Книги по разным темам
Pages: | 1 | 2 | Предположительно, P-ловушки являются более сложными дефектами, по сравнениию с E-ловушками, которые обычно связывают с дефектами в подрешетке As [10].
Возможно, это комплексы нескольких точечных дефектов, поскольку они отжигаются при высоких температурах (вблизи 450Ц600C) [10,13]. В образцах n-GaAs, Рис. 4. Расчетные спектры DLTS для n-GaAs с различным облученных ионами или быстрыми нейтронами, эти исходным уровнем легирования: 1 Ч 1015, 2 Ч 5.5 1015, дефекты формируются главным образом в скоплени3 Ч 1017 см-3, облученного быстрыми нейтронами (доза ях (кластерах). Поскольку в таких кластерах уровень D = 6.31013 см-2). Временное окно t1/t2 = 410-5/210-4 с/с Ферми в GaAs закреплен в предельном (стационарном) и параметр дисперсии = 250.
положении вблизи E + 0.6 эВ, это приводит к формированиию областей объемного заряда на границе раздела кластер дефектов Цкристалл. При этом эмиссия DLTS с учетом известных ДэлектрическихУ размеров электронов из P-ловушек в зону проводимости проходит кластера в модели протекания [11]. в неоднородных электрических полях этих областей, что Рассчитанный в соответствии с выражением (1) позволяет с учетом эффекта ПулаЦФренкеля описать спектр (сплошная кривая 1 на рис. 3) удовлетворитель- форму наблюдаемой U-полосы и ее трансформацию при но совпадает с формой экспериментально измеренного изменении режимов измерения спектров DLTS и режиU-пика (точки 1) для n-GaAs, облученного быстрыми мов изохронного отжига облученного материала.
Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. U-пик в спектрах DLTS n-GaAs, облученного быстрыми нейтронами и протонами (65 МэВ) Список литературы [1] G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977).
[2] A. Goltzene, B. Meyer, C. Schwab. Appl. Phys. Lett., 54 (10), 907 (1989).
[3] S. MakramЦEbeid, P. Boher. Mater. Sci., 10/12, 1075 (1986).
[4] В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, В.А. Новиков, А.И. Нойфех, В.В. Пешев. ФТП, 31 (7), 811 (1997).
[5] R. Magno, M. Spencer, J.G. Giessner, E.R. Weber. Abstracts 13th Int. Conf. on Defects in Semicond. (Coronado, California, 1984) p. 981.
[6] V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B:
Condens. Matter., 212, 429 (1995).
[7] D. Stievenard, J.C. Bourgoin, M.J. Lannoo. Appl. Phys., 55, 1447 (1984).
[8] В.А. Новиков, В.В. Пешев. ФТП, 32, 411 (1998).
[9] В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, А.И. Потапов. ФТП, 27, (1993).
[10] D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C.: Sol. St. Phys., 18, (1985).
[11] R. Coates, E.W.J. Mitchell. Adv. Phys., 24, 593 (1975).
[12] C.E. Barnes, T.E. Zipperian, L.R. Dawson. J. Electron. Mater., 14, 95 (1985).
[13] В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, А.И. Потапов. Изв. вузов.
Физика, 35 (10), 57 (1992).
Редактор Т.А. Полянская The U-peak in the DLTS-spectra of n-GaAs after fast neutron and proton (65 MeV) irradiation V.N. Brudnyi, V.V. Peshev V.D. Kuznetsov Sibirian Physical Technical Institute, 634050 Tomsk, Russia Tomsk Polytechnical University, 634034 Tomsk, Russia
Abstract
The U-peak origin in the DLTS-spectra of the proton (65 MeV) and fast neutron irradiated n-GaAs has been investigated. It is revealed that this band was formed by two subpeaks which were produced by well known in GaAs P2 and P3 defects within the imperfections clusters. The simulated DLTS-spectra are presented, in which the inhomogeneous defect distribution in the sample and the internal electric fields determined by this defect non-uniformity have been taken into account.
Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.
Pages: | 1 | 2 |
Книги по разным темам