Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 | 3 |

центрацю сформованих низькотемпера- Введення в кристали домшок перехтурних термодонорв швидксть хнього дних металв (нкелю, цирконю) призвоутворення [38 - 40]. Зокрема, у робот дить до помтного збльшення швидкост [38] показано, що вона знижуться псля утворення термодонорв [1]. Згдно з [45] геттерування золота мд плвкою воль- введення в кремнй (1Ц2)1017 см-3 титану фраму пдвищуться при додатковому призводить до помтного зменшення конлегуванн кристала золотом. Автоpи зв'я- центрац оптично активного кисню псля о зують це з тим, що домшки, як швидко термчних обробок при 450 - 1280 С диффундирують в глибину кристалу, пдвищення термостабльност питомого центрами зародження термодонорв, або електричного опору. Спостергаться тавпливають на коефцнт дифуз кисню. кож зростання рухливост вльних елект Складн системи процеси № 1, ронв псля термообробки, що, може бути 2. Технология полупроводникового обумовлене пдвищенням однордност кремния / Фалькевич Э.С., Пульнер розподлу титана в кристал. Э.О., Червонный И.Ф. и др. - М.: МетаВведення в кремнй вропю при кон- лургия, 1992. - 408 с.

центрац 2,31017 см-3 призводить до зни- 3. Александров Л.Н., Зотов М.И.

ження вихдно концентрац термодоно- Внутреннее трение и дефекты в полупрорв у кристалах p-Si, вирощених методом водниках. - Новосибирск: Наука, 1979. - Чохральского вд 1013 до 1012 см-3 зни- 161 с.

ження максимально досяжно концентра- 4. Бабч В.М., Блецкан М.., Внгер ц пд час вдпалу при 450 оC вд 21015 до к.Ф. Кисень у монокристалах кремню.

31013 см-3 [38]. Введення вропю також - К.: нтерпресЛТД, 1997. - 240 с.

дещо прискорю зниження концентрац 5. Селищев П.А. Кинетика образоваоптично активного кисню при великому ния кислородсодержащих термодоноров в часу вдпалу. - ефекти можуть бути кремнии и формирование их неоднородповТязан з формуванням стабльних елек- ного распределения: аналитическое ретрично й оптично пасивних комплексв шение //ФТП, 2001. - Т. 35, № 1. - С. 11 - типу (РЗМ)nOm. 14.

6. Комаров Б.А., Коршунов Ф.П., МуВИСНОВКИ рин Л.И. Роль полевых эффектов при оп1. На сьогодн не сну модел побудо- ределении концентрации термодоноров в ви та утворення термодонорв, яка б задо- кремнии методом DLTS // Физика и техвольняла усм вдомим експерименталь- ника полупроводников, 1994. - Т. 28, № 3.

ним даним з кнетики х формування, еле- - С. 498 - 505.

ктрофзичних, оптичних та магнтних 7. Мукашев Б.Н., Абдуллин Х.А., Говластивостей. релкинский Ю.В. Метастабильные и бис2. Найбльш адекватними виявляються табильные дефекты в кремнии // УФН, модел, що вважають низькотемпературн 2000. - Т. 170, № 2. - С. 143 - 155.

термодонори рядом близьких за власти- 8. Вабицевич Н.В., Бринкевич Д.И.

востями, але рзних за складом дефектв, Влияние германия на процессы отжига ядро яких складаться з клькох атомв термодоноров в кремнии // Тезисы доклакисню може мстити додатково атоми дов 3 Российской конференции по матенших домшок, як можуть перетворю- риаловедению и физико-химическим осватися один до одного шляхом приднан- новам технологий получения легировання або вдриву мжвузловинних атомв ных кристаллов кремния и приборных кисню, власних мжвузловинних атомв структур на их основе. - М.: ИХПМ, 2003.

кремню або рухливих комплексв, до - С. 55 - 57.

складу яких входить атом кисню. 9. О природе зародышей для образо3. Припущення про роль мкроскопч- вания термодоноров в кремнии (или еще них флуктуацй концентрац кисню та один вариант ускоренной диффузии китермодонорв у процесах формування та слорода) / Неймаш В.Б., Пузенко Е.А., англяц останнх дозволя усунути деяк Кабалдин А.Н., и др. // ФТП, 1999. - Т.33, суперечност мж теорю та експеримен- № 12. - С. 1423 - 1426.

том ма враховуватися при побудов те- 10. Про деяк особливост генерац та ор цих процесв. вдпалу термодонорв у кремн / Неймаш В.Б., Пузенко О.О., Кабалдн О.М. та н. // ЛТЕРАТУРА УФЖ, 1999. - Т. 44, № 8. - С. 1011 - 1. Бахрушин В.Е. Получение и физи- 1016.

ческие свойства слаболегированных слоев 11. Электрические свойства кремния многослойных композиций. - Запорожье: термообработанного при 530 оС и облуГУ "ЗИГМУ", 2001. - 247 с. ченного электронами / Неймаш В.Б., Сирацкий В.М., Крайчинский А.Н., Пу Складн системи процеси № 1, зенко Е.А. // ФТП, 1998. - Т. 32, № 9. - ванных кристаллов кремния и приборных С. 1049 - 1053. структур на их основе. - М.: ИХПМ, 2003.

12. Вабицевич Н.В., Бринкевич Д.И., - С. 35 - 36.

Просолович В.С. Кислородные преципи- 20. Влияние собственных межузельтаты и образование термодоноров в крем- ных атомов кремния на образование элекнии // ФТП, 1998. - Т. 32, № 6. - С. 712 - трически нейтральных борсодержащих 713. комплексов в пластинах кремния при их о 13. Исследование внутреннего тре- отжиге при температурах 480 - 530 С / ния и эффективного модуля сдвига мо- Арапкина Л.В., Батунина А.В., Воронкова нокристаллического кремния на на- Г.И. и др. // Тезисы докладов 3 Российчальных стадиях преципитации кисло- ской конференции по материаловедению рода / Моцкин В.В., Олейнич-Лысюк и физико-химическим основам технолоА.В., Раранский Н.Д., Фодчук И.М. // гий получения легированных кристаллов ФТП, 2002. - Т. 36, № 9. - С. 1035 - кремния и приборных структур на их ос1039. нове. - М.: ИХПМ, 2003. - С. 37 - 38.

14. Воронков В.В., Ильин М.А., Фо- 21. Начальные стадии преципитации миных Я.В. Оптические свойства росто- кислорода в кремнии: влияние водорода / вых термодоноров в кремнии// Неоргани- В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, ческие материалы, 1993. - Т. 29, № 9. - J.L. Lindstrom, M. Suezawa // ФТП, 2000, - С. 1301 - 1303. Т. 34, В. 9. - С. 1039 - 1045.

15. Microfluctuations of oxygen impu- 22. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н.

rity concentration as a reason of acceler- Мукашев. Дефекты в кремнии и на его ated oxygen diffusion in silicon / Neimash поверхности. - М.: Наука, 1990. - 216 с.

V.B., Puzenko O.O., Kraitchinskii A.M. 23. Генерация термодоноров в кремet. al. // Semiconductor Physics, Quantum нии, легированном германием / БабицElectronics and Optoelectronics, 2000. - кий Ю.М., Горбачева Н.И., Гринштейн V. 3, N 1. - P. 11 - 14. П.М. и др. // ФТП, 1984. - Т.18, вып. 7. - 16. Вплив прециптац домшки кисню С. 1309 - 1311.

при 1050 оС на пружн напруження в кре- 24. Ярыкин Н., Вебер В. К идентифимн / Куств В.к., Неймаш В.Б., Трпач- кации водородсодержащих термодоноров ко М.О. та н. // УФЖ, 1998. - Т. 43, № 5. в кремнии // Тезисы докладов 3 РоссийЦ С. 626 Ц629. ской конференции по материаловедению 17. Формирование донорных центров и физико-химическим основам технолопри различном давлении в кремнии, об- гий получения легированных кристаллов лученном ионами кислорода/ Неустроев кремния и приборных структур на их осЕ.П., Антонова И.В., Попов В.П. и др. // нове. - М.: ИХПМ, 2003. - С. 171.

ФТП, 1999. - Т. 33, № 10. - С. 1153 - 25. Бабицкий Ю.М., Горбачева Н.И., 1157. Ильин М.А. Кинетика генерации низко18. Маркевич В.П., Мурин Л.И. Меха- температурных термодоноров в кремнии низм ускоренной диффузии кислорода в с изовалентными примесями // Физика и кремнии // Свойства легированных полу- техника полупроводников, 1988. - Т. 22, проводников. - М.: Наука, 1990. - С. 107 № 2. - С. 307 - 312.

