Физика

1561. Полупроводниковые микросхемы. Векторная диаграмма электрической цепи. Однополупериодный выпрямитель
Контрольная работа пополнение в коллекции 05.02.2011

Этот переход может выполнять роль вентиля (диода). Структуры из нескольких р-n-переходов служат транзисторами, тиристорами и другими активными элементами. Запертый обратным постоянным напряжением p-n-переход выполняет роль конденсатора. Обратное сопротивление p-n-перехода играет роль высокоомного резистора. Для получения резисторов с сопротивлением в сотни кило-ом используют входные клеммы эмиттерных повторителей, собранных на р-n-переходах. В качестве небольших сопротивлений используют просто участки полупроводникового, от которого сделаны контактные выводы.
1562. Полупроводниковые наноструктуры
Курсовой проект пополнение в коллекции 23.11.2010

Простейшая квантовая структура, в которой движение электрона ограничено в одном направлении, это тонкая пленка или просто достаточно тонкий слой полупроводника. Именно на тонких пленках полуметалла висмута и полупроводника InSb впервые наблюдались эффекты размерного квантования [2]. В настоящее время квантовые структуры изготавливают иначе. Рассмотрим структуру энергетического спектра полупроводников. Этот спектр состоит из разрешенных и запрещенных энергетических зон, которые сформированы из дискретных уровней атомов, образующих кристалл. Самая высокая энергетическая зона называется зоной проводимости. Ниже зоны проводимости расположена валентная зона, а между ними лежит запрещенная зона энергий. У одних полупроводников запрещенные зоны широкие, а у других более узкие. Что произойдет, если привести в контакт два полупроводника с различными запрещенными зонами (граница таких полупроводников называется гетероструктурой). На рис. 1 изображена граница узкозонного и широкозонного полупроводников. Для электронов, движущихся в узкозонном полупроводнике и имеющих энергию меньше , граница будет играть роль потенциального барьера. Два гетероперехода ограничивают движение электрона с двух сторон и как бы образуют потенциальную яму.
1563. Получение и использование электрической энергии
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Существует два типа реакторов корпусный и канальный. Корпусной реактор ? это реактор активная зона, которого заключена в прочный корпус. Теплоноситель в корпусном реакторе чаще всего выполняет функции замедлителя (обычная или тяжёлая вода, органические жидкости). Конструктивно корпусной реактор обычно представляют собой цилиндрический сосуд с крышкой, внутри которого размещена выемная конструкция с активной зоной. Теплоноситель поступает снизу в активную зону, которая состоит из тепловыделяющих кассет. В активной зоне перемещаются управляющие стержни, приводы которых имеют герметичный вывод в крышке или днище корпуса. Отвод нагретого теплоносителя осуществляется через патрубки в верхней части корпуса. Канальный реактор состоит из системы отдельных каналов, пространство между которыми заполнено замедлителем нейтронов. Тепловыделяющие элементы с ядерным топливом размещаются внутри каждого канала и охлаждаются индивидуальным потоком теплоносителя. Подвод и отвод теплоносителя в канале осуществляется по трубопроводам. Канальные реакторы из-за конструктивных особенностей принципиально не имеют ограничений размеров активной зоны, что при намечающейся тенденции увеличения единичных мощностей реакторов выгодно отличает их от корпусных реакторов, для которых увеличение мощности и соответственно размеров активной зоны сопряжено с трудностями в изготовлении, транспортировке и монтаже больших корпусов. Разделение теплоносителя и замедлителя в канальном реакторе обеспечивает хороший баланс нейтронов и эффективный теплосъём в активной зоне. Это достигается соответствующим подбором вещества замедлителя и теплоносителя. В канальных реакторах с помощью специальных машин возможна перегрузка топлива на ходу, т. е. без остановки и охлаждения реактора, что улучшает экономические показатели энергетической установки и обеспечивает бесперебойное снабжение потребителей электроэнергией. Наличие активной зоны, состоящей из отдельных каналов, позволяет организовать индивидуальный контроль за состоянием каждой топливной сборки и в случае повреждения произвести её немедленную замену. Однако, ввиду значительных размеров активной зоны канального реактора, её удельная нагрузка в несколько раз ниже, чем, например, в корпусных реакторах, и обычно не превышает в среднем 15 кВт на 1 л активной зоны. Наличие разветвленной сети трубопроводов, подводящих и отводящих теплоноситель к каналам реактора, усложняет его компоновку и обслуживание и увеличивает вероятность возникновения неплотностей и течей, а соответственно и аварийной ситуации.
1564. Получение сверхчистых материалов для микроэлектроники
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Основной проблемой полупроводников является их нагревание во время работы. Отмечено, что основной причиной, приводящей к деградации монокристаллов Si после нагрева, являются структурные преобразования, связанные с частичным превращением алмазоподобного Si в кремний со структурой белого олова. Причиной этих превращений, наблюдаемых при высоких давлениях, является возникновение многочисленных очагов концентрации напряжений вследствие анизотропии теплового расширения различно ориентированных микрообъемов кристалла. В этих очагах возможно достижение высоких давлений, необходимых для указанного фазового перехода. Высказано соображение, что предотвращение процесса структурных превращений, приводящих к деградации электрофизических свойств Si, возможно путем легирования его переходными либо редкоземельными металлами, повышающими энергию межатомного взаимодействия и за счет этого уменьшающими коэффициент термического расширения. Выбор легирующих добавок обоснован расчетами энергии связи и зарядовой плотности на основе системы неполяризованных ионных радиусов.
1565. Поля и Волны
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009
Волновой процесс имеет следующие характерные признаки:
1. Волновой процесс всегда переносит энергию и импульсы. Нас интересуют волновые процессы ЭМВ.
2. Конечная скорость всех волновых процессов. В случае ЭМВ - это скорость света.
3. Независимость волновых процессов друг от друга. В этой комнате существуют поля самых разных частот, поля р/станций, света и т.д.
4. Волновые процессы, различные по физической природе, описываются одним и тем же математическим аппаратом.
1566. Поля и излучения
Информация пополнение в коллекции 21.02.2006

Стандарты сотовой связи разработаны на западе, там же изготавливаются собственно аппараты. Считается, что санитарные нормы у них достаточно жесткие и можно надеяться, что за нас обо всем позаботились. Это не факт, хотя бы по той причине, что старые советские нормы считали вредным облучение начиная с плотности потока мощности 10 микроватт/см2. Начиная с этого предела, ограничивалась длительность рабочего дня, назначалось молоко, доплата за вредность и т.д. После введения рыночных отношений появилось сообщение, что минимальная вредная плотность потока мощность составляет уже 100 микроватт/см2, то есть все мы стали ровно в десять раз здоровее и крепче. Хотелось бы в это верить. Правда, это говорит и о том, что вопрос о вредном воздействии СВЧ излучения изучен не так уж и хорошо. О реальной излучаемой мощности мобильного телефона информации крайне мало, но существует стандарт, согласно которому эта мощность составляет до 2 ватт (или 2 000 000 микроватт). При этом неясно это средняя мощность или импульсная (кратковременная). Скорее всего, это именно средняя мощность, а импульсная мощность значительно выше (любой производитель сотовой аппаратуры борется за дальность связи, а значит, будет увеличивать мощность до предела). На голову попадает примерно 20% излучаемой мощности, то есть около 400 000 микроватт. Для соответствия старым нормам (предполагаем, что вся эта мощность размазывается по освещённой стороне головы равномерно!) поверхность освещённой стороны головы должна быть не менее 40 000см2 (квадрат 2*2 метра). По новым нормам поверхность освещённой стороны головы должна быть не менее 4 000см2 (квадрат примерно 63*63 см). А ведь реальное облучение неравномерное, поэтому и плотность потока мощности на отдельных участках головы будет значительно выше.
1567. Поляризация в ферромагнитных гетероструктурах
Контрольная работа пополнение в коллекции 05.06.2011

В основе эксперимента лежит метод поляризации горячей фотолюминесценции (ГФЛ) во внешнем магнитном поле. При поглощении фотона с энергией превышающей ширину запрещённой зоны в полупроводнике рождается электронно-дырочная пара (см. схему переходов на рис. 3), при этом энергия поглощённого фотона распределяется примерно поровну между парой электрон-лёгкая дырка, а при рождении пары электрон-тяжёлая дырка большая часть энергии передаётся электрону, для простоты в дальнейшем мы будем рассматривать только этот канал возбуждения. Возбуждённый электрон быстро релаксирует из точки рождения (0 на рис.3) на дно зоны проводимости. В нелегированном полупроводнике это время определяется временем испускания оптического фонона и составляет ф?10-13с. В легированном полупроводнике это время может быть короче из-за дополнительного рассеяния на нейтральных примесях с их ионизацией и возбуждением. Со дна зоны проводимости электрон может рекомбинировать с дыркой в валентной зоне или с дыркой связанной на акцепторе с испусканием фотона, время жизни электрона на дне соответствует ф?10-9с. Линия в спектре, соответствующая этому процессу, называется краевой люминесценцией, переход С-Mn Рис.3. В данной работе исследуются образцы выращенные при низких температурах порядка 250°С. Вследствие чего в образцах имеется большое число дефектов, в частности двойные доноры марганца, что накладывает определённые трудности на исследование краевой люминесценции. Возбуждённый электрон имеет высокую вероятность безызлучательно рекомбинировать на дефекте (переходы «0-D» Рис.3), сравнимую с вероятностью релаксации на дно зоны. В результате после каждого акта релаксации к дну зоны проводимости часть электронов будет безызлучательно рекомбинировать. Очевидно, что чем выше энергия возбуждения тем меньше электронов будет доходить до дна зоны и тем меньше будет сигнал краевой люминесценции. Поскольку время безызлучательной рекомбинации электронов в GaMnAs ~10-13c, то краевая люминесценция существенно подавлена (в 106 раз) по сравнению с обычным p-GaAs. С другой стороны, часть возбуждённых электронов в точке рождения «0» Рис.3 будет рекомбинировать на акцепторный уровень марганца с испусканием фотона, переход «0-Mn» Рис.3.
1568. Поляризация материи и пространства-времени
Контрольная работа пополнение в коллекции 26.11.2009

В Мироздании поляризация вакуума это единственный механизм образования материи и информации и их пространственно-временных многообразий, которые нам предстоит изучить. Уравнение Мироздания не требует локальности поляризационных процессов, например, поляризующиеся одновременно частицы могут рождаться на расстоянии друг от друга. Поэтому помимо локальных взаимодействий, на которых основана КТП, возможны и нелокальные. С последними мы сталкиваемся, например, в квантовой механике, в некоторых ее парадоксах, что указывает на связь квантовой механики с поляризационными процессами. Нелокальное взаимодействие предстает как сверхсветовой процесс в 4-пространстве Минковского, где локализованы родившиеся частицы и нет поляризации массы. Поляризация ПВ может происходить без изменения времени I. В этом случае кажущаяся скорость взаимодействия в М4, например, разлета образовавшейся пары частиц, оказывается бесконечной. Сверхсветовой характер подобных процессов обнаружен в опытах по квантовой телепортации. Сверхсветовое движение масс наблюдается и у некоторых космических объектов. V квазаров зафиксировано относительное движение компонент со скоростью до 40с. Релятивистский мир современной физики это лишь часть Мироздания. Другая его часть мир поляризационных явлений. В нем релятивистски невзаимодействующие области оказываются связанными в единое целое, и существует свое поляризационное время ф. Наша поляризующаяся Вселенная включает обе части. Поэтому ее описание посредством ОТО, не содержащей поляризации вакуума, не полно.
1569. Поляризация света
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Âûðàæåíèÿ (23) óêàçûâàþò ïðîñòîå ãåîìåòðè÷åñêîå ïðåäñòàâëåíèå ðàçëè÷íûõ ñîñòîÿíèé ïîëÿðèçàöèè: è ìîæíî ðàññìàòðèâàòü êàê äåêàðòîâû êîîðäèíàòû òî÷êè P íà ñôåðå ðàäèóñà , ïðè÷åì è ÿâëÿþòñÿ ñôåðè÷åñêèìè óãëîâûìè êîîðäèíàòàìè ýòîé òî÷êè. Ò.î. , êàæäîìó âîçìîæíîìó ñîñòîÿíèþ ïîëÿðèçàöèè ïëîñêîé ìîíîõðîìàòè÷åñêîé âîëíû çàäàííîé èíòåíñèâíîñòè ( = const) ñîîòâåòñòâóåò îäíà òî÷êà íà ñôåðå è íàîáîðîò. Ò.ê. óãîë ïîëîæèòåëåí èëè îòðèöàòåëåí â çàâèñèìîñòè îò òîãî, èìååì ëè ìû äåëî ñ ïðàâîé èëè ñ ëåâîé ïîëÿðèçàöèåé, òî èç (23) ñëåäóåò, ÷òî ïðàâàÿ ïîëÿðèçàöèÿ ïðåäñòàâëÿåòñÿ òî÷êàìè íà , ëåæàùèìè âûøå ýêâàòîðèàëüíîé ïëîñêîñòè (ïëîñêîñòè xy ), à ëåâàÿ - òî÷êàìè íà , ëåæàùèìè íèæå ýòîé ïëîñêîñòè. Äàëåå, äëÿ ëèíåéíî ïîëÿðèçîâàííîãî ñâåòà ðàçíîñòü ôàç ðàâíà íóëþ èëè öåëîìó êðàòíîìó ; ñîãëàñíî (21) ïàðàìåòð Ñòîêñà ðàâåí òîãäà íóëþ , òàê ÷òî ëèíåéíàÿ ïîëÿðèçàöèÿ ïðåäñòàâëÿåòñÿ òî÷êàìè íà ýêâàòîðèàëüíîé ïëîñêîñòè. Äëÿ êðóãîâîé ïîëÿðèçàöèè è èëè â ñîîòâåòñòâèè ñ òåì, èìååì ëè ìû äåëî ñ ïðàâîé èëè ëåâîé ïîëÿðèçàöèåé. Ñëåäîâàòåëüíî, ïðàâàÿ êðóãîâàÿ ïîëÿðèçàöèÿ ïðåäñòàâëÿåòñÿ ñåâåðíûì ïîëþñîì (), à ëåâàÿ - þæíûì ïîëþñîì (). Òàêîå ãåîìåòðè÷åñêîå ïðåäñòàâëåíèå ðàçëè÷íûõ ñîñòîÿíèé ïîëÿðèçàöèè òî÷êàìè íà ñôåðå áûëî ïðåäëîæåíî Ïóàíêàðå. Îíî ÷ðåçâû÷àéíî ïîëåçíî â êðèñòàëëîîïòèêå äëÿ îïðåäåëåíèÿ âëèÿíèÿ êðèñòàëëè÷åñêèõ ñðåä íà ñîñòîÿíèå ïîëÿðèçàöèè ïðîõîäÿùåãî ÷åðåç íèõ ñâåòà. Ñôåðà íàçûâàåòñÿ ñôåðîé Ïóàíêàðå .
1570. Поляриметрические методы анализа
Дипломная работа пополнение в коллекции 09.12.2008

2. Âñòàâüòå â ãíåçäî ïîëÿðèìåòðà êþâåòó ñ èçâåñòíîé êîíöåíòðàöèåé ðàñòâîðà. Ïëàâíî ïîâîðà÷èâàÿ êþâåòó âîêðóã åå îñè, äîáåéòåñü ìàêñèìàëüíîãî îòêëîíåíèÿ ñòðåëêè ïðèáîðà. Íàëè÷èå êþâåòû ñ ðàñòâîðîì íà ïóòè èçëó÷åíèÿ èñòî÷íèêà ñâåòà ïðèâîäèò ê ïîâîðîòó ïëîñêîñòè ïîëÿðèçàöèè ñâåòîâîãî ëó÷à, ïîýòîìó òåïåðü, ïðè îðèåíòàöèè àíàëèçàòîðà ïîä óãëîì j=j0, èíòåíñèâíîñòü ïðîøåäøåãî ÷åðåç àíàëèçàòîð ñâåòîâîãî ïó÷êà áóäåò ìåíüøå ìàêñèìàëüíîé. Ìåäëåííî ïîâîðà÷èâàÿ àíàëèçàòîð, íàéäèòå òàêóþ åãî îðèåíòàöèþ, ïðè êîòîðîé èíòåíñèâíîñòü ñâåòà áóäåò ìàêñèìàëüíîé. Çàôèêñèðóéòå çíà÷åíèå êîíöåíòðàöèè Ñ è ñîîòâåòñòâóþùèå çíà÷åíèÿ j=j1. Ðàññ÷èòàéòå âåëè÷èíó óãëà ïîâîðîòà Dj ïëîñêîñòè ïîëÿðèçàöèè ñâåòà â ðåçóëüòàòå åãî ïðîõîæäåíèÿ ÷åðåç ðàñòâîð:
1571. Помножувач частоти великої кратності міліметрового діапазону з малими втратами
Информация пополнение в коллекции 12.01.2009

У даному розділі проведені теоретичні дослідження роботи помножувача частоти високої кратності міліметрового діапазону. Електрична принципова схема помножувача частоти на ЛПД подана на мал.2.3. зворотна напруга діода задається постійною напругою V0; на постійну напругу накладається змінний сигнал V1sin(ВХt) , у результаті на невеличкій частині періоду НЧ-сигналу напруга, прикладена до діода, перевищує пробивну й утвориться лавина, що призводить до появи імпульсу струму через діод, що містить множину гармонік. Для одержання більш гострого імпульсу на змінну напругу накладається напруга другої гармоніки, відповідно зфазована. Потужність другої гармоніки можна одержати шляхом відбитття на кристал помноженого в два рази змінного сигналу. На схемі потужність другої гармоніки подана джерелом змінного сигналу V2sin(2ВХt+). Коливальний контур низької частоти визначає посилення вхідного сигналу: тому що добротність вихідного контуру мала, то в ньому присутнє не тільки nВх , але і (n+1)Вх і (n-1)Вх: і внаслідок сильної нелінійності процесу з'являється негативна параметрична провідність на різницевій частоті Вх. У вихідному ланцюзі вводитися коливальний контур, настроєний на частоту вдвічі нижче вихідний. Спочатку з'являється відємна провідність на цій субгармоніці, а потім, внаслідок нелінійних властивостей, і на вихідній частоті, завдяки чому відбувається підсилення вихідного сигналу.
1572. Понизительная подстанция
Курсовой проект пополнение в коллекции 26.08.2012
1573. Понизительная подстанция 220/6 кВ
Курсовой проект пополнение в коллекции 10.07.2012
1574. Понятие и виды теплопередачи
Контрольная работа пополнение в коллекции 21.01.2012

Объемная влажность - отношение объема влаги, содержащейся в образце материала, к объему образца в сухом состоянии: ?o=Vвлаги\Vсух мат•*100%. При одном и том же объемном содержании влаги в образце выражение весовой влажности будет различным в зависимости от объемного веса материала. Чем ниже объемный вес, тем больше весовая влажность. Объемная влажность дает более ясное представление о содержании влаги в материале, чем весовая влажность. Но определять последнюю значительно проще, поэтому её использование более распространено. Связать w и wо материала можно соотношением ?o=??\?воды, где ? - объемный вес материала, а ?воды =1000 кг/м3. Влажность, которую будет иметь материал в правильно спроектированном и нормально эксплуатируемом здании (в частности достаточно просушенном после окончания строительства) в нормальной климатической зоне, называется нормальной влажностью.
1575. Понятие о строении вещества
Информация пополнение в коллекции 09.12.2010

Еще в глубокой древности, 2500 лет назад, некоторые ученые высказывали предположение о строении вещества. Греческий ученый Демокрит (460-370 до н. э.) считал, что все вещества состоят из мельчайших частичек. В научную теорию эта идея превратилась только в ХVIII в. и получила дальнейшее развитие в XIX в. Возникновение представлений о строении вещества позволило не только объяснить многие явления, но и предсказать, как они будут протекать в тех или иных условиях. Появилась возможность влиять на прохождение явлений.
1576. Понятие сплошной среды
Информация пополнение в коллекции 09.12.2008

Вследствие Кориолиса силы движение воздуха при общей Циркуляция атмосферы является квазигеострофическим, т. е. за исключением приэкваториальных широт и пограничного слоя оно достаточно близко к геострофическому ветру, направленному по изобарам, перпендикулярно барическому градиенту. А т.к.атмосферное давление распределяется над земным шаром в общем зонально (изобары близки к широтным кругам), то и перенос воздуха имеет в общем зональный характер. В нижних 11,5 км ветер находится ещё под влиянием сил трения и существенно отличается от геострофического по скорости и направлению. Кроме того, распределение атмосферного давления над земной поверхностью, а с ним и течения Циркуляция атмосферы зональны лишь в общих чертах. В действительности Циркуляция атмосферы находится в непрерывном изменении как в связи с сезонными изменениями в распределении источников и стоков тепла на земной поверхности и в атмосфере, так и в связи с циклонической деятельностью (образованием и перемещением в атмосфере циклонов и антициклонов). Циклоническая деятельность придаёт Циркуляция атмосферы сложный и быстро меняющийся макротурбулентный характер. С высотой зональность Циркуляция атмосферы возрастает, в верхней тропосфере и стратосфере вместо вихревых возмущений преобладают волновые возмущения зонального переноса. Именно связанные с циклонической деятельностью меридиональные составляющие ветра осуществляют обмен воздуха между низкими и высокими широтами Земли. В низких широтах Земля получает больше тепла от Солнца, чем теряет его путём собственного излучения, в высоких широтах наоборот. Междуширотный обмен воздухом приводит к переносу тепла из низких широт в высокие и холода из высоких широт в низкие, чем сохраняется тепловое равновесие на всех широтах Земли.
1577. Поняття про аберації. Монохроматичні і хроматичні аберації
Контрольная работа пополнение в коллекции 13.12.2010

В області параксіальних променів утворюється ідеальне зображення. Однак практичне використання оптичних систем, обмежених параксіальною областю, дуже мале. При збільшенні площі перетину пучків променів і розширенні області простору, що зображений реальною оптичною системою, хід променів у системі і будівля пучків значно відрізняються від того, що має місце в ідеальній системі. У результаті реальні оптичні системи дають зображення, яке лише більш-менш наближаєтьсся до ідеального. У зв'язку з цим необхідний критерій оцінки, за яким можна судити про ступінь наближення реальної системи до ідеальної і який оцінюється якістю зображення. Одним з таких критеріїв є аберації погрішності зображень. Ці погрішності обумовлені відхиленнями променів від тих напрямків, по яких вони повинні були б йти в ідеальній оптичній системі. Таким чином, аберації можна розглядати як порушення гомо-центричності пучків променів або сферичності хвильових поверхонь, а також як порушення розташування точки зображення при дії реальної оптичної системи стосовно ідеальної.
1578. Порівняльна характеристика насосів
Информация пополнение в коллекции 14.12.2010
1. Башта Т.М. Гидравлика, гидромашины и гидроприводы: Учеб. для машиностроительных вузов / Т.М. Башта, С.С. Руднев, Б.Б. Некрасов и др. -М.: Машиностроение, 1982. 400 с.
2. Дытнерский Ю. И. Процессы и аппараты химической технологии: Часть I. Теоретические основы процессов химической технологии. Гидромеханические и тепловые процессы и аппараты: Учебник для вузов. М.: Химия, 1995. 416 с.
3. Дытнерский Ю. И. Процессы и аппараты химической технологии: Часть II. Массообменные процессы и аппараты: Учебник для вузов. М.: Химия, 2002. 384 с.
4. Касаткин А.Г. Основные процессы и аппараты химической технологии. - М.:Химия, 1971. 784 с.
5. Павлов К.Ф. Примеры и задачи по курсу процессов и аппаратов химической технологии: Учеб. пособие для студ. хим-технол. спец. вузов / К.Ф. Павлов, П.Г.Романков, А.А. Носков. Под. ред. П.Г. Романкова.. - Л.: Химия, 1987. 220 с.
6. Плановский А. Н., Рамм В. М., Каган С. З. Процессы и аппараты химической технологии. М.: Химия, 1968. 848 с.
7. Экология города /Под ред. Ф.В. Стольберга.- Киев.: Лібра, 2000.- 464с.
1579. Последовательное и параллельное соединение резисторов
Контрольная работа пополнение в коллекции 21.01.2010
2-ой закон Кирхгофа (контурный): В контуре электрической цепи, алгебраическая сумма падений напряжения на пассивных элементах равна алгебраической сумме э.д.с. этого контура.
1. I=U/R; I=E/(R+R0).
2. Падение напряжения будет больше на том, у которого сопротивление больше U=IR.
3. Падение напряжения будет одинаково.
4. G=1/R; GЭК=G1+G2+…Gn;
5. 1/GЭК=1/G1+1/G2+…1/Gn;
6. P=I2R; P=UI.
1580. Последовательное соединение приемников электрической энергии и проверка второго закона Кирхгофа
Контрольная работа пополнение в коллекции 09.01.2010

Параметры цепиI (mA)U B)U1 (B)U2 (B)U3 (B)Погрешность абсолютная Погрешность относительная Расчетные8,759,35752,88252,36254,11250,64256,8Измеренные8,75104,22,4252,86

Blog

Физика