Проведенные исследования показали, что примесь кремния изменяет зонный спектр Hg3In2Te6, внося локализованные состояния акцепторного и донорного типа, квазинепрерывно распределенные по всей запрещенной зоне, на фоне которых при NSi 4.5 1017 см-3 образуется примесная зона с энергетическим положением максимума плотности состояний Ec - 0.29 эВ. При NSi > 4.5 1017 см-3 происходит полная компенсация противоположно заряженных центров, в результате чего в запрещенной зоне образуется сплошная бесструктурная полоса локализованных состояний.
Список литературы [1] О.Г. Грушка, З.М. Грушка, В.М. Фрасуняк, В.С. Герасименко. ФТП, 33, 1416 (1999).
[2] О.Г. Грушка, П.М. Горлей, А.В. Бесценный, З.М. Грушка.
ФТП, 34, 1197 (2000).
[3] G.G. Grushka, A.P. Bakhtinov, Z.M. Grushka. J. Adv. Mater., 4 (1), 36 (1997).
[4] Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями, под ред. В.И. Фистуля (М., Металлургия, 1987).
4 Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Pages: | 1 | 2 | Книги по разным темам