
Уменьшение дефектности образующегося окисного слоя при формировании SIMOX-структур с использованием макскирующего SiO2 может быть связано и с уменьшением проникающих в Si загрязнений, а также Журнал технической физики, 2002, том 72, вып.
Pages: | 1 | 2 |
Книги по разным темам