макс, мАUкэя.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], BUкбо. макс, BUэбо. макс, BРк.макс, мВтh21, {h21Э}Uкб, {икэ}, BIэ, {Iк}, мАUкэ. нас, BІкбо, мкАfгр, {fмакс}, МГц2Т608Б0,40,8606040,550.1605200110200КТ601А0,03-10010020,516{20}10-{500}40КТ603Е0,30,6101030,560.200215011200КТ605А0,10,225030050,410.4040208[20]40КТ645Б0,30,6404040,5801020,510200КТ646А11,250604140.20052000,8510200
Тип прибораПредельные значения параметров при Тп = 25 СЗначения параметров при Тп = 25 СІк.
макс, АІк.и.
макс, АUкэя.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], BUкбо. макс, BUэбо. макс, BРк.макс, Втh21, {h21Э}Uкб, {икэ}, BIэ, {Iк}, АUкэ. нас, BІкбо, мАfгр, {fмакс}, МГц1Т702В30-{40}60415015.100{1,5}300,6120,122Т818А152080100510020{5}{5}1-3ГТ703Д3,5-[40]--1520.4510,050,60,50,01КТ814А1,5325-51040{2}{0,15}0,60,053КТ835А3-3030--25{1}{1}0,350,13П21012-{60}--6015---12{0,1}
Тип прибораПредельные значения параметров при Тп = 25 СЗначения параметров при Тп = 25 СІк.макс, АІк.и.макс,
АUкэR.гр, {Uкэо.макс}, BUэбо. макс,
BРк.макс, {Рк.и.макс}, Втh21, {h21Э}Uкб, {Uкэ}, BIэ, {Iк}, АUкэ. нас, BІкбо, мАfгp, {fh21}, МГц2ТК235-40-12540906{3300}105201,55-2Т704А2,54[1000]41510.1001515[5]32Т819В-215204054020{5}{5}1-32Т848А15-400735205151,553ГТ705Д3,5-{20}-1590.2501{0,5}1[1,5]{0,01}КТ815А1,53255104020,150,6{0,05}3
Тип прибораПредельные значения параметров при Тп = 25 СЗначения параметров при Тп = 25 СІк.макс, АІк.и.макс,
АUкэR.гр, {Uкэо.макс}, BUэбо. макс,
BРк.макс, {Рк.и.макс}, Втh21, {h21Э}Uкб, {Uкэ}, BIэ, {Iк}, АUкэ. нас, BІкбо, мАfгp, {fh21}, МГц1Т910АД102025-3550.32010{10}0,66302Т505А122505525.140{10}{0,5}1,80,120ГТ906АМ10-751,41530.150{10}{5}0,5{8}-КТ837А7,5-{60}153010.40522,50,15-КТ865А10-160610040.200{4}{2}20,115П601АИ-1,5250,7340.10030,521,520
Тип прибораПредельные значения параметров при Тп = 25 СЗначения параметров при Тп = 25 СІк.макс, АІк.и .макс,
АUкэR.гр, {Uкэо.макс}, BUэбо. макс,
BРк.макс, {Рк.и. макс}, Втh21, {h21Э}Uкб, {Uкэ}, BIэ, {Iк}, АUкэ. нас, BІкбо, мАfгp, {fh21}, МГц2Т504Б121502501015.140{5}{0,5}10,1202Т803А10-[60]-6018.801052,5120П701Б0,5-[40]401030.100{10}0,570,120П7022-{60}604025{10}{1,1}2,554ТК135-25-0,51625{30}{50}8010.100512,52106ТК135-25-11625{60}{100}8010.100512,52106
4. Интегральная микросхема
Интегральная микросхема микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигналов и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и (или) кристаллов. Это изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое. Термин интегральная микросхема имеет два подчиненных понятия: элемент ИС (или просто элемент) и компонент ИС (или просто компонент).
Элемент это часть ИС, реализующая функцию какого-либо простого электрорадиоэлемента (например, транзистора, диода, резистора, конденсатора). Элемент нельзя отделить от кристалла ИС (или ее подложки) как самостоятельное изделие, следовательно, его нельзя испытать, упаковать и эксплуатировать. Примеры интегральных элементов: пленочный резистор в гибридной ИС, транзистор в полупроводниковой ИС.
Компонент это часть ИС, также реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, однако компонент перед сборкой ИС был самостоятельным изделием в специальной упаковке (комплектующее изделие). Компонент в принципе может быть отделен от изготовленной ИС (например, для замены при ремонте). Примеры интегральных компонентов: бескорпусный транзистор, керамический конденсатор в гибридной ИС.
Классификация ИС
В зависимости от технологии изготовления ИС могут быть полупроводниковыми, пленочными или гибридными. В ГОСТ 1702175 даются следующие определения этим трем разновидностям ИС.
В полупроводниковой ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.
В пленочной ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов. Вариантами пленочных являются тонкопленочные и толстопленочные ИС.
Различие между тонкопленочными и толстопленочными ИС может быть количественным и качественным. К тонкопленочным условно относят ИС с толщиной пленок до 1 мкм, а к толстопленочным ИС с толщиной пленок свыше 1 мкм. Качественные различия определяются технологией изготовления пленок. Элементы тонкопленочной ИС наносятся на подложку, как правило, с помощью термовакуумного осаждения и катодного распыления, а элементы толстопленочной ИС изготавливаются преимущественно методом шелкографии с последующим выжиганием.
Наконец, к гибридным микросхемам относят ИС, содержащие, кроме элементов, простые и сложные компоненты (например, кристаллы полупроводниковых ИС). Частным случаем гибридной ИС является многокристальная ИС (совокупность нескольких бескорпусных ИС на одной подложке).
В зависимости от функционального назначения ИС делятся на две основные категории аналоговые и цифровые. Аналоговые ИС (АИС) предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Частным случаем АИС является ИС с линейной характеристикой (линейная микросхема, ЛИС). К цифровым относятся ИС, с помощью которых преобразуются и обрабатываются сигналы, выраженные в двоичном или другом коде. Вариантом определения ЦИС является термин логическая микросхема (операции с двоичным кодом описываются логической алгеброй).
При появление микропроцессорной техники в 1981 г. в ГОСТ 1702175 были добавлены четыре термина. Микропроцессор определен как устройство, управляемое программным способом, осуществляющее процесс обработки цифровой информации и управления. Это устройство изготовлено на основе одной или нескольких БИС.
Операционные усилители
Операционным усилителем (ОУ) принято называть интегральный усилитель постоянного тока с бо?/p>