Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 |

оси X величина Hc оказывается больше, чем при H X Как видно из рис. 3, a, b, при обеих выбранных ориен(для ДненапряженногоУ кристалла в пределах ошибок тациях намагничивания на одну из ДГ (на рис. 3, a, b Ч эксперимента Hc не зависит от ориентации H и практивертикальную среднюю) магнитное поле, вследствие чески не меняется с температурой [4]). Кроме того, при равенства углов и, не действует. Следовательно, 1 квазистатическом режиме развертки магнитного поля намагничивание кристалла происходит в основном за счет смещения двух других ДГ. Если считать, что направление ms в каждом домене не изменяется по всей площади домена, то, подставляя значения углов между векторами ms и H в (1), для давления, действующего на эти ДГ, получим |P(H X)| = msH| cos 0 - cos 60| = 1/2ms H, |P(H X)| = msH| cos 90 - cos 30| = 3/2ms H, т. е. при прочих равных условиях для начала необратимого смещения ДГ при H X требуется поле, примерно Рис. 4. Полевые зависимости эффекта Фарадея в FeBO3, полученные при a Ч квазистатическом режиме намагничива- в 1.7 раз меньшее, чем при H X. С учетом соотношения ния (скорость развертки магнитного поля 0.2Oe/s), b Ч Hc 1/P [9], из последнего следует перемагничивании кристалла с частотой 95 Hz. Пунктирная линия Ч зависимость (H) для ДненапряженногоУ кристалла, Hc(H X) 1.7Hc(H X), сплошная и штрихЦпунктирная Ч зависимости (H) для что коррелирует с результатами эксперимента (соДприклеенногоУ образца, наблюдаемые при ориентации поля H X и H X соответственно. T = 90 K. гласно графикам (H), представленным на рис. 4, Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 60 Б.Ю. Соколов Hc(H X)/Hc(H X) 1.5). Менее выраженное по сравнению с вытекающим из (1) наблюдаемое экспериментально различие значений Hc(H X) и Hc(H X), вероятно, можно связать с уже упомянутым выше изменением угла между векторами ms в соседних доменах вдоль ДГ. Так, например, из сопоставления рис. 1 и рис. 3, a, b видно, что в средней части образующихся ДГ (на рис. 3, a, b Ч вблизи краев изображения кристалла) углы между векторами ms по обе стороны от ДГ составляют 180, и следовательно, на этих участках ДГ соотношение между |P(H X)| и |P(H X)| оказыРис. 5. Температурная зависимость магнитооптической восвается противоположным полученному выше.

приимчивости FeBO3: Ч ДприклеенныйУ образец, Х Ч Из рис. 3, a, b можно заключить, что в завершающей ДненапряженныйУ кристалл.

стадии процесса смещения ДГ (при исчезновении ДГ и переходе кристалла в монодоменное состояние) при H X вектор ms по всей площади образца оказывается Обратившись к рис. 1, можно заметить, что в ценприблизительно параллельным H, в то время как при H X векторы ms и H образуют между собой неко- тральной части кристалла величина возникающих напряжений относительно невелика, а направления векторов торый острый угол. В последнем случае дальнейшее напряжений наименее определены (радиус ДкривизныУ намагничивание кристалла, очевидно, происходит путем оси анизотропии максимален). Если не принимать в доворота вектора ms в сторону H. Этим и обусловлено появление ДбезгистерезисногоУ квазилинейного участ- расчет обменных взаимодействий, из последнего следует, что в центральной части ДприклеенногоУ образца ка на кривой (H), наблюдаемой при намагничивании все возможные ориентации ms в базисной плоскости с напряженного FeBO3 вдоль оси Y (рис. 4). Рис. 3, c энергетической точки зрения примерно эквивалентны.

иллюстрирует магнитное состояние образца на этой Очевидно, что это обстоятельство облегчает разворот стадии процесса намагничивания.

вектора ms под действием поля в базисной плоскоИзвестно, что при достаточно быстром (импульсном) изменении величины H намагничивание FeBO3 в базис- сти кристалла. Следовательно, в напряженном FeBOпроцесс смещения блоховской ДГ вдоль его толщины ной плоскости происходит (вследствие инерционности начинается в более слабом магнитном поле, чем, вероятДГ) исключительно путем вращения ms [11]. Исходя но, и определяется некоторый рост магнитооптической из этого факта можно предположить, что в наших восприимчивости ДприклеенногоУ образца (рис. 5).

экспериментах при перемагничивании образца в переВ заключение заметим, что напряжения, аналогичные менном магнитном поле с частотой 95 Hz одновременно исследованным в данной работе, могут возникнуть в с движением ДГ возникает и поворот вектора ms в FeBO3 под действием деформации держателя образца, доменах в сторону H. Поэтому форма динамической вызванной, например, изменением температуры окрупетли гистерезиса практически не зависит (в отличие жающей среды. Поэтому полученные выше результаты от кривых (H), наблюдаемых при квазистатическом помимо чисто научного могут представлять интерес при режиме намагничивания) от ориентации H в базисной планировании физических экспериментов на FeBO3 и плоскости кристалла (рис. 4, b).

других схожих с ним по магнитной структуре магнеМагнитооптическая восприимчивость тиках, а также при разработке конструкции крепления Из графиков, представленных на рис. 5, видно, что при кристалла в различных функциональных элементах, исT < 250 K величина d/dH для ДненапряженногоУ крипользующих FeBO3 в качестве активной среды.

сталла монотонно уменьшается при понижении температуры, тогда как для ДприклеенногоУ образца зависимость d/dH(T) имеет более сложный вид. Установлено [2], Список литературы что начальная магнитная восприимчивость в FeBOопределяется обратимым смещением блоховских ДГ, [1] Богданов Х.Г., Голенищев-Кутузов В.А., Медведев Л.И., Куркин М.И., Туров Е.А. // ЖЭТФ. 1989. Т. 95. Вып. 2.

разделяющих домены по толщине кристалла (поэтому С. 613Ц620.

анизотропия, а следовательно и анизотропия величины [2] Lacklison D.E., Chadwik J., Page J.L. // J. Phys. D: Appl.

d/dH, в базисной плоскости кристалла отсутствует).

Phys. 1972. Vol. 5. N 4. P. 810Ц821.

Согласно [8], в этом случае m2/K, где K Ч конs [3] Scott G.B. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1974. Vol. 7. N 11.

станта внутриплоскостной анизотропии. Из известных P. 1574Ц1587.

данных по зависимостям ms (T ) [10] и K(T ) [12] следует, Учитывая неоднородность напряжений кристалла, в данном случае что при T < 290 K с понижением температуры величина корректней говорить не о смещении блоховской ДГ в поле H как m2 растет медленнее константы K, чем и определяется s целого, а о ее изгибе, подобном деформации плоской эластичной вид зависимости d/dH(T) ДненапряженногоУ кристалмембраны под действием силы, приложенной в центре мембраны ла (рис. 5). нормально к ее плоскости.

Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. Влияние низкосимметричных механических напряжений на магнитные свойства бората железа [4] Соколов Б.Ю. // ФТТ. 2005. Т. 47. Вып. 9. С. 1644Ц1650.

[5] Караев А.Т., Соколов Б.Ю., Федоров Ю.М. // ФТТ. 2000.

Т. 42. Вып. 11. С. 2036Ц2041.

[6] Федоров Ю.М., Лексиков А.А., Аксенов А.Е. // ФТТ. 1984.

Т. 26. Вып. 1. С. 220Ц226.

[7] Egashira K., Manabe T., Kotsuraki H. // J. Phys. Soc. Japan.

1971. Vol. 31. N 2. P. 602.

[8] Фарздинов М.М. Физика магнитных доменов в антиферромагнетиках и ферритах. М.: Наука, 1981.

[9] Тикадзуми С. Физика ферромагнетизма. М.: Мир, 1987.

[10] Кадомцева А.М., Левитин Р.З., Попов Ю.Ф., Селезнев В.Н., Усков В.В. // ФТТ. 1972. Т. 14. № 1. С. 214Ц217.

[11] Колотов О.С., Красножен А.П., Погожев В.А. // ФТТ.

1998. Т. 40. Вып. 2. С. 305Ц309.

[12] Дорошев В.Д., Крыгин И.М., Лукин С.Н. // Письма в ЖЭТФ. 1979. Т. 29. № 5. С. 286Ц290.

Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам