Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 | 3 |

5. Заключение [13] Б.Л. Гельмонт, М.С. Дьяконов. ФТП, 5 (11), 2191 (1971).

[14] Б.Л. Гельмонт, А.Р. Гаджиев, Б.Л. Шкловский, И.С. Шли1. Кристаллы узкощелевого Hg1-x CdxTe p-типа являмак, А.Л. Эфрос. ФТП, 8, 2377 (1974).

ются хорошим модельным материалом для исследова- [15] А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические ния особенностей прыжковой проводимости и строения основы полупроводниковой квантовой фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984) с. 126.

акцепторной зоны полупроводников. С одной стороны, [16] C.K. Shin, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 1231 (1987).

прыжковая проводимость наблюдается здесь при доста[17] К.Р. Курбанов, В.В. Богобоящий. Конденсированные среды точно высокой температуре (вплоть до 10 K), а с другой и межфазные границы, 1 (3), 245 (1999).

стороны, в этом материале легко управлять концентраРедактор T.A. Полянская цией акцепторов.

3 Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 36 В.В. Богобоящий Peculiarities of hopping conduction in p-Hg0.78Cd0.22Te crystals at binary doping V.V. Bogoboyashchii Kremenchuk State Polytechnical University, 39614 Kremenchuk, Ukraine

Abstract

Conduction and the Hall effect within the 4.2Ц125 K temperature range have been investigated in p-Hg0.78Cd0.22Te crystals, containing 3 1016 cm-3 of copper impurities and 1.83 1016 cm-3 of mercury vacancies (together or separately).

The 1-conduction due to free holes above 10Ц12 K and the hopping conduction below 8Ц10 K are dominant in such crystals respectively. It was found that the 1-conduction in copper-doped crystals is independent of the vacancy presence, while the hopping conduction essentially increases due to the vacancy availability. This phenomenon is explained in terms hole joining neutral mercury vacancies. The binding energy is calculated; it equals 3.7 meV in background state.

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. Pages:     | 1 | 2 | 3 |    Книги по разным темам