Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 |

включает внутрицентровой переход электронов из основного состояния акцептора в возбужденное состояние Разрушение инверсно населенного состояния путем донора (рис. 5, схема a, переход 1). На второй ста- нагрева -La2S3 сопровождается ТСЛ, что является редии осуществляется термический выброс электрона из зультатом термического выброса электрона из атомов возбужденного состояния донора в зону проводимости донора ДАП в зону проводимости и их излучательной (переход 2).

рекомбинации. Исследования спектрального распредеТермооптические процессы по мере понижения тем- ления интенсивности ТСЛ приводят к выводу о том, пературы ФзамораживаютсяФ. Возрастает скорость пере- что в роли центра рекомбинации выступают не ДАП, хода электронов, заброшенных светом на возбужденное непосредственно ответственные за возбуждение и насостояние донора, в его основное состояние (переход 3). копление светосуммы, а другой центр Ч Ec - 1.4эВ Примесная фотопроводимость -La2S3 испытывает, со- (предположительно вакансия лантана [25]). Носители гласно экспериментальным данным, температурное га- заряда, высвобождаемые из ДАП (рис. 5, схемы c, d, шение со скоростью, задаваемой энергией термоиониза- переходы 4, 5), поступают на центр Ec -1.4 эВ через разции возбужденного состояния донора Ec - 0.06 эВ. решенные зоны (рис. 5, схема e, переходы 6, 7). ОтсутСпектр ДАП, распределенных по rm и hm, носит по- ствие у ДАП рекомбинационной активности может быть объяснено двумя причинами. В области термоионизации лиэнергетический характер (рис. 5, схема b). Отсутствие соответствующей структуры на спектрах примесной фо- донора Ec - 0.2 эВ вероятность перехода электронов из топроводимости (рис. 1, кривая a) Ч свидетельство того, возбужденного состояния донора в зону проводимости что полуширина индивидуальных полос фотопроводи- больше вероятности их межпримесного перехода из мости намного больше энергетического зазора между этого состояния в основное состояние акцептора. Кроме соседними уровнями ДАП. того, термоионизация и переход донора в заряженное Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой... состояние приводит к смещению уровня акцептора к Заключение валентной зоне и уменьшению времени жизни дырок, лоИз предлагаемой модели ЭЛ Ec - 0.2 эВ следует ряд кализованных на нем. Термоионизация акцептора (рис. 5, следствий, экспериментальное исследование которых мосхема d, переход 5), облегченная межпримесным взажет дополнительно подтвердить ее справедливость. К имодействием [26], исключает также и электронные ним, в частности, следует отнести эффект разрушения переходы зона проводимости акцептор ДАП. Малые интверсно-населенного состояния ДАП инфракрасным времена жизни носителей заряда, захваченных раздельно светом. Новые исследования необходимы также для на ДАП, объясняют, почему последние не могут пеустановления природы ДАП и причины квазиэквидисреходить в возбужденное (инверсно-населенное) состотантного размещения атомов акцептора вокруг ядра яние в условиях воздействия на -La2S3 собственным дислокации.

светом.

Предлагаемая модель, согласно которой за возбуждение ТСЛ ответственны низкотемпературные внутри- Список литературы центровые электронные переходы в ДАП, не сопро[1] С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупровождающиеся генерацией свободных носителей заряда, водниках (М., Физматгиз, 1962).

естественно объясняет и природу ФскрытогоФ механизма [2] М.А. Ризаханов, Ф.С. Габибов. ФТП, 13, 1324 (1979).

возбуждения ТСЛ.

[3] М.А. Ризаханов, Ю.Н. Эмиров, Н.А. Абилова. ФТП, 14, Переход ДАП в возбужденное состояние (D0-A0)1665 (1980).

при поглощении примесных фотонов приводит к Фкон- [4] М.А. Ризаханов, Е.М. Зобов. ФТП, 14, 2407 (1980).

[5] М.А. Ризаханов. ФТП, 16, 699 (1982).

денсацииФ их A-, D-уровней в моноэнергетические строч[6] М.А. Ризаханов. Автореф. докт. дис. (Вильнюс, 1982).

ки (рис. 5, схемы b, c). В силу этого обстоятельства [7] М.А. Ризаханов, М.М. Хамидов. Письма ЖТФ, 11 (9), в исследованных ТСЛ наблюдается только одно несме(1985).

