Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 |

Сравнительный анализ спектров ФЛ исходных и имплантированных образцов показал, что имплантация с последующим отжигом образцов всех исследуемых ориентаций не вносит значительных нарушений в структуру кристаллической решетки GaAs. Об этом свидетельствует наличие во всех спектрах экситонной полосы, которая, как известно, очень чувствительна к структурному совершенству кристаллической решетки. Это коррелирует с результатами, полученными методом КРС. Хотя сле дует отметить, что присутствие полос с h 1.45 и = 1.49 eV в спектрах исходных образцов свидетельствует о наличии фоновых примесей в исходном полуизолирующем GaAs. Как отмечалось выше, данные полосы обусловлены излучательной рекомбинацией с участием SiAs и углерода соответственно. Поведение этих полос в спектрах образцов всех ориентаций после имплантации и отжига существенно не изменилось. На наш взгляд, это обусловлено тем, что при имплантации кремний Рис. 4. То же, что на рис. 3, но образцы имплантированы занимает преимущественно узлы галлиевой подрешетки ионами Si+ с последующим фотонным отжигом.

6 Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 82 С.В. Васильковский, М.П. Духновский, Р.В. Конакова, Ю.А. Тхорик Выводы [15] Дражан А.В. // УФЖ. 1985. Т. 30. № 3. С. 453Ц455.

[16] Hiramoto T., Mochizuki Y., Ikoma T. // Jap. J. Appl. Phys.

1986. Vol. 25. N 10. P. L830ЦL832.

Таким образом, приведенные выше эксперименталь[17] Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Линые данные по КРС и ФЛ свидетельствуют о сущетовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников.

ственном различии процессов дефектообразования при Киев: Наукова думка, 1987. 608 с.

имплантации Si в арсенид галлия различной кристал[18] Клотыньш Э.Э. // Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн.

ографической ориентации с последующим импульсным наук. 1989. № 4. С. 3Ц8.

фотонным отжигом, что, очевидно, обусловлено разли[19] Быковская В.А., Бычков А.Г., Зуев В.А. и др. // Поверхчием механизмов образования в процессе имплантации ность. 1985. № 10. С. 48Ц55.

первичных треков разупорядочения и встраивания ле[20] Pastrnak J., Oswald J., Gregora I. et al. // Phys. Stat. Sol.

гирующей примеси при отжиге. Кроме того, показано, (a). 1989. Vol. 11. P. 345Ц359.

что степень электрической активации примеси при одинаковых условиях имплантации и отжига максимальна при использовании ориентации (100) и (311). Для этих ориентаций в спектрах КРС имплантированных и отожженных образцов наблюдались наибольшее уширение пика на частоте LO-фонона и его высокочастотная асимметрия. В спектрах ФЛ кроме экситонного пика, свидетельствующего о незначительных нарушениях кристаллической структуры образцов, наблюдалась полоса h 1.27 eV, обусловленная излучательными перехода= ми с участием Si.

В заключение авторы приносят благодарность за полезные замечания и обсуждение результатов работы Г.Г. Тарасову и Г.А. Крысову.

Список литературы [1] Ионная имплантация и лучевая технология / Под ред.

Дж.С. Вильямса, Дж.М. Поута. Киев: Наукова думка, 1988.

369 с.

[2] Uppal P.N., Ahearn J.S., Little J.W. // J. Vac. Sci. B. 1988.

Vol. 6. N 2. P. 597Ц598.

[3] Гордиенко Е.В., Духновский М.П., Лысенкова Н.Г. идр. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1986.

Вып. 6(390). С. 66Ц69.

[4] Otsuki T. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61. N 3. P. 928Ц932.

[5] Pearsall T.P., Nachory R.E., Chelikowsky J.R. // Phys. Rev.

Lett. 1977. Vol. 39. N 5. P. 295Ц298.

[6] Kamon K., Shimazu M., Kimura K. et al. // J. Crystal Crow.

1987. Vol. 84. P. 126Ц132.

[7] Uppal P.N., Ahearn J.S., Muser D.P. // J. Vac. Sci. Technol.

B. 1988. Vol. 5. N 3. P. 759Ц760.

[8] Burns G., Dacol F.H., Wie C.R. // Sol. St. Commun. 1988.

Vol. 62. N 7. P. 449Ц454.

[9] Wang W.I., Mendez E.E., Kuan T.S. et al. // Appl. Phys. Lett.

1985. Vol. 47. N 8. P. 826Ц828.

[10] Cargouri M., Prevot B., Schab C. // J. Appl. Phys. 1987.

Vol. 62. N 9. P. 3902Ц3911.

[11] Бурлаков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Минск: Издво БГУ, 1980. 374 с.

[12] Марадудин А.А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов. М.: Мир, 1968. 432 с.

[13] Wagner J., Ramsteiner M. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62.

N 5. P. 2148Ц2150.

[14] Maciaszek M., Rogers D.W., Bult R.P. et al. // Can. J. Phys.

1989. Vol. 67. P. 384Ц388.

Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам