Geum.ru

Курсовой проект по предмету Компьютеры, программирование

  • 2661. Технология изготовления ваттметра
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    Из существующих видов организации производственного процесса наиболее приемлемой для рассматриваемого изделия при среднесерийном производстве является параллельная сборка одновременное выполнение частей или всего технического процесса, что приводит к сокращению производственного процесса. Предполагается использование конвейера, как транспортера для передвижения изделия внутри участков и цеха. Принимаемый же тип продвижения изделия пульсирующий конвейер (рабочий на месте за определенное время проделывает заданный объем работ с изделием, а потом предает изделие на следующее рабочее место, где другой рабочий в это время должен закончить свой объем работ касательно ранее полученного изделия). Так как предполагается широкая дифференциация операций техпроцесса для рассматриваемого изделия, следовательно, наиболее приемлемым с точки зрения экономической стороны организации работ, будет использование одного рабочего места на выполнение одной операции.

  • 2662. Технология изготовления кристаллов полупроводниковых интегральных микросхем
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    После механической обработки в тонком приповерхностном слое подложки возникает нарушенный слой. По глубине он может быть разделен на характерные зоны. Для кристаллов Ge, Si, GaAs и других после их резки и шлифования на глубине 0,3...0,5 средней высоты неровностей расположена рельефная зона, в которой наблюдаются одинаковые виды нарушений и дефектов монокристаллической структуры: монокристаллические сколы, невыкрошившиеся блоки, трещины, выступы и впадины различных размеров. После резки дефекты располагаются в основном под следами от режущей кромки алмазного диска в виде параллельных дорожек из скоплений дефектов, в шлифованных кристаллах равномерно по сечению. При полировании первый слой представляет собой поверхностные неровности, относительно меньшие, чем при шлифовании, и в отличие от шлифованной поверхности он является аморфным. Второй слой также аморфный, его глубина в 2...3 раза больше, чем поверхностные неровности. Третий слой является переходным от аморфной структуры к ненарушенному монокристаллу и может содержать упругие или пластические деформации, дислокации, а в некоторых случаях и трещины. В процессе обработки и подготовки поверхности подложек полупроводников необходимо создание совершенных поверхностей, имеющих высокую степень плоскопараллельности при заданной кристаллографической ориентации, с полным отсутствием нарушенного слоя, минимальной плотностью поверхностных дефектов, дислокаций и т.д. Поверхностные загрязнения должны быть минимальными.

  • 2663. Технология изготовления плат толстопленочных гибридных интегральных схем
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    Процесс спекания условно можно разделить на три стадии. На первой, начальной, стадии основной движущей силой является избыточная свободная поверхностная энергия мелкодисперсных частиц, приводящая к возникновению давления, стремящегося сжать заготовку и уменьшить ее свободную поверхность. Под действием этого давления может происходить уплотнение заготовки за счет пограничного скольжения частиц относительно друг друга. Значительную роль в уплотнении пористого изделия играют также остаточные напряжения в кристаллических зернах шихты. Так как силы спекания между частицами и силы сопротивления скольжению по границам малы, то даже при небольших усилиях, действующих на заготовку, можно ожидать значительных скоростей ее уплотнения. Процесс скольжения по границам зерен заканчивается при достижении плотной упаковки частиц, при этом происходит интенсивное увеличение площади контакта между частицами за счет их припекания. Припекание частиц порошка в точке происходит в результате перераспределения вещества под действием градиента химического потенциала, возникающего при наличии градиента концентрации, механического давления или температуры. Перераспределение вещества возможно при диффузии (поверхностной и объемной), при вязком течении, а также в результате процессов испарения конденсации. Действие каждого из этих механизмов характеризуется своим законом изменения во времени размера пятна контакта между отдельными частицами. Разделение механизмов массопереноса при спекании производят на основе модельных представлений зависимости увеличения радиуса контакта X от времени процесса т. На рис. 7.9 представлена модельная схема твердофазного спекания неустойчивой системы, состоящей из однородных зерен сферической формы, с образованием перешейка. В процессе обжига радиус кривизны перешейка увеличивается, контакты между частицами расширяются,а радиус зерен уменьшается. В простейшем случае для модели спекания сферических частиц процесс описывается зависимостью где k константа, определяемая температурой и свойствами материала; п показатель степени.

  • 2664. Технология обработки графической информации
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

     

    1. Апатова, Н.В. Информационные технологии в школьном образовании [Текст] / Н.В. Апатова М.: Издательский центр «Академия», 2006. 125 с. 4250 экз. ISBN 5-5201-1433-1.
    2. Бухаркина, М.Ю. Новые педагогические и информационные технологии в системе образования [Текст]: учебное пособие для студ. пед. вузов и системы повыш. квалиф. пед. кадров / М.Ю. Бухаркина, Е.С. Полат, М.В. Моисеева, А.Е. Петров; под ред. Е.С. Полат. М.: Издательский центр «Академия», 2002. 542 с. 40000 экз. ISBN 5-5587-2224-5.
    3. Возможности использования электронных учебников в образовательном процессе [Электронный ресурс]: Режим доступа: http: // www.artinfo.ru/eva /EVA2000M/eva-papers/200003/Gavrikov-R.htm.
    4. Гейн, А.Г. Информатика [Текст]: учеб. Пособие для 10-11 кл. общеобразоват. учреждений / А.Г. Гейн, А.И. Сенокосов, Н.А. Юнерман.-2-е изд. - М.: Просвещение, 2001.-255с.: ил.-30000экз.-ISBN 5-09-010486-7.
    5. Захарова, И.Г. Информационные технологии в образовании [Текст]: учеб. пособие для студ. высш. учеб. заведений / И.Г. Захарова.-2-е изд., стер. - М.: Издательский центр «Академия», 2005.-192с.-3000 экз. - ISBN 5-7695-2346-8.
    6. Институт информатизации образования Российской академии образования [Электронный ресурс]: толковый словарь терминов понятийного аппарата информатизации образования. - Электрон. дан. (4989 байт).-М.: Государственное научно-техническое учреждение, 2007.-Режим доступа: http://www.iiorao.ru.
    7. Информатика. [Текст]: серия «Учебники, учебные пособия». //Под ред. П.П. Беленького. - Ростов н/Д: Феникс, 2002.-448с.-10000 экз. - ISBN 5-222-02513-6.
    8. Красноярская государственная медицинская академия Центр дистанционного обучения [Электронный ресурс]: Электронный учебно-методический комплекс для системы дистанционного обучения (Методические рекомендации для авторов-разработчиков). - Режим доступа: http://www.krasgma.ru/downloads/f42ee269_8f00b204_2005-11-23_metodicheskie_rekomendatsii_dlya_avtorov_elektronnyh_uchebno-metodicheskih_kompleksov_dlya_sistemy_distantsionnogo_obucheniya.doc.
    9. Машбиц Е.И. Психолого-педагогические проблемы компьютеризации обучения. [Текст] / Е.И. Машбиц М.: Издательский центр «Академия», 2002.-158с.-5000 экз. - ISBN 5-759-2296-4.
    10. Методы использования информационных и коммуникационных технологий в обучении школьников [Электронный ресурс]: Режим доступа: http://ido.rudn.ru/nfpk/ikt/ikt5.html.
    11. Могилев, А.В. Информатика [Текст]: учеб. пособие для студ. пед. вузов/А.В. Могилев, Н.Л Пак, Е.К. Хеннер; Под ред. Е.К. Хеннера.-2-е изд., стер. - М.: Издательский центр «Академия»,2003.-816с.-30000экз.-ISBN 5-7695-0330-0.
    12. Острейковский, В.А. Информатика [Текст]: учеб. пособие для студ. сред. спец. учеб. заведений/ В.А. Острейковский.- М.: Высш. шк.,2003.-319с.: ил.-5000 экз. - ISBN 5-06-004661-3.
    13. Оформление и подготовка к защите курсовых и выпускных квалификационных работ [Текст]: методические рекомендации / составитель Л.Д. Литвинова. ГОУ СПО «Беловский педагогический колледж, 2006. 30 с.
    14. Полат, Е.С. Новые педагогические и информационные технологии в системе образования [Текст]: учеб. пособие / Е.С. Полат, М.Ю. Бухаркина, М.В. Моисеева, А.Е. Петров М.: Просвещение, 2005.-380с.: ил.-45000экз.-ISBN 5-07-5347-324-5.
    15. Ретинская, И.В. Отечественные системы для создания компьютерных учебных курсов [Текст] / И.В. Ретинская, М.В. Шугрина // Мир ПК. - 2006.- 7.- С.11-17-ISBN 5-047-0738-022-5.
    16. Роберт, И.В. Современные информационные технологии в образовании [Текст] / И.В. Роберт М.: Издательский центр «Академия», 2003.-370с.-40000 экз. - ISBN 5-740-3037-8.
    17. Симонович, С.В. Общая информатика [Текст]: учебное пособие для сред. школы. / С.В. Симонович, Г.А. Евсеев, А.Г. Алексеев - М.: АСТ-ПРЕСС КНИГА: Инфорком - Пресс, 2002.-592с.-60000 экз. ISBN 5-7805-0375-3.
    18. Скибицкий, Э.Г. Дидактическое обеспечение процесса дистанционного обучения [Текст] / Э.Г. Скибицкий // Дистанционное образование, 2002.-4. С.34-41. -ISBN 5-3409-2054-3.
    19. Соловов, А.В. Информационные технологии обучения в профессиональной подготовке [Текст] / А.В. Соловов // Информатика образования, 2004.- 7. С.21-42 - ISBN 5-285-0923-8.
    20. Цевенков, Ю.М. Информатизация образования в США [Текст] / Ю.М. Цевенков Е.Ю. Семенова // Новые информационные технологии в образовании: Обзор. инф. НИИВО, 2001.- 3. С.11-14 -ISBN 5-09-40439-7.
    21. Электронные дидактические средства обучения в современном ВУЗе [Электронный ресурс]: Режим доступа: http://www.sgu.ru / faculties/ physical/ departments/ it-physics /international2007 /docs / Novikova_E.A._ Raznoglyadova _M.Yu. _Strelyuhina _L.Yu. _3.doc.
  • 2665. Технология получения монокристаллического InSb p-типа
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

     

    1. Абрикосов Л. Х. Шелимова Л. Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений АlVВVl. Наука 1975 г. 195 с.
    2. Нашельский А. Я. Производство полупроводниковых материалов. Металлургия 1982 г. 311 с.
    3. Материалы используемые в полупроводниковых приборах. Под ред. Хогарта. Мир 1968 г. 348 с.
    4. Пасынков В. В. Сорокин В. С. Материалы электронной техники. Высшая школа 1986 г. 367 с.
    5. Химическая энциклопедия IV том. Большая российская энциклопедия 1999 г. 783 с.
    6. Лодиз Р. Паркер Р. Рост монокристаллов. Мир 1974 г. 540 с.
    7. Мошников В. А., Риппинен А. Н., Чеснокова Д. Б. Исследование фазового состава, структуры и свойств пленок на основе PbSe в зависимости от условий их термообработки. ЦНИТИ “Техномаш”. 2003 с. 105-108.
    8. Мошников В. А., Риппинен А. Н., Чеснокова Д. Б. Управление составом и свойстрвми слоев PbSe в процессе их получения. ЦНИТИ “Техномаш”. 2003 с. 105-108.
    9. Dimitrons A. Mehl Michael. Electronic structure calculation of lead chalcogenides PbS, PbSe, PbTe. J. J. Phus. And Chem. Solids 2002. 63 № 5 стр 833-841 Англ.
    10. An Changhua, Tang Kaibin, Jim Ying A Simple method to synthesize PbS, PbSe nanocrystals. J. Cryst. Crowth. 2003. 253, № 1-4 стр. 467-471 Англ.
    11. Фреiк А.Д., Довчий О.Я., Рубiнський Б.М. Напрямленi неоднорiдностi електричных параметрiв i атомнi дефекти у тонких плiвках халькогiнiдiв свинцю,вiдпалених в атмосфiрних кисию. Укр. Фiз. Ж. 2003. 48, № 10 с 1086-1090. Укр.
    12. Fedorov A., Sipatov A., Volobuev V. Diffusion and Kirkendall effect in PbSe - EuS multilager. Thin Solid Films. 2003. 425 № 1-2 с. 287-291 Англ.
    13. Rumianowski Roman T., Dygdala Roman S., Jung Wojciech. Growth of PbSe thin films on Si substrates by pulsed laser deposition method. J. Cryst. Growth, 2003. 252, №1-3 с230-235 Англ.
    14. Иванов Д. К., Богаев С. И. Электрохимическое получение полупроводниковых структур Se / PbSe и Pb1-xSnxS / SnS. Тезисы докладов II Всероссийской студенческой научной конференции. Екатеринбург, 25-27 апр., 2001.4.1. УрГУ 2001. с 5. Рус.
    15. Rogacheva E.I., Navrina T.V. Quantum size effect in PbSe quantum wells. Appl. Phys. Lett. 2002.80. № 15 с 2690-2692.
    16. Aigle M., Passher H., Pinczolits M. Optical characterization of self organized quantum dot superlatives. Phys. Status solid: B 2001.224 №1 c. 223-227 Анг.
    17. Зыков В. А., Гаврикова Т.А., Ильин В.И. Влияние примеси висмута на концентрацию носителей тока в эпитаксиальных слоях. Физика и техн. полупровод. 2001.35 №11 с.1311-1315.
    18. Beaunier L., Cachet H., Froment M. Epitaxial electodeposition of lead selenide films on indium phosphide single crystal. Mater. Sci. Semicond. Process. 2001.4 № 5 c.433-436.
    19. Некрасов Б. В. Основы общей химии I. Химия 1973 г. с. 656.
    20. Справочник по электротехническим материалам. Под ред. Корицкого Ю. В., Пасынкова В. В., Тареева Б.М. том 3. Инергоатомиздат 1988 г. с. 728.
    21. Шелимова Л. Е. Диограммы состояния. Москва 1991 г. с. 325.
    22. Барышев Н. С. Свойства и применение ускозонных полупроводников. Унипресс 2000 г. с. 433.
    23. Чистиков Д. Ю., Райков Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. Москва Металлургия 1979 г. с 408.
  • 2666. Технология сборки и монтажа блока питания
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    âëèÿíèÿ, i1Êîýôôèöèåíò àâòîìàòèçàöèè è ìåõàíèçàöèè ìîíòàæàÊì.ì.1.02Êîýôôèöèåíò àâòîìàòèçàöèè è ìåõàíèçàöèè ïîäãîòîâêè ÈÝÒ ê ìîíòàæóÊì.ï.ÈÝÒ1.03Êîýôôèöèåíò îñâîåííîñòè äåòàëåé è ñáîðî÷íûõ åäèíèö (ÄÑÅ)Êîñâ.0.84Êîýôôèöèåíò ïðèìåíåíèÿ ìèêðîñõåì è ìèêðîñáîðîêÊì.ñ.0.55Êîýôôèöèåíò ïîâòîðÿåìîñòè ïå÷àòíûõ ïëàòÊïîâ.ÏÏ0.36Êîýôôèöèåíò ïðèìåíåíèÿ òèïîâûõ òåõíîëîãè÷åñêèõ ïðîöåññîâÊò.ï.0.27Êîýôôèöèåíò àâòîìàòèçàöèè è ìåõàíèçàöèè ðåãóëèðîâêè è êîíòðîëÿÊà.ð.ê.0.1

  • 2667. Технология сборки и монтажа производственного процесса усилителя низкой частоты
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

     

    1. Варламов Р.Г. Справочник конструктора РЭА - М., Сов. Радио, 1980
    2. Гуськов Г.Я. Монтаж микроэлектронной аппаратуры - М., Радио и связь, 1986
    3. Достанко А.П. Технология и автоматизация производства - М., Радио и связь, 1985
    4. Достанко А.П., Ланин В.Л. Методическое пособие к курсовому проектированию по курсу "Технология РЭА и оборудования" - Мн., МРТИ, 1987
    5. ЕСТД. Общие требования к формам, бланкам и документам (ГОСТ 3.1104-81). Формы и правила оформления маршрутных карт (ГОСТ 3.1118-82). Система обозначения технологической документации (ГОСТ 3.1201-85).
    6. Классификатор технологических операций машиностроения и приборостроения - М., Издательство стандартов, 1987
    7. Павловский В.В., Васильев В.И. Проектирование технологических процессов изготовления РЭА - М., Радио и связь, 1982
    8. Хмыль А.А., Ланин В.Л. Методическое пособие к курсовому проектированию по курсу "Технология РЭА, оборудование и автоматизация" - Мн., МРТИ, 1979
    9. Достанко А.П., Емельянов В.А., Ланин В.Л., Хмыль А.А. Методическое пособие по курсовому проектированию по дисциплине Технология РЭС и автоматизация производства для студентов специальности Проектирование и производство РЭС . - Мн.: БГУИР, 1997. - 104 с.
  • 2668. Технология создания презентаций
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    Перемещая бегунок можно по всплывающей подсказке определить, на каком слайде остановиться.Активизировать панель РисованиеВыполните команду Вид /Панели инструментов/РисованиеВвести текст в произвольное место слайдаВыберите на панели Рисование инструмент Надпись и установите текстовый курсор в нужное место или меню Вставка/Надпись.Отредактировать имеющийся текстЩелкните по тексту, установите текстовый курсор в нужное место и внесите исправления или добавления.Удалить текст вместе с рамкойЩелкните по тексту, затем щелкните непосредственно по рамке и нажмите клавишу Delete.Изменить шрифт или размер шрифтаВоспользуйтесь командой Формат/Шрифт или раскрывающимся списком шрифтов/размеров панели инструментов Изменить цвет шрифтаВыполните команду Формат/Шрифт или выберите кнопку Цвет текста панели Форматирование (Рисование).Выбрать стиль оформления шрифта Воспользуйтесь командой Формат/Шрифт или кнопками панели инструментов: полужирный, курсив, подчеркнутый, тень.Выровнять набранный текст относительно рамкиВоспользуйтесь командой Формат/Выравнивание/По левому краю (Ctrl + L); По центру (Ctrl + E); По правому краю (Ctrl + R); По ширине или кнопками панели инструментов Форматирование.Выбрать цвет и тип линии для рамки, подобрать заливкуВыделите рамку (или установите курсор в текст, введенный в рамку) и выполните команду Формат/… В появившемся диалоговом окне установите цвет заливки, тип линии и ее цвет.

  • 2669. Технология создания электронного учебного пособия
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

     

    1. Антонова, С. Г. Современная учебная книга: создание учеб. лит. нового поколения [Текст] / С.Г. Антонова, Л.Г. Тюрина. М.: Сервис, 2001. 287 с.
    2. Берденникова, Н.Г. Организационное и методическое обеспечение учебного процесса в вузе [Текст]: учебно-методическое пособие / Берденникова Н.Г., Меденцев В.И., Панов Н.И. СПб.: Д.А.Р.К., 2006. 208 с.
    3. Вохрышева, М.Г. Обоснование библиографического метода как общенаучного [Текст] / М.Г. Вохрышева // Сов. библиогр. 1984. №3. С. 9-15
    4. Вуль, В. Электронные издания [Текст]: учебник / В.А. Вуль. М.: СПб.: Петербургский институт печати, 2001. 308 с.
    5. Гордукалова, Г. Ф. Мониторинг документального потока для информационной диагностики прогнозируемых объектов [Текст]: учебное пособие / Гордукалова Г.Ф., Юдина Л.В. М.: ИПКИР, 1991. 110 с
    6. Гордукалова, Г.Ф. О методах и процедурах информационной диагностики объекта [Текст] / Г.Ф. Гордукалова // Методология НИР. 2008. №1. С.29-32
    7. Демкин, В.П. Психолого-педагогические особенности ДО [Текст] / Демкин В.П., Руденко Т.В., Серкова Н.В. // Высшее образование в России. 2000. № 3. С. 124-128
    8. Жарый, С.В. Новые информационные технологии в учебном процессе высшего учебного заведения [Электронный ресурс] / С.В. Жарый // Сб. материалов науч.-практ. конф. "Информационная среда ВУЗа XXI века". - Режим доступа: http://www.ict.edu.ru/vconf/index.php?a=vconf&c=getForm&r= thesisDesc&d=light&id_sec=285&id_thesis=10455
    9. Зусьман, О.М.Библиографические исследования науки [Текст] / О.М. Зусьман. СПб: СПбГУКИ, 2002. 216 с.
    10. Иванов, В.П. Использование инновационных технологий в обучении студентов и аспирантов [Текст] / Иванов В.П., Трубникова Е.В., Стабровская Н.В.; Курский государственный медицинский университет // Повышение качества образовательного процесса в университете: сборник материалов науч.-метод. конф. Т. 2. Курск: КГМУ, 2008. С.55-57
    11. Коготков, Д.Я. Библиографическая деятельность библиотеки: организация, управление, технология [Текст]: учебник / Коготков Д.Я. СПб.: Профессия, 2005. 304 с.
    12. Коджаспирова, Г.М. Технические средства обучения и методика их использования [Текст]: учеб. пособие для студ. пед. Вузов / Коджаспирова Г.М., Петров К.В. М: Академия, 2001 256 с.
    13. Можаева, Г.В. Как подготовить мультимедиа курс? [Текст]: методическое пособие для преподавателей / Можаева Г.В., Тубалова И.В.; Под ред. В.П. Демкина. Томск: ТГУ, 2002. 41 с.
    14. Педагогика и психология высшей школы [Текст]: учебное пособие / отв. ред. М.В. Буланова-Топоркова. Ростов н/Д: Феникс, 2002. 544 с.
    15. Ретроспективная национальная библиография Российской Федерации: современное состояние, проблемы и перспективы развития [Текст]: Сб. ст. и материалов / сост. Н.К. Леликова. СПб., 1999. 243 с.
    16. Рыжаева, В.Н. Использование компьютерных технологий в процессе обучения [Текст] / В.Н. Рыжаева; Курский государственный медицинский университет // Повышение качества образовательного процесса в университете: сборник материалов науч.-метод. конф. Т. 2. Курск: КГМУ, 2008. С. 132-134
    17. Серов, В.Р. От оценки технического уровня - к информационной диагностике исследований и разработок [Текст] / В.Р. Серов // НТИ. Сер. 1. 1989. № 11. С. 33-38
    18. Соколов, А.В. Незыблемость фундамента и модернизация фасада [Электронный ресурс] / А.В. Соколов // Научные и технические библиотеки. 2009. - №9. Режим доступа: http://ellib.gpntb.ru/subscribe/index.php?journal=ntb&year= 2009&num=4&art=11
    19. Христочевский, С.А. Базовые элементы электронных учебников и мультимедийных энциклопедий [Текст] / С.А. Христочевский // Системы и средства информатики. Вып. 9. М.: Наука, 1999. С. 202-213
    20. Чернилевский, Д.В. Дидактические технологии в высшей школе [Текст]: учеб. пособие для вузов / Чернилевский Д.В. М.: ЮНИТИ-ДАНА, 2002. 437 с.
    21. Эпштейн, В.Л. Введение в гипертекст и гипертекстовые системы [Электронный ресурс] / В.Л. Эпштейн. Режим доступа: http://www.ipu.rssi.ru/ publ/epstn.htm
  • 2670. Технологічні особливості систем мобільного зв'язку для вчинення злочинів
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    постійне зниження ціни 1 Мб трафіка, обумовлене переходом операторів до більш сучасних і ефективних технологій. HSDPA (англ. High-Speed Downlink Packet Access високошвидкісна пакетна передача даних від базової станції до мобільного телефону) стандарт мобільного звязку, розглядається спеціалістами як один з перехідних етапів міграції до технологій мобільного звязку четвертого покоління (4G). Максимальна теоретична швидкість передачі даних по стандарту складає 14,4 Мбіт/сек, практично ж швидкість, що досягається в існуючих мережах зазвичай не перевищує 6 Мбіт/сек. До технологій, які претендують на роль 4G відносяться: WiMAX (англ. Worldwide Interoperability for Microwave Access) телекомунікаційна технологія, розроблена з метою надання універсального бездротового звязку на великих відстанях для широкого спектру пристроїв (від робочих станцій і портативних компютерів до мобільних телефонів). Заснована на стандарті IEEE 802.16, який також називають Wireless MAN. Назва «WiMAX» була створена WiMAX Forum організацією, що була заснована в червні 2001 року з метою розвитку технології WiMAX. Форум описує WiMAX як «засновану на стандарті технологію, що надає високошвидкісний бездротовий доступ до мережі, альтернативний виділеним лініям і DSL». В загальному вигляді WiMAX мережі складаються з наступних основних частин: базових і абонентських станцій, а також обладнання, що звязує базові станції між собою, з поставником сервісів і з Інтернетом. Для зєднання базової станції з абонентською використовується високочастотний діапазон радіохвиль від 1,5 до 11 ГГц. В ідеальних умовах швидкість може досягати 70 Мбіт/с, при цьому не потребується забезпечення прямої видимості між базовою станцією і прийомником. WiMAX застосовується як для вирішення проблеми «останньої милі», так і для надання доступу в мережу офісним і районним мережам. Між базовими станціями встановлюються зєднання (прямої видимості), які використовують діапазон частот від 10 до 66 ГГц, швидкість обміну даними може досягати120 Мбіт/c. При цьому, принаймні одна базова станція підключається до мережі провайдера з використанням класичних дротових зєднань. Однак, чим більша кількість БС підключена до мереж провайдера, тим вища швидкість передачі даних і надійність мережі в цілому. Wi-Fi (англ. Wireless Fidelity «беспроводная точность») стандарт на обладнання Wireless LAN. Розроблений консорціумом Wi-Fi Alliance на базі стандартів IEEE 802.11, «Wi-Fi» торгова марка «Wi-Fi Alliance». Технологію назвали Wireless-Fidelity (дослівно «бездротова точність») за аналогією Hi-Fi. На сьогодні у багатьох організаціях використовується Wi-Fi, так як при певних умовах швидкість роботи мережі уже перевищує 100 Мбіт/сек. Користувачі можуть переміщуватися між точками доступу по території покриття мережі Wi-Fi. Мобільні пристрої (КПК, смартфони, PSP і ноутбуки), обладнані клієнтськими Wi-Fi прийомно-передаючими приладами, можуть підключатися до локальної мережі і отримувати доступ в Інтернет через точки доступу або хот-споти. Зазвичай схема Wi-Fi мережі містить не менше однієї точки доступу і не менше одного клієнта. Також можливе підключення двох клієнтів у режимі точка-точка, коли точка доступу не використовується, а клієнти зєднуються шляхом мережевих адаптерів «напряму». Точка доступу передає свій ідентифікатор мережі (SSID) за допомогою спеціальних сигнальних покатів на швидкості 0.1 Мбіт/с кожні 100 мс. Тому 0.1 Мбіт/с найменша швидкість передачі даних Wi-Fi. Знаючи SSID мережі, клієнт може вияснити, чи можливе підключення до даної точки доступу. При потрапляння в зону дії двох точок доступу з ідентичними SSID, приймач може обирати між ними на основі даних про рівень сигналу. Стандарт Wi-Fi дає клієнту повну свободу при виборі критеріїв для зєднання. Також до стандартів четвертого покоління відносять LTE, TD-LTE,UMB. На сьогодні запущені лише WiMAX, Wi-Fi та LTE.

  • 2671. Технологія Frame Relay
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    Ось як це все проходить:

    1. Мережеве обладнання користувача відправляє деякий кадр в локальну мережу. В заголовку цього кадру вказується апаратний адрес маршрутизатора (шлюз по замовчуванню).
    2. Маршрутизатор отримує цей кадр, вилучає з нього пакет після чого відкидає кадр. Після відкидання кадру він знаходить IP-адрес отримувача, який знаходиться в середині пакету і по таблиці маршрутизації намагається визначити, яким чином можна добратися до мережі отримувача.
    3. Потім маршрутизатор відправляє данні через інтерфейс, який як йому здається дозволить знайти видалену мережу. Якщо ж маршрутизатор не в змозі знайти потрібну йому мережу в своїй таблиці маршрутизації, то він відкидає весь пакет. По скільки в даному випадку це буде послідовний інтерфейс, інкапсульований для Frame Relay, то маршрутизатор відправить пакет в адрес мережі Frame Relay у вигляді інкапсульованого кадра для Frame Relay. Він добавить в нього DLCI-номер, який відповідає даному послідовному інтерфейсу. DLCI визначає номер віртуального каналу PVC або SVC, який веде до маршрутизатора і комутатора, який входить в склад мережі Frame Relay.
    4. Пристрій обслуговування каналу - (Channel Service Unit, CSU) та пристрій обслуговування даних - (Data Service Unit, DSU) отримують цифровий сигнал і перетворюють його в ту систему цифрових сигналів, яка буде зрозуміла комутатору PSE (Packet Switching Exchange обмін комутуючих пакетів). PSE отримує цифровий сигнал і витягує отримані по лінії звязку одиниці і нулі.
  • 2672. Технологія складу програм. Базові засоби мови C++
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    Кожна функція має своє ім`я. Передбачені в ній обчислення записуються в тілі функції за допомогою послідовності операторів мови. При цьому можуть зустрічатись як дії над величинами, які обчислюються в самій функції, так і над невідомими величинами, які надходять в функцію у вигляді аргументів обчислювального процесу. Для прийому деяких аргументів і служать формальні параметри. Це величини,значення яких визначаються іншою функцією, яка визвала дану функцію. В заголовку функції (перший рядок) наводиться клас пам`яті та тип значення, що обчислюється, ім`я функції і опис формальних параметрів. Клас пам`яті показує область програми, де можна звернутись до даної функції. Тип задає тип обчислюємого функцією значення. Клас пам`яті та формальні параметри функції можуть бути відсутніми. Якщо функція крізь своє ім`я не передає значення , то тип задається словом void. При поставлених значеннях формальних параметрів х,у обчислює деяке значення цілого типу (int). Формальні параметри х та у мають відповідно типи цілий (int) та з плаваючою крапкою (float). Величини цілого типу це цілі числа, які в памяті представляються своїми двійковими кодами так, що їх молодші розряди займають початкові чи кінцеві біти виділеного поля. Знак займає один біт й записується для позитивних чисел цифрою 0, для негативних цифрою 1. В залежності від довжини величини цілого типу бувають короткими та довгими. Для їх опису прийняті відповідно специфікатори short int, int, long int. Величини типу short int в пам*яті займають 2 байти, типу long int 4 байти і змінюються . довжина величин типу int на стандартній мові не визначена, вона залежить від компютера і компілятора і співпадає з довжиною або short , або long. Для знакових цілих перед специфікатором типу наводиться модифікатор signed, для без знакових модифікатор unsigned, наприклад , unsigned short. Для величин unsigned int тип можна наводити просто як unsigned, якщо модифікатор не наведений, то по умовчанню ціла величина вважається типу signed. Величини символьного типу це двоїнні коди будь-яких символів. Для символьних величин прийнятий специфікатор типу shar. Як і цілі, символьні величини можуть бути знаковими (з модифікатором sixgned) і без знаковими (з модифікатором unsigned). По стандарту приймається signed. Величини з плаваючою крапкою або речові це нормалізор. Таким чином, тип величини характеризує довжину його подання в памяті. Він суттєво використовується під час роботи з цією величиною. Нприклад, при множенні цілих чисел х та у виконується операція множення двійкових чисел х та у. Величину типу void використовуються для позначення обєктів невизначеного типу. Оператори програми записуються у вільному форматі. Але для вірності кожний з них слід починати з нової строки. Наприклад:

  • 2673. Технологія та автоматизація виробництва блока живлення БП 9/4
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    Блок живлення БП9/4 являє собою конструкцію, що призначена для перетворення рівня напруги. Первинним джерелом живлення для побутової апаратури є електромережа. Для з'єднання джерела живлення та елекромережі у корпусі першого передбачені штирі, через які здійснюється безпосередній електричний контакт. Корпус БП9/4 виготовлено з полістіролу (для забезпечення електричної ізоляції). Всередині основи корпусу, до якої впресовано контактні штирі,розміщено друковану плату з ЕРЕ та ПФЕ. Електричне з'єднання плати та штирів здійснюється за допомогою проводів, що вміщені до ізоляційних трубок. Електричний контакт блоку живлення та пристрою, що живиться пертвореною ним напругою (наприклад, магнітофон), здійснюється через шнур, на кінці якого розміщено накінечник для безпосереднього контакту з рознімом магнітофону. Інший кінець шнура припаяно до контактних площадок плати. Для зменшення імовірності обривів на кінці шнура передбачено обмежник, а також гумову втулку. На друкованій платі розміщено ЕРЕ, трансформатор та радіатор з встановленим на ньому транзистором. Транзистор до радіатору кріпиться гвинтом, а тепловий контакт їх здійснюється крізь нанесену на радіатор теплопровідну пасту. Сам радіатор кріпиться до плати також гвинтами з діелектричними шайбами. Трансформатор до плати кріпиться двома гвинтами також з діелектричними шайбами. Кришка корпусу, що виготовлена також з полістіролу, кріпиться до основи корпусу гвинтом, для запобігання самовідгвинчування якого всередині кришки предбачено спеціальну пружину. Для побутової апаратури потрібно забезпечити пломбування цього гвинта (для забеспечення гарантійного ремонту). В конструкції кришки для цього передбачено пломбувальний "стакан", що під час складання виробу на виробництві заповнюється пломбувальною пастою перед загвинчуванням гвинта.

  • 2674. Типовая микропроцессорная система охраны и сигнализации
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    Микропроцессорная система охраны и сигнализации содержит аппаратную часть, представленную микропроцессором, соединённым через интерфейсные схемы с датчиками и исполнительными устройствами, и программную часть, реализующую логику работы системы охраны и сигнализации. Управляющая программа включает в себя подпрограмму взаимодействия с датчиками и исполнительными устройствами и подпрограмму распознавания ситуации на основе логической обработки информации от датчиков. Основными исходными данными для проектирования и / или модернизации системы охраны и сигнализации являются перечень датчиков, их адреса в адресном пространстве микропроцессора, разрядность, способ подключения к МПС, протокол обмена данными. Основным средством для проектирования и отладки программной части является среда AFD. Датчики и радиобрелок системы охраны заменяются программным эмулятором.

  • 2675. Типовые функциональные и обеспечивающие подсистемы АС административно-организационного управления
    Курсовые работы Компьютеры, программирование
  • 2676. Типы вычислительных систем
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    Эффективное применение вычислительной техники предполагает, что каждый вид вычислений требует использования компьютера с определенными характеристиками. Выбирая компьютер для решения своих задач, пользователь интересуется функциональными возможностями технических и программных модулей (как быстро может быть решена задача, насколько ЭВМ подходит для решения данного круга задач, какой сервис программ имеется в ЭВМ, возможности диалогового режима, стоимость подготовки и решения задач и т.д.). При этом пользователь интересуется не конкретной технической и программной реализацией отдельных модулей, а общими вопросами организации вычислений. Последнее включается в понятие архитектуры ЭВМ, содержание которого достаточно обширно. Каждый из уровней допускает многовариантное построение и применение. Современный компьютер относится к классу открытых систем. Конкретная реализация каждого из уровней таких систем определяет особенности структурного построения, что может менять характеристики в широких пределах. Именно архитектура отражает основные принципы, положенные в основу построения компьютеров. Детализацией архитектурного и структурного построения ЭВМ занимаются различные категории специалистов вычислительной техники. Инженеры-схемотехники проектируют отдельные технические устройства и разрабатывают методы их сопряжения друг с другом. Системные программисты создают программы управления техническими средствами, информационного взаимодействия между уровнями, организации вычислительного процесса. Программисты-прикладники разрабатывают пакеты программ более высокого уровня, которые обеспечивают взаимодействие пользователей с ЭВМ и необходимый сервис при решении ими своих задач. Указанные специалисты рассматривают понятие архитектуры в более узком смысле. Для них наиболее важные структурные особенности сосредоточены в наборе команд ЭВМ, являющемся границей между аппаратными и программными средствами. Пользователи ЭВМ, которые обычно не являются профессионалами в области вычислительной техники, рассматривают архитектуру через более сложные аспекты, касающиеся их взаимодействия с ЭВМ (человеко-машинного интерфейса), начиная со следующих групп характеристик ЭВМ, определяющих ее структуру:

  • 2677. Типы и виды документов
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    В классификации, предложенной Г.Н. Швецовой-Водка, с позиций книговедения документы подразделяются на виды в зависимости от:

    1. материала носителя информации (бумажный, прозрачно-пленочный, магнитоленточный, пластиночный);
    2. формы носителя информации (ленточный, карточный, листовой, блочный, площадной);
    3. по способу записи (ручной, механический, автоматический);
    4. по предназначенности для восприятия (человековоспринимаемый, машиновоспринимаемый, машиночитаемый);
    5. по каналу восприятия человеком (визуальный, аудиальный, тактильный, аудиовизуальный, недоступный человеческому восприятию);
    6. по способу расшифровки информации человеком (читаемый, рассматриваемый, слушаемый, рассчитанный на комплексное восприятие);
    7. по характеру знаковых средств передачи информации (записанный отвлеченно-абстрактными (символическими) знаками, записанный знаками, подобными изображаемому, записанный путем изменения структуры носителя);
    8. по характеру языковой системы (вербальный, изобразительный, музыкальный, комплексный, матричный);
    9. по принадлежности знаков записи к определенным знаковым системам (письменный, изографический, картографический, нотный, технически кодированный).
  • 2678. Торговая фирма
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    %20(ISO)%20%d0%b8%20%d0%90%d0%bc%d0%b5%d1%80%d0%b8%d0%ba%d0%b0%d0%bd%d1%81%d0%ba%d0%b8%d0%bc%20%d0%bd%d0%b0%d1%86%d0%b8%d0%be%d0%bd%d0%b0%d0%bb%d1%8c%d0%bd%d1%8b%d0%bc%20%d0%b8%d0%bd%d1%81%d1%82%d0%b8%d1%82%d1%83%d1%82%d0%be%d0%bc%20%d1%81%d1%82%d0%b0%d0%bd%d0%b4%d0%b0%d1%80%d1%82%d0%be%d0%b2%20<http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%90%D0%BC%D0%B5%D1%80%D0%B8%D0%BA%D0%B0%D0%BD%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%BD%D0%B0%D1%86%D0%B8%D0%BE%D0%BD%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B8%D0%BD%D1%81%D1%82%D0%B8%D1%82%D1%83%D1%82_%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%BD%D0%B4%D0%B0%D1%80%D1%82%D0%BE%D0%B2>%20(ANSI).%20%d0%92%20%d0%b4%d0%b0%d0%bb%d1%8c%d0%bd%d0%b5%d0%b9%d1%88%d0%b8%d0%b5%20%d0%b3%d0%be%d0%b4%d1%8b%20%d1%81%d1%82%d0%b0%d0%bd%d0%b4%d0%b0%d1%80%d1%82%20%d0%b1%d1%83%d1%80%d0%bd%d0%be%20%d1%80%d0%b0%d0%b7%d0%b2%d0%b8%d0%b2%d0%b0%d0%bb%d1%81%d1%8f%20%d0%b8%20%d0%b2%d1%81%d0%b5%20%d0%b1%d0%be%d0%bb%d1%8c%d1%88%d0%b5%20%d0%bf%d1%80%d0%be%d0%b8%d0%b7%d0%b2%d0%be%d0%b4%d0%b8%d1%82%d0%b5%d0%bb%d0%b5%d0%b9%20%d0%a1%d0%a3%d0%91%d0%94%20%d1%81%d1%82%d0%b0%d0%bb%d0%b8%20%d0%bf%d0%be%d0%b4%d0%b4%d0%b5%d1%80%d0%b6%d0%b8%d0%b2%d0%b0%d1%82%d1%8c%20%d1%8d%d1%82%d0%be%d1%82%20%d1%84%d0%be%d1%80%d0%bc%d0%b0%d1%82.%20%d0%9a%d0%b0%d0%b6%d0%b4%d1%8b%d0%b9%20%d0%bf%d1%80%d0%be%d0%b8%d0%b7%d0%b2%d0%be%d0%b4%d0%b8%d1%82%d0%b5%d0%bb%d1%8c%20%d1%81%d1%87%d0%b8%d1%82%d0%b0%d0%bb,%20%d1%87%d1%82%d0%be%20%d1%84%d1%83%d0%bd%d0%ba%d1%86%d0%b8%d0%b8%20%d0%be%d0%bf%d1%80%d0%b5%d0%b4%d0%b5%d0%bb%d0%b5%d0%bd%d0%bd%d1%8b%d0%b5%20%d1%81%d1%82%d0%b0%d0%bd%d0%b4%d0%b0%d1%80%d1%82%d0%be%d0%bc%20%d0%bd%d0%b5%d0%b4%d0%be%d1%81%d1%82%d0%b0%d1%82%d0%be%d1%87%d0%bd%d1%8b%20%d0%b4%d0%bb%d1%8f%20%d1%8d%d1%84%d1%84%d0%b5%d0%ba%d1%82%d0%b8%d0%b2%d0%bd%d0%be%d0%b9%20%d1%80%d0%b0%d0%b7%d1%80%d0%b0%d0%b1%d0%be%d1%82%d0%ba%d0%b8%20%d0%91%d0%94%20%d0%b8%20%d0%bf%d0%be%d1%8d%d1%82%d0%be%d0%bc%d1%83%20%d0%b4%d0%be%d0%b1%d0%b0%d0%b2%d0%bb%d1%8f%d0%bb%20%d1%81%d0%b2%d0%be%d0%b8,%20%d1%82%d0%b0%d0%ba%d0%b8%d0%bc%20%d0%be%d0%b1%d1%80%d0%b0%d0%b7%d0%be%d0%bc%20%d0%ba%d0%b0%d0%b6%d0%b4%d0%b0%d1%8f%20%d1%80%d0%b5%d0%b0%d0%bb%d0%b8%d0%b7%d0%b0%d1%86%d0%b8%d1%8f%20SQL%d0%bd%d0%b5%d0%bc%d0%bd%d0%be%d0%b3%d0%be%20(%d0%b8%d0%bb%d0%b8%20%d0%bc%d0%bd%d0%be%d0%b3%d0%be)%20%d0%be%d1%82%d0%bb%d0%b8%d1%87%d0%b0%d0%bb%d0%b0%d1%81%d1%8c%20%d0%be%d1%82%20%d0%be%d1%81%d1%82%d0%b0%d0%bb%d1%8c%d0%bd%d1%8b%d1%85.%20%d0%9f%d0%be%20%d0%bd%d0%b0%d1%87%d0%b0%d0%bb%d1%83%20%d0%b1%d1%8b%d0%bb%d0%b8%20%d0%bf%d1%80%d0%b5%d0%b4%d0%bf%d1%80%d0%b8%d0%bd%d1%8f%d1%82%d1%8b%20%d0%bf%d0%be%d0%bf%d1%8b%d1%82%d0%ba%d0%b8%20%d0%ba%d0%be%d0%bd%d1%82%d1%80%d0%be%d0%bb%d0%b8%d1%80%d0%be%d0%b2%d0%b0%d1%82%d1%8c%20%d0%b8%20%d1%81%d0%b8%d1%81%d1%82%d0%b5%d0%bc%d0%b0%d1%82%d0%b8%d0%b7%d0%b8%d1%80%d0%be%d0%b2%d0%b0%d1%82%d1%8c%20%d0%b8%d0%b7%d0%bc%d0%b5%d0%bd%d0%b5%d0%bd%d0%b8%d1%8f%20%d1%81%d1%82%d0%b0%d0%bd%d0%b4%d0%b0%d1%80%d1%82%d0%b0,%20%d0%bd%d0%be%20%d0%bf%d0%be%d1%81%d0%bb%d0%b5%201999%20%d0%b3%d0%be%d0%b4%d0%b0%20%d1%8d%d1%82%d0%b8%20%d0%bf%d0%be%d0%bf%d1%8b%d1%82%d0%ba%d0%b8%20%d0%bf%d1%80%d0%b5%d0%ba%d1%80%d0%b0%d1%82%d0%b8%d0%bb%d0%b8%d1%81%d1%8c%20%d0%b8%20%d0%b2%d1%81%d1%8f%20%d0%be%d1%82%d0%b2%d0%b5%d1%82%d1%81%d1%82%d0%b2%d0%b5%d0%bd%d0%bd%d0%be%d1%81%d1%82%d1%8c%20%d0%bb%d0%b5%d0%b3%d0%bb%d0%b0%20%d0%bd%d0%b0%20%d0%bf%d0%bb%d0%b5%d1%87%d0%b8%20%d0%bf%d1%80%d0%be%d0%b8%d0%b7%d0%b2%d0%be%d0%b4%d0%b8%d1%82%d0%b5%d0%bb%d0%b5%d0%b9%20%d0%a1%d0%a3%d0%91%d0%94.">Стандарт SQL был принят в 1986 году Международной организацией по стандартизации <http://ru.wikipedia.org/wiki/ISO> (ISO) и Американским национальным институтом стандартов <http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%90%D0%BC%D0%B5%D1%80%D0%B8%D0%BA%D0%B0%D0%BD%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9_%D0%BD%D0%B0%D1%86%D0%B8%D0%BE%D0%BD%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B8%D0%BD%D1%81%D1%82%D0%B8%D1%82%D1%83%D1%82_%D1%81%D1%82%D0%B0%D0%BD%D0%B4%D0%B0%D1%80%D1%82%D0%BE%D0%B2> (ANSI). В дальнейшие годы стандарт бурно развивался и все больше производителей СУБД стали поддерживать этот формат. Каждый производитель считал, что функции определенные стандартом недостаточны для эффективной разработки БД и поэтому добавлял свои, таким образом каждая реализация SQLнемного (или много) отличалась от остальных. По началу были предприняты попытки контролировать и систематизировать изменения стандарта, но после 1999 года эти попытки прекратились и вся ответственность легла на плечи производителей СУБД.

  • 2679. Транзисторний перетворювач з дроселем в первинному ланцюзі
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    Транзистори VТ2 та VТ3 відкриті більше ніж півперіоду, тобто працюють з взаємним перекриттям. На інтервалі Т/2, коли відкриті обидва транзистори, відбувається накопичування енергії в дроселі до якого, через закорочення обмоток силового трансформатора, прикладається повна напруга живлення перетворювача. Передача енергії від джерела живлення в навантаження не відбувається і струм вторинної обмотки трансформатора дорівнює нулю. Діоди випрямляча виявляються закритими. При вимиканні одного з транзисторів енергія, накопичена в індуктивності, через трансформатор передається в навантаження. Електромагнітні процеси в даному режимі схожі з процесами у ШІП з підвищеною вихідною напругою.

  • 2680. Транслітерація україномовних текстів латинськими літерами
    Курсовые работы Компьютеры, программирование

    Транслітерування відбувається згідно з транслітераційною таблицею, яка складається з транслітераційних пар, де пара це кирилична літера і відповідна до неї латинична літера, що мають однакову чи подібну вимову. Серед 32-х латиничних літер- відповідників є 8 з діакритиками (є-ê, ж-z, ї-ï, ч-c, ш-s, щ-s, ю-û, я-â) та 24 вибрані з основної латиниці. Добиранню пар допоміг аналіз стандартних систем транслітерування (ISO/R9-1968(Е), ISO 9:1995(Е), ГОСТ 7.79-2000 СИБИД, ГОСТ 16876-71, проекту ДСТУ -2002, та численних пропозицій щодо модифікації систем.