щенное по глубине ловушечное состояние Ec - 0.2эВ, [8] Е.М. Зобов, Г.Г. Гарягдыев, М.А. Ризаханов. ФТП, 21, характерное для изолированного донора.

(1987).

По мере перехода от компактных к пространствен- [9] Ф.С. Габибов, Е.М. Зобов, Г.Г. Гарягдыев, Ю.Н. Эмиров, но протяженным парам атомы донора оказываются все М.А. Ризаханов. В сб.: Фотоэлектроника (КиевЦОдесса, Вища шк., 1987) №1, с. 54.

больше и больше ФвтянутымиФ во все возрастающее [10] G. Ascarelli, S. Rodrigues. Phys. Rev., 124, 1321 (1961).

по величине потенциала электрическое поле дислока[11] М.А. Ризаханов, М.М. Хамидов. ФТП, 27, 721 (1993).

ции (рис. 4). Величина потенциального барьера для [12] K.H. Nicholas, T. Woods. Brit. J. Appl. Phys., 5, 783 (1964).

электронов, переходящих на атомы донора ДАП, при [13] A.G. Zhdan, V.B. Sandomirskij, A.D. Ozheredov. Sol. St.

этом возрастает, а их сечение St уменьшается. Так что Electron., 11, 783 (1968).

налицо эффект расширения сечения донора St в зону.

[14] В.П. Мушинский, В.П. Амброс. Изв. вузов. Физика, № 4, С ростом rm уменьшается не только величина St, ко135 (1972).

торая определяет температурное положение дочерних [15] В.М. Лупин, П.Е. Рамазанов. Изв. вузов. Физика, № 6, (1976).

полос ТСЛ. Одновременно уменьшается и энергия [16] В.Я. Кунин, А.Н. Цикин, Н.Л. Штурбина. ФТТ, 15, межпримесных электронных переходов в ДАП. Воздей(1973).

ствие на -La2S3 примесными фотонами той или ионой [17] А.Н. Георгобиани, В.И. Демин, Е.С. Логозинская. Тр. физ.

энергии приводит к избирательному возбуждению ДАП с ин-та им. Н.П. Лебедева РАН, 182, 69 (1987).

определенными значениями rm, hm и St. Это обстоятель[18] В.В. Антонов-Романовский. Изв. АН СССР. Сер. физ., 10, ство объясняет причину распада интегрального спектра 477 (1946).

ТСЛ на дочерние полосы, характер функциональных [19] G.F.T. Garlic, A.F. Gibson. Proc. Phys. Soc., A60 (342), зависимостей St = f (h) и St = f (Tm) (рис. 3) и со- (1948).

ответствие между спектральным распределением интен- [20] М.А. Ризаханов. Изв. вузов. Физика, № 1, 153 (1971).

[21] М.А. Ризаханов. Электронно-кислородные квазичастисивности примесной фотопроводимости и амплитудных цы в белках. Электронно-атомные теории первичных значений интенсивности дочерних полос ТСЛ (рис. 1, фотобиологических явлений (Махачкала, Бари, 1998).

кривые a, c).

[22] Ч.Б. Лущик. Исследование центров захвата в щелочЗнание величины сечений, ограничивающих зону St но-галоидных кристаллофосфорах (Тарту, 1955).

(рис. 3), позволяет судить об изменении высоты ма[23] С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинакробарьера при переходе от наиболее компактных ционные процессы в полупроводниковых структурах (Ульяновск, УГУ, 1997).

из всех наблюдаемых к наиболее протяженным ДАП [24] М.А. Ризаханов. ФТТ, 31, 193 (1989).

(рис. 4). Соответствующие расчеты в предположе[25] Е.М. Зобов, В.В. Соколов, А.Х. Шарапудинова, С.М. Лунии, что St = St0 exp(-/kTm), а собственное сечегуев. ФТТ, 35, 636 (1993).

ние St0, как в случае нейтральных центров, приходится [26] М.А. Ризаханов. ФТП, 9, 2002 (1975).

на интервал 10-15-10-17 см-2, приводят к разности Редактор В.В. Чалдышев = 0.21 эВ (0.02).

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 176 Е.М. Зобов, М.А. Ризаханов Effect of expansion in the area of electron capture by a trap with a discrete energy level in -La2S3 crystals E.M. Zobov, M.A. Rizakhanov H.I. Amirkhanov Institute of Physics Daghestan Scientific Centre of Russian Academy of Sciences 367003 Makhachkala, Russia Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам