Geum.ru

Компьютеры, программирование

  • 8121. Расчет и проектирование диода на основе кремния
    Курсовой проект пополнение в коллекции 24.12.2009

     

    1. Управляемые полупроводниковые вентили: Пер. с англ./Ф. Джентри, Ф. Гутцвиллер, Н. Голоньяк, Э. фон Застров. М.: Мир, 1967. 356 с.
    2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 368 с.
    3. Евсеев Ю. А., Дерменжи П. Г. Силовые полупроводниковые приборы: Учебник для техникумов. М.: Энергоиздат, 1981. - 298 с.
    4. Силовые полупроводниковые приборы/В. Е. Челноков, Ю. В. Жиляев, Н. А. Соболев и др. // Силовая преобразовательная техника (Итоги науки и техники). М.: ВИНИТИ, 1986. Т. 4. С. 1-108.
    5. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов/В. П. Григоренко, П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов. М.: Энергоатомиздат, 1988. - 315 с.
    6. Расчет силовых полупроводниковых приборов/П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Н. Н. Крюкова и др. М.: Энергия, 1980. - 242 с.
    7. Блихер А. Физика тиристоров: Пер. с англ./Под ред. И. В. Грехова. Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1981. - 315 с.
    8. Бениш Ф. Отрицательные сопротивления в электронных схемах. М.: Сов. радио, 1975. - 196 с.
    9. Челноков В. Е., Евсеев Ю. А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. - 298 с.
    10. Ніконова З.А., Небеснюк О.Ю. Твердотіла електроніка. Конспект лекцій для студентів напрямку «Електроніка» ЗДІА/ Запоріжжя: Видавництво ЗДІА, 2002. 99с.
    11. Твердотіла електроніка. Навчальний посібник до курсового проекту для студентів ЗДІА спеціальності «Фізична та біомедична електроніка» денної та заочної форм навчання /Укл: З.А. Ніконова, О.Ю. Небеснюк,, М.О. Літвіненко, Г.А. Слюсаревська. Запоріжжя, 2005. 40с.
    12. Пасынков В. В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1981. 431 с.
    13. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1983г. 384 с.
    14. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990г. 376 с.
    15. Жеребцов И.П. Основы электроники. Энергоатомиздат, Ленинградское отд-ние, 1989г. 352 с.
    16. Батушев В. А. Электронные приборы. М. , “Высшая школа” 1980. 383 с.
  • 8122. Расчет и проектирование МДП-транзистора
    Курсовой проект пополнение в коллекции 20.12.2009

     

    1. Ніконова З.А., Небеснюк О.Ю. Твердотіла електроніка. Конспект лекцій для студентів напрямку «Електроніка» ЗДІА/ Запоріжжя: Видавництво ЗДІА, 2002. - 99с.
    2. Твердотіла електроніка. Навчальний посібник до курсового проекту для студентів ЗДІА спеціальності «Фізична та біомедична електроніка» денної та заочної форм навчання /Укл: З.А. Ніконова, О.Ю. Небеснюк,, М.О. Літвіненко, Г.А. Слюсаревська. Запоріжжя, 2005. - 40с.
    3. Батушев В. А. Электронные приборы. М. , “Высшая школа” 1980..
    4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника М.: Высшая школа, 1991г. - 617с.
    5. Гуртов В. А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие // В. А. Гуртов; ПетрГУ. Петрозаводск, 2004. - 312 с.
    6. Городецкий Л. Ф. Полупроводниковые приборы // Л. Ф. Городецкий,А. Ф. Кравченко, М.: Высшая школа, 1967, - 348 с.
    7. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники М.: Сов. радио, 1971 г. - 376 с.
    8. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1987г. - 326 с.
    9. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1983г. - 384 с.
    10. Жеребцов И.П. Основы электроники. - Энергоатомиздат, Ленинградское отд-ние, 1989г. - 352 с.
    11. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 368 с.
    12. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под ред. Н. Н. Горюнова - М.: Энергоатомиздат, 1985г. - 204 с.
    13. Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987г. - 479 c.
    14. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Сов. радио, 1980г. - 424 с.
    15. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. - М.: Энергоатомиздат, 1990г. - 376 с.
    16. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., “Советское радио”, 1970г. - 392 с.
    17. Электроника: Энциклопедический словарь.//Гл. ред. В. Г. Колесников. М.: Советская энциклопедия, 1991. - 688 с.
  • 8123. Расчет и проектирование светодиода
    Курсовой проект пополнение в коллекции 14.12.2009

     

    1. В. И. Иванов, А. И. Аксенов, А. М. Юшин “Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. / Справочник.”- М.: Энергоатомиздат, 1984 г..
    2. Коган Л.М. Дохман С.А. Технико-экономические вопросы применения светодиодов в качестве индикации и подсветки в системе отображения информации. Светотехника, 1990 289с.
    3. Коган Л.М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды, М.1989г. 415 с.
    4. Воробьев В.Л., Гришин В.Н. Двухпереходные GaP-светодиоды с управляемым цветом свечения. Электронная техника. 1977 г. 368 с.
    5. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов.М.: Советское радио 1969г. 294 с.
    6. Амосов В.И. Изергин А.П. Диодные источники красного излучения на GaP, полученном методом Чахральского. 1972г. 183 с.
    7. Нососв Ю.Р. Оптоэлектроника. Физические основы, приборы и устройства. М. 1978г. 265 с.
    8. Мадьяри Б. Элементы оптоэлектроники и фотоэлектрической автоматики. М. 1979г. 315 с.
    9. Ефимов И.Е., Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, функциональная электроника. М.: Высшая школа, 1987. 416 с.
    10. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1983. 384 с.
    11. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Сов. радио, 1980. 424 с.
    12. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под ред. Н. Н. Горюнова М.: Энергоатомиздат, 1985г. 904 с.
    13. Ю П. Основы физики полупроводников /П. Ю, М. Кардона. Пер. с англ. И.И. Решиной. Под ред. Б.П. Захарчени. 3-е изд. М.: Физматлит, 2002. 560 с.
    14. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., “Советское радио”, 1970. 392 с.
    15. Тейлор П. Расчет и проектирвание тиристоров: Пер с англ. М.: Энергоатомиздат, 1990. 208с.
    16. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники: Учебник. 4-е изд., К.: Вища школа,1983 г . 384 с.
  • 8124. Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод
    Курсовой проект пополнение в коллекции 26.10.2009

    1-й элементИсходный материал2-й элементПодкласс прибора3-й элементГруппа внутри подклассаГ или 1ГерманийДВыпрямительные диоды101-399Диоды выпрямительные малой мощности (Iпр.ср.<0,3A)К или 2Кремний201-299Диоды выпрямительные средней мощности (0,3А или 3Арсенид галлия или другие соединения галлия301-399Импульсные401-499Диоды импульсные с временем восстановления (tвос.обр.>150 нс)501-599Диоды импульсные с временем восстановления 30 нс601-699Диоды импульсные с временем восстановления 5 нс701-799Диоды импульсные с временем восстановления 1 нс801-899Диоды импульсные с временем восстановления <1 нсЦВыпрямительные столбы и блоки101-199Выпрямительные столбы малой мощности (Iпр.ср.<0,3A)201-299Выпрямительные столбы средней мощности (0,3301-399Выпрямительные блоки малой мощности (Iпр.ср.<0,3A)401-499Выпрямительные блоки средней мощности (0,3АСверхвысокочастотные диоды101-199Смесительные201-299Детекторные301-399Модуляторные401-499Параметрические501-599Регулирующие601-699Умножительные701-799ГенераторныеBВарикапы101-199Подстроечные201-299УмножительныеИДиоды туннельные и обращенные101-199Усилительные201-299Генераторные301-399Переключающие401-499ОбращенныеССтабилитроны и стабисторы201-299Стабилитроны малой мощности (до 0,3 Вт) от 10 до 99 В301-399Стабилитроны малой мощности (до 0,3 Вт) от 100 до 199 В401-499Стабилитроны средней мощности (от 0,3 до 15 Вт) от 0,1 до 9,9 В501-599Стабилитроны средней мощности (от 0,3 до 15 Вт) 10 от до 99 В601-699Стабилитроны средней мощности (от 0,3 до 15 Вт) от 100 до 199 В701-799Стабилитроны большой мощности (от 5 до 25 Вт) от 0,1 до 9,9 В801-899Стабилитроны большой мощности (от 5 до 25 Вт) от 10 до 99В901-999Стабилитроны большой мощности (от 5 до 25 Вт) от 100 до 199ВЛИзлучатели101-199Инфракрасного излучения201-299Видимого излучения с яркостью менее 500 кд/м2301-399Видимого излучения с яркостью более 500 кд/м2НДинисторы101-199Динисторы малой мощности со средним током в открытом состоянии менее 0,3 А201-299Динисторы средней мощности со средним током в открытом состоянии от 0,3 до 10 АУТиристоры101-199Тиристоры малой мощности со средним током в открытом состоянии менее 0,3 А201-299Тиристоры средней мощности со средним током в открытом состоянии от 0,3 до 10 А301-399Запираемые тиристоры малой мощности с запираемым током менее 0,З А401-499Запираемые тиристоры средней мощности с запираемым током от 0,3 до 10 А501-599Симисторы малой .мощности с действующим током до 0,3 А601-699Симисторы средней мощности с действующим током от 0,3 до 10 А

  • 8125. Расчёт импульсного усилителя
    Курсовой проект пополнение в коллекции 22.11.2009

    Данный метод заключается в построении на графике выходной характеристики транзистора рабочей прямой. Рабочая прямая проходит через точки Uкэ=Eк и Iк=Eк÷Rн и пересекает графики выходных характеристик (токи базы). Для достижения наибольшей амплитуды при расчёте импульсного усилителя рабочая точка была выбрана ближе к наименьшему напряжению т.к у оконечного каскада импульс будет отрицательный. По графику выходных характеристик (рис.1) были найдены значения IКпост=4,5 мА, UКЭпост=0,5 В, а также IБпост. =0,1мА.

  • 8126. Расчет информационных характеристик дискретного канала
    Методическое пособие пополнение в коллекции 06.05.2011

    p(b1) = 0,9*0,25 + 0,35*0,1 + 0 + 0 = 0,225 + 0,035 = 0,26(b2) = 0,05*0,25 + 0,84*0,35 + 0,01*0,15 +0 = 0,0125+0,294+0,0015 =0,35(b3) = 0,03*0,25 + 0,06*0,35 + 0,98*0,15+0,01*0,25 = 0,0075+0,021+ 0,147+0,0025 = 0,178(b4) = 0,02*0,25 + 0 + 0,01*0,15 + 0,99*0,25 = 0,005 + 0+0,0015+ 0,2475=0,254(B) = -(0,26*(-1,94) + 0,35*(-1,7) + 0,178*(-2,49) + 0,254*(-1,97)) = -

  • 8127. Расчет информационных характеристик источников сообщений, сигналов и каналов
    Курсовой проект пополнение в коллекции 13.11.2009

    Информация наряду с материей и энергией является первичным понятием нашего мира и поэтому в строгом смысле не может быть определена, при этом в узком практическом смысле под информацией обычно понимают совокупность сведений об окружающем мире, являющуюся объектом хранения, передачи и преобразования. Информация передаётся и хранится в виде сообщений, а изменяющийся во времени физический процесс, отражающий передаваемое сообщение называется сигналом. А система связи, являющаяся совокупностью технических средств, используемых для передачи сообщений от источника к потребителю информации.

  • 8128. Расчет кабеля Р-4
    Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

    Вывод по работе

    1. Рассчитали первичные и вторичные параметры легкого полевого кабеля П-4. Полученные результаты соответствуют теоретическим. Данный полевой кабель можно эксплуатировать в указанных условиях
    2. При расчете первичных и вторичных параметров кабеля наглядно убедились в зависимости электрических параметров от конструкции кабеля. По этому при проектировании кабелей связи необходимо соблюдать определенные соотношения между параметрами кабеля и его размерами.
    3. При расчете первичных и вторичных параметров кабеля убедились в зависимости электрических параметров от частоты и эксплуатационной температуры. По этому при проектировании кабельных линий связи необходимо учитывать влияние температуры и рабочей частоты на параметры кабеля.
  • 8129. Расчет каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе
    Курсовой проект пополнение в коллекции 18.09.2012

    Наименов. ПараметраЕд. изм.Наименование транзистора (n-p-n)2SC18152SC20012SC21202SC26652N17112N2222А2N2923Uкб maxВ60303550756025Uкэ maxВ50253050503025Iк maxА0,150,70,820,50,80,1Pк maxВт0,40,60,60,90,80,50,36fТМГц805012010070250100?-5020018013075150100?оспсек30025001300300025004801000Ск пФ325133025810Наименов. ПараметраЕд. изм.Наименование транзистора (n-p-n)2N39032N44002N41232N42642N52232N52322N5769Uкб maxВ60604030257040Uкэ maxВ40403015205015Iк maxА0,20,60,20,20,10,10,2Pк maxВт0,6250,6250,310,350,6250,330,35fТМГц25020025030015050100?-5080807020030040?оспсек400650400400400400400Ск пФ46,544444Примечание: Емкость коллекторного перехода Ск приведена для случая когда напряжение коллектор-база Uкб ном равно 10 В.

  • 8130. Расчёт каскадов радиопередатчика на биполярных транзисторах
    Курсовой проект пополнение в коллекции 10.06.2012

    Низкие питающие напряжения резко упрощают систему защиты обслуживающего персонала. Возможность работы всех каскадов передатчика от одного или небольшого числа источников постоянного тока заметно упрощает его устройство. Кроме того, низкие питающие напряжения при относительно большой мощности определяют малые нагрузочные сопротивления (десятки, единицы и даже доли Ома). По этой причине вредное действие паразитных емкостей, шунтирующих нагрузку, существенно меньше, чем в лампах, что позволяет в широком диапазоне частот (до 100... 1000 МГц) использовать нерезонансные схемы с резистивной (апериодической) нагрузкой, исключить в каскадах перестраиваемые контура, что улучшает надежность и конструктивные характеристики передатчика в целом и упрощает его настройку. Кроме того, апериодическая (резистивная) нагрузка позволяет строить генераторы, в которых транзисторы работают в режимах с негармоническими формами напряжений. Среди этих режимов особенно интересен ключевой режим, который отличается повышенным КПД, малой рассеиваемой мощностью, меньшей критичностью к амплитуде входного сигнала и к усилительным свойствам транзистора и отсюда более высокой надежностью. Вместе с тем малые входные и выходные сопротивления затрудняют согласование транзисторов с другими элементами передатчика и друг с другом. Большие токи, неизбежные при больших мощностях и малых напряжениях, приводят к дополнительным трудностям при конструировании источников питания для транзисторных передатчиков. В маломощных (Р< 10... 100 Вт) передатчиках полная замена ламп транзисторами приводит к уменьшению габаритов и массы (тем более заметному, чем меньше его мощность). В мощных передатчиках габариты и масса определяются не только активными приборами, но и в значительной степени деталями цепей согласования, колебательных систем и радиаторами охлаждения. Кроме того, из-за низких допустимых температур транзисторов системы их охлаждения оказываются более массивными и имеют большие габариты, поэтому здесь применение транзисторов может не приводить к существенному выигрышу в массе и габаритах передатчика в целом.

  • 8131. Расчет каскадов ЧМ передатчика
    Курсовой проект пополнение в коллекции 12.01.2010

    Составление блок-схемы передатчика начинается с выходного каскада начинается с выходного каскада. Данные, определяющие его мощность, содержатся в задании. Также задается колебательная мощность в антенне в режиме несущей частоты. В данном передатчике необходимо применить умножитель частоты, в качестве которого может работать предоконечный или дополнительный предварительный каскад, включаемый между возбудителем и предоконечным каскадом. Вид блок-схемы передатчика с частотной модуляцией представлен на рисунке:

  • 8132. Расчет количественных характеристик надежности
    Контрольная работа пополнение в коллекции 03.02.2011

     

    1. Голинкевич Т.А. Прикладная теория надежности. Учебник для вузов. - М.: Высшая школа, 1985.
    2. Боэм Б., Браун Дж., Каспар Х. И др. Характеристики качества программного обеспечения/Пер. с англ. Е. К. Масловского.- М.: Мир, 1981 208 с., ил.
    3. Надежность и эффективность АСУ. Заренин Ю. Г., Збырко М. Д., Креденцер Б. П., Свистельник А. А., Яценко В. П. “Техника”, 1975, 368 стр.
  • 8133. Расчет КТЧ
    Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

    Задание на домашнюю контрольную работу «Анализ электрических параметров каналов ТЧ»

    1. Цель работы: Научится обрабатывать результаты измерений, рассчитывать нормы на заданные электрические параметры в зависимости от структуры и протяженности канала и оценивать качество канала ТЧ.
    2. Содержание работы: При выполнении домашней контрольной работы курсант должен обрабатывать следующие вопросы:
    3. Вычертить структурную схему составного канала, на которой показать качество и виды транзитов, протяженность составного канала.
    4. Обрабатывать результаты измерений электрических параметров каналов, т.е. привести их к виду, удобному для сравнения с нормой на этот параметр. По каждому параметру нарисовать схему измерения, указать тип прибора, пояснить порядок измерения.
    5. Рассчитать нормы МСЭ-Т (МККТТ) и ВСС (ЕАСС) на измеряемые электрические параметры в соответствии с заданной структурой и протяженностью каналов.
    6. Оценить качество составного канала. Указать для организации какого вида каналов электросвязи пригоден данный канал.
    7. Подробно указать какие регулировки необходимо выполнить два приведения к норме электрических параметров каналов.
    8. Решения выполнять в виде расчетов, таблиц и графиков для нормированных и измеренных величин электрических параметров.
  • 8134. Расчет линейной ARC цепей
    Контрольная работа пополнение в коллекции 18.08.2010

    Электрические фильтры, то есть устройства, пропускающие электрические колебания одних частот и задерживающие колебания других, широко применяются в современной промышленной электронике. Область частот пропускаемых колебаний, для которых модуль передаточной функции с заданной точностью равен некоторому определенному значению, называется полосой пропускания фильтра. Граничные частоты полосы пропускания принято называть частотами среза. Область частот задерживаемых колебаний, для которых модуль передаточной функции не превосходит некоторого установленного уровня, называется полосой задерживания. В связи с тем, что идеального разделения полос пропускания и задерживания добиться невозможно, говорят об области спада амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) фильтра. В зависимости от взаимного расположения полос пропускания и задерживания (рис.2) различают фильтры нижних частот (ФНЧ), фильтры верхних частот (ФВЧ), полосовые фильтры (ПФ), режекторные (заграждающие) фильтры (РФ).

  • 8135. Расчет линейной электрической цепи при гармоническом воздействии
    Курсовой проект пополнение в коллекции 06.05.2012

    Для этих контуров составим систему уравнений по второму закону Кирхгофа с учетом совместного влияния одного контура на другой. Направления обхода во всех контурах необходимо выбрать одинаковыми (по часовой стрелке). Знак падения напряжения в основном контуре от токов соседних контуров выбирается плюс, если их направление совпадает с основным контурным током, и минус в случае несовпадения.

  • 8136. Расчет линии связи для системы телевидения
    Курсовой проект пополнение в коллекции 02.02.2010

    Квадратурная фазовая манипуляция (QPSK или 4-PSK) представляет собой дальнейшее развитие метода PSK, в котором для заданной частоты несущей скорость передачи данных эффективно удваивается без увеличения скорости передачи сигнала. Недостатком данного метода является падение отношения S/N при демодуляции. При QPSK каждая позиция сигнала кодируется дибитом. Обычно используются четыре позиции (положения) сдвига фазы на 90°: +45°, +135°, +225° и +315°. Не забудьте, что положение фазы 0° редко используют на практике, чтобы исключить длинные периоды немодулированной несущей. Переход от двухпозиционной системы передачи сигнала к четырехпозиционной означает, что скорость передачи данных, измеряемая в битах в секунду, больше, чем скорость передачи сигнала в бодах. Фазовые соотношения в системе QPSK, где четыре дибита кодируются четырьмя значениями сдвига фазы, приведены в табл. 2.2. Основной принцип возможной реализации QPSK-модуляции сигнала показан на рис. 2.6. Две несущие одной и той же частоты, сдвиг фаз между которыми составляет 90°, поступают на пару умножителей. На каждый умножитель с одинаковой скоростью подаются цифровые входные сигналы +1 (сигнал двоичного 0) или -1 (сигнал двоичной 1), использующие, как и в предыдущих примерах, отрицательную логику. Выходные сигналы умножителей представляют собой такой же кодированный сигнал, как и в описанном ранее простом случае. То есть двоичная единица представлена сдвигом фазы на 180°, а двоичный нуль сдвигом фазы на 0°. Основное отличие от обычной PSK состоит в том, каким образом эти выходные сигналы комбинируются сумматором. Сумматор создает окончательный выходной сигнал, соответствующий четырем возможным комбинациям сигнала сообщения, как это показано в табл. 2.2. Фазовая диаграмма (см. рис. 2.7.) представляет в фазовой форме положения табл. 2.3. и четко демонстрирует, как четыре значения сдвига фазы, или кодовых вектора, на +45°, +135°, +225° и +315° представляют дибит, получаемый от сложения двух выходных модулированных сигналов.

  • 8137. Расчет логопериодической антенны
    Дипломная работа пополнение в коллекции 27.10.2011

    Параметр ? определяет частотную периодичность характеристик логопериодической антенны. Каждый вибратор имеет свою резонансную частоту. На самой низкой частоте рабочего диапазона f1=fмин резонирует вибратор 1 с длиной плеча l1, на следующей, более высокой частоте f2 резонирует вибратор 2 с длиной плеча l2=?l1 и т.д., причем f1=?f2 (?<1). Резонансные частоты любых двух элементов (вибраторов) логопериодической антенны связаны соотношением:

  • 8138. Расчёт малогабаритного конденсатора
    Курсовой проект пополнение в коллекции 05.09.2010

    Термином радиоэлектронная аппаратура (РЭС) называют устройство или совокупность устройств, в которых используются полупроводниковые, электронные, газоразрядные и им аналогичные приборы. Наибольшее применение в РЭС находят резисторы, конденсаторы, моточные изделия. Их называют элементами (радиокомпонентами) общего применения. Можно указать, что на один усилительный прибор ( например, транзистор) в среднем приходится от 4 до 25 резисторов, от 2 до 15 конденсаторов. Поэтому мировое производство резисторов и конденсаторов составляет миллиарды штук в год. В меньшей мере применяются конструктивно более сложные изделия - различные колебательные контуры и фильтры, называемые специальными элементами. Элементы общего применения являются изделиями массового производства, Поэтому они подверглись достаточно широкой нормализации и стандартизации. Стандартами и нормами установлены технико-экономические и качественные Показатели, параметры и размеры. Такие элементы называют типовыми. Выбор типовых элементов производится по параметрам и характеристикам, Которые описывают их свойства как при нормальных условиях, так и при различных Воздействиях (климатических, механических и др.). Конденсаторы переменной емкости (с механическим управлением) состоят из двух систем параллельных пластин, одна из которых может пластин, одна из которых может плавно перемещаться и ее пластины при этом заходят в зазоры между пластинами второй системы: это изменяет активную площадь, а следовательно и емкость конденсатора.

  • 8139. Расчет межстанционной сети связи районированной ГТС с УВС
    Дипломная работа пополнение в коллекции 20.05.2011
  • 8140. Расчет механизма подъема
    Курсовой проект пополнение в коллекции 03.06.2010

    данных1.ГрузоподъемностьQQreal2.к.п.д. блока с учетом жесткости канатаkpdbreal3.Количество направляющих блоковnбnbreal4.Полиспастaareal5.Кратностьuureal6.к.п.д. полиспаста подвижного блокаkpdpreal7.к.п.д. полиспаста неподвижного блокаkpdnreal8.Максимальное натяжение в канате набегающем на барабанSmax1smax1real9.Максимальное натяжение в канате, сбегание канатаSmax2smax2real10.Разрывное усилиеSpspreal11.Коэффициент запаса прочности канатаnknkreal12.Диаметр блокаDблdbreal13.Диаметр канатаdkdkreal14.Коэффициент, зависящий от режима работыeereal15.Диаметр блока и барабана по дну канавкиDdreal16.Диаметр уравнительного блокаDydureal