Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 |

КТ имеется совокупность упорядоченно расположенных Поэтому большая длина волны излучения не обязатель- потенциальных ям для дырки (в областях между остров но соответствует большей глубине потенциальных ям ками CdTe в соседних слоях КТ). Ввиду того что глубина для обоих типов носителей. При определенных условиях этих потенциальных ям относительно невелика, разброс в низкоразмерных структурах на основе CdTe и ZnTe в положении уровней энергии для таких ям должен быть может иметь место ситуация, когда оптический переход, мал. Несколько упрощая ситуацию, можно сказать, что обусловленный пространственно непрямым экситоном в пределах кластера упорядоченно расположенных КТ электронЦлегкая дырка, имеет меньшую энергию, чем легкая дырка локализована в области определенной КТ переход обусловленный пространственно прямым эк- только за счет кулоновского взаимодействия с электроситоном электронЦтяжелая дырка. Так, для обычных ном, локализованным в глубокой потенциальной яме в сверхрешеток CdTe / Cd1-xZnxTe было показано [9], что КТ. Энергия связи пространственно непрямого экситона Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. Особенности температурной зависимости фотолюминесценции сверхрешеток квантовых точек... значительно меньше энергии связи прямого экситона, а характерное время его излучательной рекомбинации существенно превышает время излучательной рекомбинации прямого экситона. В такой ситуации следует ожидать, что с ростом температуры будет происходить достаточно быстрое тушение люминесценции туннельносвязанных КТ; именно это и наблюдается в эксперименте. То что уже при незначительном повышении температуры в кластерах упорядоченно расположенных КТ начинает происходить интенсивная миграция экситонов, ведет к увеличению числа экситонов, рекомбинирующих безызлучательно [10], что также способствует тушению люминесценции туннельно-связанных КТ с ростом температуры.

5. Показано, что тушение люминесценции СРКТ CdTe / ZnTe с ростом температуры существенно зависит от толщины барьерного слоя ZnTe. Поведение линии излучения туннельно-связанных КТ, появляющейся в СРКТ с минимальной толщиной барьерного слоя ZnTe (двенадцать монослоев), является необычным Ч наблюдаются аномально большой сдвиг максимума линии и быстрое падение интенсивности люминесценции с ростом температуры. Такое поведение может быть объяснено в предположении, что люминесценция туннельно-связанных квантовых точек определяется пространственно непрямыми экситонами, и в кластерах упорядоченно расположенных квантовых точек уже при низких температурах имеет место достаточно интенсивная миграция экситонов.

Авторы благодарят Г. Карчевского за предоставленные образцы.

Список литературы [1] H. Mathie, A. Chatt, J. Allegre, J.P. Faurie. Phys. Rev. B 41, 6082 (1990).

[2] S. Mackowski, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut, S. Kret, A. Szczepanska, P. Dluzewski, G. Prechtl, W. Heiss.

Appl. Phys. Lett. 78, 3884 (2001).

[3] В.В. Зайцев, В.С. Багаев, Е.Е. Онищенко. ФТТ 41, (1999).

[4] B. Langen, H. Leiderer, W. Limmer, W. Gebhardt, M. Ruff, U. Rossler. J. Crystal Growth 101, 718 (1990).

[5] S.D. Baranowski, R. Eichmann, P. Thomas. Phys. Rev. B 58, 13 081 (1998).

[6] A. Polimeni, A. Patane, M. Henini, L. Eaves, P.C. Main. Phys.

Rev. B 59, 5064 (1999).

[7] A. Klochikhin, A. Reznitsky, B Dal Don, H. Priller, H. Kalt, C. Klingshirn, S. Permogorov, S. Ivanov. Phys. Rev. B 69, 085 308 (2004).

[8] В.С. Багаев, Л.К. Водопьянов, В.С. Виноградов, В.В. Зайцев, С.П. Козырев, Н.Н. Мельник, Е.Е. Онищенко, Г. Карчевский. ФТТ 46, 171 (2004).

[9] H. Tuffigo, N. Magnea, H. Marriete, A. Wassiela, Y. Merle, dТAubigne. Phys. Rev. B 43, 14 629 (1991).

[10] I.N. Krivorotov, T. Chang, G.D. Gillialand, L.P. Fu, K.K. Bajaj, D.J. Wolford. Phys. Rev. B 58, 10 687 (1998).

Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам