Авторефераты по всем темам  >>  Авторефераты по математике

Методы и приборы лазерной и спектральной эллипсометрии с бинарной модуляцией состояния поляризации

Автореферат докторской диссертации по физико-математическим наукам

СКАЧАТЬ ОРИГИНАЛ ДОКУМЕНТА

Страницы: | 1 | 2 | 3 |

 

Глава 5.аа Исследование полупроводниковых и диэлектрических материалов и структур методом спектральной эллипсометрии с бинарной модуляцией состояния поляризации.а

5.1.Спектральная эллипсометрия многослойных гетероструктур ZnS/ZnSe {11,12}.

При исследовании слоев селенида цинка, сульфида цинка и многослойных структур ZnS/ZnSe, полученных методом химического газофазного осаждения из элементоорганических соединений на GaAs-подложках, эллипсометрические измерения проводились на универсальном автоматическом двухканальном спектроэллипсометре с БМСП на основе серийного монохроматора МДР-3 со спектральным разрешением 1 нм.

Для локальных эллипсометрических измерений использовалась приставка, изготовленная на основе двух сферических зеркал с фокусным расстоянием 50 мм, что позволило значительно уменьшить ошибки анализа слоев с большими толщинами, обусловленные их неоднородностью, и проводить картографирование поверхности образца с локальностью не хуже 0.2 ? 0.5 мм при угле падения 70. Качество гетероструктур оценивалось методами фотолюминесценции и рентгеновской дифрактометрии, а толщины определялись методами эллипсометрии и по спектрам отражения.

Из-за упругих напряжений вследствие несоответствия параметров решетки эпитаксиальных слоев и подложки и наличия дефектов в объеме пленки оптические константы тонких пленок А2B6 и соответствующих монокристаллов несколько различаются. Для определения дисперсии показателей преломления и поглощения тонких эпитаксиальных слоев ZnS и ZnSe выращены простые слои соединений А2B6. В спектрах cos? иа tg? двух структур ZnSe/GaAs с различной толщиной эпитаксиального слоя, зарегистрированных с приставкой для локальных измерений, хорошо заметно изменение характера кривых вблизи края запрещенной зоны селенида цинка. Двухслойная модель поверхностный оксидный слой/пленка ZnSe/подложка GaAs (рис. 1) удовлетворительно описывает экспериментальные результаты. Наличие особенностей вблизи энергий E0/(E0 +?0) критических точек и совпадение абсолютных величин n и k с литературными данными свидетельствуют о высоком структурном качестве слоев ZnSe. Вследствие упругих напряжений максимум спектра показателя поглощения k смещен в коротковолновую сторону по сравнению с известными данными для объемных монокристаллов селенида цинка. Отметим, что использование микроприставки в СЭ-измерениях дает возможность исследовать достаточно толстые пленки, при этом достигается хорошее совпадение как в области прозрачности ZnSe, так и в коротковолновой части спектра

Данные измерений одиночных слоев позволили нам с большей достоверностью анализировать эллипсометрические спектры многослойных структур, в том числе брэгговских зеркал на основе ZnSe/ZnS. На рис. 5.1а приведены результаты измерений и расчета в рамках 10- и 12-слойной модели для двух структур (ZnSe/ZnS)n/ZnSe/GaAs, причем толщины слоев как ZnS, так и ZnSe в многослойной структуре принимались одинаковыми во всех парах слоев. Расчет и эксперимент хорошо согласуются во всем спектральном диапазоне, величина ? не превышает 0.02Ч0.03. Спектры отражения, рассчитанные для угла падения 20 по определенным из СЭ параметрам (рис. 3), совпадают с измеренными (рис. 2, в и г).

Рис.5.1.. Эллипсометрические спектры tg? (0) и cos? (?) двух многослойных структур в сопоставлении с модельными расчетами для структур: поверхностный оксидный слой 4 нм/четыре пары слоев (46 нм ZnSe/58 нм ZnS)/63 нм ZnSe/GaAs (а и б) и поверхностный оксидный слой 5 нм/пять пар слоев (41.5 нм ZnSe/45.5 нм ZnS)/271 нм ZnSe/GaAs (в и аг).

Распределенный брэгговский рефлектор (РБР), состоящий из чередующихся четвертьволновых слоев двух материалов с различными показателями преломления, является важным компонентом поверхностно излучающих лазерных резонаторов. Согласно нашим измерениям для пары ZnS/ZnSe на ? = 480 нм ?n = 0.35 и расчет показывает, что коэффициент отражения на этой длине волны для РБР с 20 парами должен быть >99 %.

При выращивании РБР на основе ZnS/ZnSe главное внимание уделено снижению шероховатости растущей поверхности.а В результате для лучшего выращенного образца РБР с 20 парами коэффициент отражения 99 % на ? = 480 нм.

Приведены экспериментальный и расчетный спектры. Коэффициенты отражения в области максимума практически совпадают, хотя более узкая экспериментальная полоса свидетельствует о разбросе периода РБР. Следует отметить, что столь высокий коэффициент отражения на полупроводниковых РБР для синей области спектра получен впервые.

5.2. Исследование изменения оптических свойств пленок полиметилметакрилата и полистирена при ионном облучении методом СЭ {15} .

аа Мы использовали метод СЭ с бинарной модуляцией состоянияа поляризации. В универсальном автоматическом спектроэллипсометре последовательно расположены: импульсная ксеноновая ампа PX-2а -дифракционный монохроматор МДР-3 - коллимирующие зеркала - бинарный модулятор - зеркальный объектив (диаметр сфокусированного пучка до 150 мкм) - модифицированная призма Волластона - два сферических зеркала - два кремниевых фотодиода - ПК). Спектральный диапазон эллипсометра -270-1050 нм. Одновременное интегрирование на фотоприемниках существенно увеличивает отношение сигнал/шум при работе с импульсными и нестабильными источниками излучения.

Результаты наших СЭ исследований показали, что при облученииа PMMA ионами азота при дозах нижеа 1 x1015 cm2 сильная дисперсияаа n(?) иа k(?) наблюдаетсяа в спектральном диапазонеа 300-600 nm (Рис.5.2.). Величины n(?) иа k(?) возрастают с уменьшением ?. При ?>а 600 нм наблюдается слабая дисперсия n(?) иа k(?).

При дозах облучения более 1x1015 cm2 спектральное поведение n(?) иа k(?) PMMA пленока наблюдается сильное увеличение коэффициента экстинкции и пленки не могут использоваться как волноводный материал. Максимум в зависимостиа n(?) сдвигается в длинноволновую сторону, аа k возрастает на три порядка в коротковолновой части спектра. Облучениеа PMMA и PS ионами можно использовать как эффективное средство изменения оптических свойств и изготовления диэлектрических планарных волноводов

Рис.5.2. Влияние N ионной имплантации (300 KeV) на оптические свойства PMMA пленок, полученных из Tan ? и cos ?аа спектров

5.3. Спектральная эллипсометрияа скрытых графитизированных слоев в ионно-имплантированном алмазе.аа

Эллипсометрический анализ скрытых графитизированных слоев, образованных в He+имплантированном и отожженном алмазе, выполнен в {18}. Спектры эллипсометрических параметров, измеренных в области длин волн 360-1050 нм при углах падения 65, 70 и 75 градусов, согласуются в рамках трехслойной модели. С использованием дополнительных измерений оптического пропускания, атомносиловой и интерферометрической микроскопии, определены с высокой точностью n и k спектры, толщина и шероховатость графитизированных слоев.

5.4.Оптические свойства наноструктурированных пленок a-C:H:Si.

аВ {70} показана эффективность использования СЭ в комплексе с Рамановской спектроскопией, атомносиловой микроскопией и измерениями фотопроводимостиа для определения свойств пленок микрокристаллического (ic-Si:H) и аморфного (a-Si:H),а полученных методома PECVD при низких температурах и отожженных при различных температурах в диапазоне 300-600? C. Спектры действительной и мнимой частей псевдодиэлектрическойа функции, аизмеренные на СЭ в области 270-1100 нм анализируются с помощью аппроксимации эффективной среды Бруггемана ( BEMA). Удовлетворительное описание экспериментальных СЭ спектров обеспечивает введение подповерхностного слоя толщиной 30-40 нм с относительно высоким (15-20%) содержанием пустот. В соответствии с данными СЭ главным эффектом отжига пленок было уменьшение толщины и /или концентрации пустот подповерхностного слоя без заметного изменения свойств поверхностного слоя.аа

Во всем спектральном диапазоне наблюдалось полное совпадение спектров пропускания, измеренных и рассчитанных с использованием спектров n(?) и k(?).Показатель преломления по своей величине и спектральной зависимости в целом совпадал с данными для пленок a-C::H:Si, осажденных при низких содержаниях тетраметилсилана в метане [30], тогда как рост коэффициента экстинкции с уменьшением длины волны в наших пленках был выражен слабее, чем в образцах из работы [30].

В разделе5.5 диссертации показаны результаты исследования оптических свойств тонких аал-мазных пленок, осажденных с использованием прекурсора - поли (нафтилгидрокарбина) {71}.

Раздел 5.6 представляет аСЭ измерения алмазоподобных пленок на Cu {21}.

Оптические и фотоэлектрические свойстваа напыленных и отожженных PECVD пленок поликристаллического кремния {16,55} отражены в разделе 5.7.

В разделе 5.8. показана эффективность СЭа исследования SIMOX структур.

Спектроэллипсометрические исследования тонких композитных слоев GaAs-MnAs и ферромагнитных слоева InMnAs {22,23,26,27} представлены в разделе 5.9 диссертации.

аГава 6. азерная иа светодиодная эллипсометрия с бинарной модуляцией состояния поляризации в сенсорных устройствах.

Нами разработан компактный и скоростной эллипсометр (Рис.6.1.), работающий по следующей схеме: пучки двух идентичных светодиодов попеременно поступают на клин из кальцита (или призму Волластона) так, чтобы ортогонально поляризованные пучки от светодиодов совмещались в один и направлялись на образец под углом, например, 70 градусов. Отраженные пучки проходята через второй клин (или призму Волластона) и направляются на два идентичных фотодиода. Измеряются отношения интенсивностей на фотодиодах при последовательном включении светодиодов и определяются эллипсометрические параметры ? и ?. Скорость измерений ограничивается инерционностью фотоприемников и временем преобразования АЦП. Для светодиода с длиной волны излучения 620 нм получены рекордные для эллипсометрии значения для точности по воспроизводимости (precision): 2х10-5? для ? ааиа 3х10-4? для ?. Такие крайне простые и дешевые малогабаритные эллипсометры с бинарной модуляцией состояния поляризацииаа удобны для картографирования, исследования кинетики различных процессов и применений в сенсорных устройствах.

а аРис. 6.1.

На Рис.6.2 показано, кака с увеличением концентрации паров гексана толщина сенсорной пленки меняется от 435 до 525 нм. Наблюдается хорошее соответствие с рассчитанной номограммой. При этом разрешение по толщине лучше 0,01 нм.

Рис. 6.2.

В ряде работ используется одновременно в условиях in situа микромеханические кантилеверы

и эллипсометрияа в качестве сенсорных устройств[15]. Эллипсометрияа обеспечивает измерение толщины молекулярного слоя с точностью 0,1 нм и поверхностное напряжение в разрешением 5х10 -5 Н/м. В таких задачах решающее значение имеет чувствительность эллипсометра.

В заключенииа сформулированы основные результаты работы, которые состоят в следующем:

• Показаны перспективы предложенного и последовательно развиваемого автором нового направления в эллипсометрии - эллипсометрии с бинарной модуляцией состояния поляризации, которые определяются быстро растущими требованиями к техническим параметрам современных эллипсометров. Например, высокое отношение с/ш в спектральных отображающих (imaging) эллипсометраха с высоким латеральным разрешением достигается максимально возможным временем интегрирования в условиях наивысшей чувствительности. Эллипсометрия с БМ хорошо подходит, в отличие от эллипсометров с вращающимися поляризационными элементами и эллипсометров с фазовыми модуляторами, для этих целей.
• Предложены и экспериментально отработаны различные методы измерений с бинарной модуляцией состояния поляризации. Каждый из них имеет специфические преимущества.
• Разработана новая элементная база поляризационной оптики.
• Разработано и создано семейство автоматических лазерных, светодиодных и спектральных эллипсометров нового поколения, не содержащих движущихся поляризационныха элементов.
• На основе созданных спектральных эллипсометров выполнен цикл исследований оптических свойств полупроводниковых и диэлектрических материалов и структура и жидкостей. Показана информативность метода эллипсометрии с бинарной модуляцией и высокое качество развитого программного обеспечения.
• Продемонстрированы большие потенциальные возможности сенсорных устройств с использованием малогабаритных надежных светодиодных эллипсометров.а

а ааВа процессе выполнения работы в полной мере решены все поставленные задачи. Вышеперечисленные основные результаты составляют прочную основу дальнейшего успешного развития эллипсометрии с бинарной модуляцией состояния поляризации.

Отметим появление сообщений о реализации поляризационных устройств с бинарной модуляцией. В ИФП РАН (Новосибирск) в 2005г. предложен эллипсометр с коммутирующими поляризационными элементами. В период с 2005 по 2008 г. в MIT (Boston) создан дихрометр-микроскоп с использованием двух светодиодов с длиной волны 280 нм [20]. В [29] предложен метод измерения двулучепреломления с использованием двух лазеров с ортогональными поляризациями. Однако еще с 1994 г. в университете Suffolk (Boston) работает наш прецизионный эллипсометр с двумя лазерными диодами для решения более сложных задач. Для иллюстрации приведены некоторые публикации нескольких коллективов авторов из США а[23-27] со ссылками в тексте на успешное использование изготовленных нами лазерных эллипсометров с БМ. Область применений переключения ортогонально поляризованных пучков стремительно расширяется в различных областях науки и техники. Следует ожидать растущий интерес и к эллипсометрии с БМ.а На ЗАО Концерн Наноиндустрия, Москва начато серийное производство спектральных эллипсометров с бинарной модуляцией состояния поляризации (Приложение 1 в Диссертации).а

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в следующих работах:

Огрин Ю.Ф., Луцкий В.Н., Арифова М.У., Ковалев В.И., Сандомирский В.Б., Елинсон М.И. Температурная зависимость электропроводности и эффекта Холла в квантово-размерных пленках. Письма ЖЭТФ, 1967, т.53, в.4(10), с. 1218-1224.

Огрин Ю.Ф., Ковалев В.И.а Электромеханический метод фазовой модуляции излучения. Радиотехника и электроника, 1970, т.15, в.4,с. 851.

Ковалев В.И., Елинсон М.И., Габучян В.М., Шульженко М.П. Определение электрофизических параметров сильно легированных полупроводников методом псевдоугла Брюстера. Микроэлектроника,1976, т.5,а с.76-78.

Елинсон М.И., Ковалев В.И., Россуканый Н.М., Шаповалов В.И., Габучян В.М., Шульженко М.П. Автоматическая эллипсометрическаяа установка. Электронная промышленность, 1982, Вып.10-11 (116-117), с. 100-102.

Габучян В.М., Шульженко М.П., Лобзин С.Е., Ковалев В.И. Метод и устройство для измерения концентрации свободных носителей заряда. Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания, 1982, вып. 1(93)-2(94), с. 93-94.

Васильев Н.Н.,а Ковалев В.И.а Универсальный автоматический эллипсометр . Электронная промышленность,а №7, 1991,с. 29-30.

Kovalev V.I., Rukovishnikov A.I., Rossukanyi N.M., Perov P.I. New high precision and high speed automatic ellipsometer with polarization switching for in situ control in semiconductor device technologies. Physics of Semiconductor Devices ( New Delhi:Tata McGraw-Hill), 1991, pp. 244-249.

Perovа P.I., Kovalev V.I., Rukovishnikov A.I., Rossukanyi N.M. and Johnson W.H. Hydrogen-sensitive palladium film study with precise and fast ellipsometers . Int. J. Electronics.1994, v. 76, n.5, с. 797-803.

Ковалев В.И., Руковишников А.И., Перов П.И., Россуканый Н.М., Авдеева Л.А. Разработка оптических методов и аппаратуры для контроля технологии и параметров полупроводниковых структур нано - и микроэлектроники.аа Радиотехника и электроника, 1999, т.44, №11,с.1404 -1407.

Климов В.В., Ковалев В.И., Крапивин В.Ф., Мкртычан Ф.А., Руковишников А.И.а Адаптивная информационная система для экологического мониторинга водной среды. Вопросы радиоэлектроники, серия Общетехническая, 2002, в.2, с. 88-91.

Ковалев В.И., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Руковишников А.И., Хомич А.В., Якущева Г.Г., Гапоненко С.В. Спектральная эллипсометрияа многослойных гетероструктур ZnS-ZnSe. Журнал прикладной спектроскопии, 2002, т. 69, c. 258-263.

Kuznetsov P. I., Yakushcheva G.G.,а Kovalev V.I., Ermolenko M.V. Optical properties of multilayer heterostructures based on ZnSe/ZnS. In УPhysics, Chemistry, and Application of NanostructuresФ, World Scientific, 2003 p. 102-106.

Ковалев В.И., Руковишников А.И. Компактный многоканальный спектроэллипсометр. Приборы и техника эксперимента, 2003, с.164-165.

Ковалев В.И., Руковишников А.И.. Импульсный спектральный эллипсометр с бинарной модуляцией состояния поляризации. Приборы и техника эксперимента, 2003,с.162-163.

Leontyev A.V., Kovalev V.I., Khomich A.V., Komarov F.F., Grigoryev V.V., Kamishan A.S. PMMA and polystyrene films modification under ion implantation studied by spectroscopic ellipsometry. Proceedings SPIE, 2004, v.5401, p. 129-136.аа

Кhomich A.V., Kovalev V.I., Vedeneev A.S., Kazanskii A.G., Forsh P.A., He D., Wang X.Q., Mell H., Vlasov I.I., Zavedeev E.V. Optical and photoelectrical characterization of as-deposited and annealed PECVD polysilicon thin films.а Proceedings SPIE, 2004, v.5401, p. 200-207.

Komarov F.F., Leontyev A.V., Khomich A.V., Kovalev V.I. The formation of dielectric microwaveguides at the system polymer/SiO2/Si by using of ion irradiation. Vacuum, 2005, v. 78, p. 617-622.

• Khomich A.V., Kovalev V.I., Zavedeev E.V., Khmelnitskiy R.A., Gippius A.A. Spectroscopic ellipsometry study of buried graphitized layers in ion implanted diamond. Vacuum, 2005, v. 78, p. 583-587.
• Mkrtchan F.A.,.Krapivin V.F., Kovalev V.I., Klimov V.V.Rukovishnikov A.I., Nguen Si Hong, Bui Cuok Nghia. Adaptive Spectroellipsometric Technology for the Precise Real-Time Monitoring of the Water Systems. Environmental Informatics and Education, №6, 2006, рр.124-130.
• Mkrtchyan F.A.,Krapivin V. F.,Kovalev V. I.,Klimov V.V. An adaptive spectroellipsometric technology for ccological monitoringof sea water. PICES Scientific Report,2006,No.36,pp.215-218.
• Иовдальский В.А., Пелипец О.В., Зубков Н.П., Ковалев В.И. Исследование состава алмазоподобных пленок углерода, используемых в изделиях микроэлектроники. Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника, 2007,а в.а 1а (489), с.70-78.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демидов Е.С., Звонков Б.Н., КовалевВ.И.,а Кунькова З.Э.а и др. Ферромагнетизм в напыленных лазером GaMnAs слоях.аа Известия РАН, сер. Физическая, 2007, т. 71, №1, с. 37-39.

Ганьшина Е.А., Голик Л.Л., Ковалев В.И., Кунькова З.Э., Вашук М.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Сафьянов Ю.Н., Сучков А.И. Оптическая и магнитооптическая спектроскопияа тонких композитных слоёв GaAs-MnAs, Известия РАН, сер. Физическая, 2008, т.72, №2, с. 176-179.

Самарцев И.Э., Крапивин В.Ф., Ковалев В.И., Ковалев С.В., Потапов И.И.а Экономическая эффективность технологии гибких информационно - моделирующих систем в задачах мониторинга окружающей среды. Экономика природопользования, 2009, №1, с. 88-100.

Фролов В.Д., Герасименко В.А., Кононенко В.В., Пименов С.М., Хомич А.В., Ковалев В.И.,аа Кирпиленко Г.Г., Шелухин Е.Ю. Оптические свойства наноструктурированныха пленока а-С:Н:Si. Российские нанотехнологии, 2009, т.4 , № 5-6, с. 138-143.

GanТshina E.A., Golik, L.L., Kovalev V.I., KunТkova Z.E., Temiryazeva M.P., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Rubacheva A.D., Tcherbak P. N., Vinogradov A.N.,Zhigalina O.M., Resonant enhancement of the transversal Kerr effect in the InMnAs layers. J. Phys.: Condens. Matter 22, 2010, 396002 (9pp) doi:10.1088/0953-8984/22/39/396002

GanТshina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., KunТkova Z.E., Temiryazeva M.P., Danilov Yu.A.,Vikhrova O.V.,Zvonkov B.N.,On nature of resonant transversal Kerr effect in InMnAs and GaMnAs layers.Solid State Phenomena, 2011, Vols.168-169, p.35-38. Online available since 2010/Dec/30 at www.scientific.net

• Mkrtchyan F. A., Krapivin V. F., Kovalev V. I., and Klimov V. V. An adaptive spectroellipsometer for ecological monitoring," Microwave and Optical Technology Letters, 2009, Vol. 51, No. 11, pp.2792-2795.

Ковалев В.И., Елинсон М.И., Игнатов Б.Г., Перов П.И., Габучян В.М. Поляризационный интерферометр - модулятор. А.С. №771601.1980. Пр.14.7.1978.

Габучян В.М., Шульженко М. П., Лобзин С.Е., Кирсанов Н.С., Ковалев В.И. Устройствоа для бесконтактного измерения параметров планарно- эпитаксиальных структур.а А.С.№687925. 1979.

Ковалев В.И., Елинсон М.И. Способ эллипсометрических измерений.А.С. №1288558. 1985. Пр.20.04.1983.Оп. 7.02.1985.Б.И. №5.

Ковалев В.И., Елинсон М.И., Перов П.И. Эллипсометр. А.С.№1160810.- 1985. Пр. 20.04.1983.

Ковалев В.И.а Спектральный эллипсометр. А.С.№1369471. 1988.а Пр. 28.02.1986.

Ковалев В.И., Эллипсометр. А.С.№ 1695145 . 1989. Пр. 3.08.1988.

Ковалев В.И., Россуканый Н.М. Ахроматическоеа фазосдвигающее устройство. А.С.№1337860.1987.Пр.27.02.1986.

Ковалев В.И.а Эллипсометр. Патент Россииа № 1695145. Зарегистрирован 10.01.1996г.

Ковалев В.И., Елинсон М.И., Габучян В.М., Шульженко М.П. Двухлучевой эллипсометр на основе Не- Ne лазера ЛГ-126. Тезисы докладов 1 Всесоюзной конференции по эллипсометрии.а Новосибирск.1977, с.73.

Kovalev V.I., Elinson M.I., Karnaukhov V.A., Potapov V.T. Optical method investigations of structures used in the linear integral circuit production. Proceedings of the International Simposium on Reliability of microelectronic devices. Berlin. 1978. p. 62-65.

Kovalev V.I., Elinson M.I. Polarization optical device for the investigation ofа microelectronic structures. IV International Conference У Mikronika-79. Abstracts.p.112, 20-22 November 1979. Warszawa.

Ковалев В.И., Елинсон М.И., Игнатов Б.Г., Россуканый Н.М., Тужиков А.В. Эллипсометр-гониофотометр для экспрессного определения параметров материалов микроэлектроники. Тезисы докладова 1 Всесоюзной школы - семинара л Проблемы функциональной микроэлектроники Горький. 1980. С.31.

Ковалев В.И., Елинсон М.И., Габучян В.М. Исследование кремниевых структур методами эллипсометрии с поляризационной модуляцией. Тезисы докладов наа 9 Всесоюзной научно-технической конференции по микроэлектронике. Казань. 1980 , С. 28.

Ковалев В.И., Габучян В.М., Елинсон М.И., Россуканый Н.М. Эллипсометр с дискретной модуляцией состояния поляризации для экспрессных измерений в видимой и ИК области области спектра.2 Всесоюзная конференция по эллипсометрии. Новосибирск, 1981, с. 120.

Шаповалов В.И., Лискин Ю.Ф., Просвирников В.В., Ковалев В.И.,а НикитенкоН.Д., Петрова И.М. Исследование деградационных процессова в контактной области герконов.аа Всеcоюзная научно-техническая конференция л Специальные коммутационные элементы,19-21 сентября 1984 , Рязань, с.26.

Россуканый Н.М., Ковалев В.И., Елинсон М.И. ИК - эллипсометр на основе СОа и СО2 лазеров. Всесоюзная Конференция по эллипсометрии. Новосибирск. 1985. с. 96.

Ковалев В.И., Габучян В.М., Елинсон М.И. Эллипсометрия с дискретной модуляцией состояния поляризации. Всесоюзная Конференция по эллипсометрии. Новосибирск. 1985, с.87.

Ковалев В.И., Россуканый Н.М.,Руковишников А.И. Эллипсометрия с дискретной модуляцией состояния поляризации - эффективный метод исследования электронных структур. Тезисы докладов на ежегодном Совещании общества Попова,4.10.1986,с. 31.

Ковалев В.И., Елинсон М.И., Руковишников А.И. Автоматические эллипсометры для исследования материалов и структур микроэлектроники. Тезисы докладов на I Всесоюзной конференции л Физические и физико-химические основы микроэлектроники Вильнюс.1987. С. 174-176.

Скоростной автоматический эллипсометр с бинарной модуляцией состояния поляризации для картографирования и исследований in situ. Сборник достижений АН СССР. 1989, с.27.

Ковалев В.И., Руковишникова А.И. Малогабаритный автоматический эллипсометр для исследований in situ. Всесоюзная конференция л Поверхность 89 Черноголовка,4-6 июля 1989, с. 155.

Kovalev V.I., Perov P.I., Rukovishnikov A.I.,Rossukanyi N.M., Perov P.I., Johnson W.H. and Driscoll J.N. Novel polarization-optical technique and devices for fast and pricise characterization of thin films for chemical sensors, MRS Fall Meeting,а 1994. p. 43.

Ковалев В.И., Руковишников А.И., Хомич А.В. Применение спектральной эллипсометрии с бинарной модуляцией состояния для исследования ионно-имплантированных структур. Труды Международной конференции л Взаимодействие излучения са твердым телом - ВИТТ-2003, Минск, Беларусь,8-10 октября, с. 365-367.

Ковалев В.И., Леонтьев А.В., Хомич А.В. Спектральная эллипсометрия пленок ПММА и полистирола, облученных ионами азота. - ВИТТ-2003,Минск, Беларусь, 8-10 октября, с. 262-264.

Заведеев Е.В., Хмельницкий Р.А., Хомич А.В., Ковалев В.И. Островковая графитизация в алмазах, имплантированных водородом и дейтерием. Труды Международной конференции л Взаимодействие излучения са твердым телом - ВИТТ-2003, Минск, Беларусь,8-10 октября, с. 262-264.

Leontyev A.V., Kovalev V.I., Khomich A.V., Komarovа F.F. PMMA and polysterene films modification under ion implantation studiesd by spectroscopic ellipsometry. - Internationalа Conference УMicro- and Nanoelectronics -2003Ф,Москва-Звенигород, 6-10 октября ,-с. Р1-26.

Khomich A.V., Kovalev V.I., Vedeneev A.S., Kazanskii A.G., Forsh P.A., He D., Wang X.Q., Mell H.Optical and photoelectrical characterization of as-deposited and annealed PECVD polysilicon thin films.-International Conference У Micro- and Nanoelectronics -2003Ф, Москва-Звенигород, 6-10 октября, с. Р1-27.

Kovalev V.I.,Rukovishnikov A.I., Khomich A.V. Advanced capabilities of binary modulation polarization ellipsometry. - - Internationalа Conference УMicro- and Nanoelectronics -2003Ф ,Москва-Звенигород, 6-10 октября , с. 1-4.

Mkrtchan F.A., Krapivin V.F., Kovalev V.I., Klimov V.V.,Rukovishnikov A.I., Golovachev S.P. An adaptive spectroellipsometric technology for the ecological monitoring of the aquatic environment. Proceeding of 25-th ACRS, Chiang-Mai, Thailand, 2004, pp. 13-15.

Mkrtchan F.A., Krapivin V.F., Kovalev V.I., Klimov V.V. Spectroellipsometric technology for ecological monitoring of the aquatic environment. / Proceedings of the First Mediterranean Photonics Conference, 25-28 June 2008, Ischia, Napoli, Italy, pp. 333-335.

Klimov V.V., Kovalev V.I., Krapivin V.F., Mkrtchan F.A., УAn expert system to diagnose pollutant spills in the water surfaceФ, Proceedings of the 12-th Conference on Control Systems and Computer Science, Bucharest, May, 1999, pp. 277-283.

Mkrtchan F.A., Krapivin V.F., Kovalev V.I., Klimov V.V., Golovachev S.P.An Adaptive Polarization Optics Technology for Ecological Monitoring of the Aquatic Envirenment. Proceedings of the International Symposium PIERS 2006-TOKYO (Progress In Electromagnetics Research Symposium), August 2-5, 2006, Tokyo, Japan, pp. 1886-1891.

Мкртчян Ф.А., Климов В.В., Ковалев В.И. Экологический мониторинг водной среды на базе адаптивного идентификатора. Материалы седьмого международного симпозиума л Проблемы экоинформатики . Москва, 7-9 декабря, 2006, с.171-175.

Kovalev V.I., Rukovishnikov A.I., Khomich et al. Spectroscopic ellipsometry based on binary modulation polarization for thin film structure study. Proceedings of International conference УModern problems of Condensed Matter - 2007Ф, Kiev, Ukraine, 2-4 October 2007, p. 247-248.

Mkrtchan F.A., Krapivin V.F., Kovalev V.I., Klimov V.V. Spectroellipsometric adaptive identifier For ecological monitoring of the aquatic environment. Proceedings of the 22-th International Symposium on Okhotsk Sea& Sea Ice.18- 23а February 2007, Mombetsu, Hokkaido, Japan, pp.30 -32.аа

Mkrtchan F.A., Krapivin V.F., Klimov V.V., Kovalev V.I. Spectroellipsometric Adaptive Identifier for the Ecological Monitoring Water Envirenment. Book of Proceedings 11 International Symposiumа on Microwave and Optical Technology ( ISMOT 2007). Monte Porzio Catone, Italy, 17-21 December, 2007, pp. 385-388.

Крапивин В.Ф., Ковалев В.И., Климов В.В., Мкртчян Ф.А., Потапов И.И. Спектроэллипсометрическая технология для контроля качества воды. Экология производства,2005,№8, с. 38-41.

Крапивин В.Ф., Климов В.В., Мкртчян Ф.А., Ковалев В.И. Возможности СВЧ-радиометрии и спектроэллипсометрии в мониторинге водных систем. В Сборнике Фундаментальное исследованиеа океанов и морей,а 11 том, л Наука, Москва, 2006, с. 512-531.

Ковалёв В.И., Мадонов А.В., ЛазаревА.В., Руковишников А.И.,Ковалев С.В. Многоканальные спектроэллипсометры и некоторые особенности их программного обеспечения. Матер. YIII Межд. Симпозиума Проблемы экоинформатики 16-17 декабря 2008г. Москва, с.141-146.а

Ганьшина Е.А., Голик Л.Л., Ковалев В.И., Кунькова З.Э., Звонков Б.Н., Виноградова А.Н. Оптическая и магнитооптическая спектроскопия тонких ферромагнитных слоёв InMnAs, ХII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Сборник трудов, Нижний Новгород, 2008, т.2, с. 273-274.

• Ковалев В.И. Руковишников А.И. Ковалев С.В. Хомич А.А. Исследование планарных кремниевых и алмазных структур методом спектральной эллипсометрии с дискретной модуляцией состояния поляризации. Химия твердого тела: монокристаллы, наноматериалы, нанотехнологии. 9 Мееждународная научная конференция. Кисловодск, 16 октября 2009 г. Ставрополь.с. 162-164.

KovalevV.I., KhomichA.V., Ralchenko V.G., et al. Variable-angle spectroscopic ellipsometry studies of amorphous a-C:H:Si and ultrananocrystalline CVD diamondа films for MEMS. Proceedings of ICMNE-2007, p. D5.

Булычев Б.М., Генчель В.К., Звукова Т.М., Сизов А.И., Александров А.Ф.,а Коробов В.А.,а Большаков А.П., Герасименко В.А., Канзюба М.В., Седов В.С.,а Совык Д.Н., Ральченко В.Г.,а Ковалев В.И.,а Хомич Ф.В. Синтез и оптические свойства тонких алмазных пленок, осажденных с использованием прекурсора-поли (нафтилгидрокарбина). XV Международная научно-техническая конференцияФ Высокие технологии в промышленности России XXII Международный симпозиум У Тонкие пленки в электроникеФ. Сборник трудов. Москва, 2009, с.440-446.

Krapivin V.F., Mkrtchan F.A., Kovalev V.I., Klimov V.V. An adaptive system to identify the spots of pollutants on the water surface. Материалы VIII Международного симпозиума. Проблемы экоинформатики. Москва.16-17 декабря 2008. с.35-46.

Ковалев В.И., Габучян В.М., Елинсон М.И.,Гришин В.П.,Смородин И.Н.,Пантин А.Н.,Козакова Н.И. Эллипсометрия с дискретной модуляцией состояния поляризации. Сборник л Эллипсометрия в науке и технике Новосибирск, Наука.1987.с.43-49.

Ковалев В.И., Руковишников А.И., Бондаренко А.А., Васильев Н.Н., Габучян В.М.,Россуканый Н.М.,Тихомиров Н.А. Автоматические эллипсометрыаа дляаа научныхаа исследованийаа иаа технологии. Сборник Эллипсометрия в науке и технике. Новосибирск, Наука. 1990, с. 68-72.

аСписок цитируемой итературы

[1].Azzam R.M.A.,Bashara N.M.,Ellipsometry and Polarized Light,North-Holland,Amsterdam,1977.

[2]. Fujiwara H., Spectroscopic Ellipsometry: Principles and Applications, New York, Wiley, 2007.

[3].Tompkins H.G., Irene E.A. Handbook of ellipsometry, William Andrew/Springer. 2005.

[4] Potter R.F. Applied Optics, 1965, vol.4, p. 53.

[5].Запасский В.С., Феофилов П.П. Развитие поляризационной магнитооптики парамагнитных кристаллов. Успехи Физических наук, 1975, т.116, в.1, 41-78.

[6] Jasperson S. N. and Schnatterly S. E. An improved method for high reflectivity ellipsometry based on a new polarization modulation technique, Rev. Sci. Instrum., 1969,40,761Ц767.

[7] Aspnes D. E.,Studna A. A high precision scanning ellipsometer, Appl. Opt.,1975, 14, 220Ц228.

[8] Drevillon B., Perrin J., Marbot R. et al. Fast polarization modulated ellipsometer using a microprocessor system for digital Fourier analysis, Rev. Sci. Instrum.,1982, 53 ,969Ц977.

[9] Roseler A., Spectroscopic ellipsometry in the infrared, Infrared Physics, 1981, 21,349Ц355.

[10] Zangooie S., Schubert M., Thompson D. W., and Woollam J. A. Infrared response of multiple-component free-carrier plasma in heavily doped p-type GaAs, Appl. Phys. Lett., 2001,78 , 937Ц939. [11]а Arwin H., Askendahl A., Tengvall P., Thompson D.W., Woollam J.A. Infraredаа ellipsometry studies of thermal stability of protein monolayers and multilayers.-Phys. stat. sol., (c) 5, No. 5, 2008, p. 1438-1441.

[12] Hilfiker J. N., Bungay C. L., R. A. Synowicki R. A., Tiwald T. E., Herzinger C. M., Johs B., K. Pribil G. K. and Woollam J. A., Progress in spectroscopic ellipsometry: Applications from vacuum ultraviolet to infrared, J. Vac. Sci. Technol. A, 2003, 21, 1103Ц1108.

[13] Meng Y.H., Chen S., Jin G. An auto-focusing method for imaging ellipsometry system.-Phys. stat. sol., (c) 5, No. 5, 2008, p. 1046-1049.

[14]Meng Y.H., Chen Y.Y., Qi C.,et al. An automatic imaging spectroscopic ellipsometer for characterization of nano-film pattern on solid substrate. -Phys. stat. sol., (c) 5, No. 5, 2008, p. 1050-1053.

[15 ].Godin M., Laroche O., Tabard-Cossa V., Beaulieu L.Y.,Grutter P.,Williamsа P.J. Combined in situ micromechanical cantilever-based sensing and ellipsometry.Review of Sci. Instr., 2003, vol. 74,n.11, 4902-4907.

[16]Abraham M. and Tadjeddine A. The influence of plasma waves on the dispersion of surface plasmons: experimental evidence. J. Physique , 1987, 48, 267-275.

[17]а Azzam, R. M. A., Binary polarization modulator: a simple device for switching light polarization between orthogonal states.Optics Letters, Vol. 13, Issue 9, pp. 701-703 (1988) 

[18]а Azzam, R. M. A., Polarization Michelson Interferometer (POLMINT) as a Global Polarization State Generator and for Measurement of the Coherence and Spectral Properties of Quasi- Monochromatic Light, Rev. Sci. Instrum.,1993, 64, 834-838.

[19]Azzam, R.M.A., Polarization Michelson Interferometer (POLMINT): Its Use for Polarization Modulation and Temporal Pulse Shearing, Opt. Commun.,1993, 98, 19-23.

[20] Zeskind BJ, Jordan CD, Timp W., Trapani L, Waller G, Horodincu V, Ehrlich DJ, and Matusudaira P. Nucleic acid and protein mass mapping by live-cell deep-ultraviolet microscopy. Nature Methods, 2007, 4(7), 567-569.

[21] Karageorgiev P.,Orendi H.,Stiller B., Brehmer L. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1730Ц1732.

[22] Callegaro L.,Puppin E. Lasers and light-emitting diodes as sources for fixed-wavelength magneto-optical phase modulated ellipsometry. Rev. Sci. Instrum., 1995, Vol. 66, No. 11, 5375-5376.

[23] аFeresenbet E., Raghavan D., Holmes G. A. The influence of silane coupling agent composition on the surface characterization of fiber and on fiber-matrix interfacial shear strength.

The Journal of Adhesion. 2003, [24] Sidorenko A., Zhai X. W., A. Greco A., and Tsukruk V. V. Hyperbranched Polymer Layers as Multifunctional Interfaces.а Langmuir, 2002, 18, 3408-3412.

[25]. Reukov V.,Vertegel A., Burtovyy A., Kornev K, Luzinov I and Paul Miller. Fabrication of nanocoated fibers for self-diagnosis of bacterial vaginosis. [26]. Bonhomme G., LeMieux M., Weisbecker P. et al. Oxidation kinetics of an AlCuFeCr approximant compound: an ellipsometric study. Journal of Non-Crystalline Solids, 2004, [27] LeMieux M. C., Peleshanko S., Anderson D., K., and V. V. Tsukruk V. V. Adaptive Nanomechanical Response of Stratified Polymer Brush Structures. Langmuir, 2007, 23, 265-273.

[28] аalexandria.tue.nl/extra2/200213830.pdf J-Charles Cigal. [29] Mackey Jeffrey R, Salari Ezzatollah and Tin Padetha. Optical material stress measurement using two orthogonally polarized sinusoidally intensity-modulated semiconductor lasers. Meas. Sci. Technol. 2002, 13, 179Ц185.

[30]. Zhang X., Weber W.H., Vassell W.C., Potter Y.J., Tamor M.A. ааOptical study ofа silicon-con- taining amorphous hydrogenated carbon. J. Appl. Phys. 1998. V.83. P. 2820.

СКАЧАТЬ ОРИГИНАЛ ДОКУМЕНТА

Страницы: | 1 | 2 | 3 |

     Авторефераты по всем темам  >>  Авторефераты по математике