Ц 112. 26. Электрофизические параметры 19. О возможности старения при ком- кремния, легированного германием, после натной температуре образцов кремния, термической обработки при 720 К / Дапрошедших высокотемпературный отжиг шевский М.Я., Докучаева А.А., Корляков при 650 и 900 оС / Арапкина Л.В., Бату- Д.Н. и др. // Известия АН СССР, Неорганина А.В., Воронкова Г.И. и др. // Тезисы нические материалы, 1988. - Т. 24, № 9. - докладов 3 Российской конференции по С. 1413 - 1418.

материаловедению и физико-химическим 27. Генерация термодоноров в кремосновам технологий получения легиро- нии, легированном германием / Бабицкий Складн системи процеси № 1, Ю.М., Горбачева Н.И., Гринштейн П.М. и 36. Критская Т.В., Думбров В.И., Бидр. // ФТП, 1984. - Т.18, вып.7. - С. 1309 - духа В.И., Левченко В.М. Исследование 1311. свойств монокристаллического кремния, 28. Трансформация дефектов при от- выращенного по Чохральскому в атможиге Si:Ge, облученных нейтронами и сфере азота // Весцi Акад. навук БССР.

электронами / Помозов Ю.В., Хируненко Сер. фiз.-матэм. навук, 1991. - № 3. - С. Л.И., Шаховцов В.И. и др. // VIII коорд. - 10.

совещ. по исследованию и применению 37. Генерация азотно-кислородных сплавов кремний-германий. Тез. докла- мелких термодоноров как метод исследодов. - Ташкент: ФАН, 1991. - С. 40. вания диффузии азота в кремнии / Бату29. Исследование монокристаллов нина А.В., Воронков В.В., Воронкова кремния, легированных изовалентной до- Г.И., Мильвидский М.Г. // Тезисы доклабавкой / Дашевский М.Я., Докучае- дов 3 Российской конференции по матева А.В., Корляков Д.Н., Салманов А.Р. // риаловедению и физико-химическим осФизика кристаллизации. - Калинин: КГУ, новам технологий получения легирован1987. - С. 4 - 9. ных кристаллов кремния и приборных 30. Критская Т.В., Хируненко Л.И., структур на их основе. - М.: ИХПМ, 2003.

Яшник В.И. Термическое дефектообразо- - С. 40 - 41.

вание в кристаллах Si:Ge // Электронная 38. Petrov V.V., Prosolovitch V.S.

техника. Сер. Материалы, 1991. - Вып. 6 Thermal Defects in Silicon Doped with (260). - С. 56 - 58. Rare-Earth Elements // Physica Status Solidi, 31. Термическое дефектообразование в 1989. - V. 112(a), N 9. - P. 561 - 568.

кристаллах Si:Ge / Критская Т.В., Хара- 39. Ускоренная генерация термодонотишвили И.Г., Хируненко Л.И. и др. // ров в кремнии / Бринкевич Д.И., Крюков VIII коорд. совещ. по исследованию и В.Л., Петров В.В. и др. // Электронная применению сплавов кремний- германий. техника. Сер. Материалы, 1991. - N 6. - Тез. докладов. - Ташкент: ФАН, 1991. - С. 15 - 17.

С. 38. 40. Влияние быстродиффундирующих 32. Емцев В.В., Оганесян Г.А., примесей на генерацию термодоноров в Шмальц К. Новые доноры в термообрабо- кремнии / Бринкевич Д.И., Крюков В.Л., танном кремнии с изоэлектронной приме- Петров В.В. и др. // Письма в ЖТФ, 1991.

сью германия // Физика и техника полу- - Т. 17, вып.1. - С. 14 - 16.

проводников, 1993. - Т. 27, № 11/12. - 41. Бахадырханов М.К., Аскаров Ш.И., С. 2021 - 2023. Наркулов Н. Влияние быстродиффунди33. Образование термодоноров в кри- рующих примесей на кинетику генерации о сталлах Si / Бринкевич Д.И., термодоноров в кремнии при 300Ц500 С Маркевич В.П., Мурин Л.И., Петров В.В. // Физика и техника полупроводников, // VIII коорд. совещ. по исследованию и 1995. - Т. 29, N 8. - С. 1396 - 1401.

применению сплавов кремний-германий. 42. Влияние кислорода на поведение Тез. докладов. - Ташкент: ФАН, 1991. - примеси золота в кремнии / БринкеС. 76. вич Д.И., Крюков В.Л., Мерааи Ф. и др. // 34. Дашевский М.Я., Корляков Д.Н. Неорганические материалы, 1993. - Т. 29, Физические свойства термообработанных N 12. - С. 1587 - 1589.

монокристаллов Si и Si // Электрон- 43. Салманов А.Р., Рыгалин Б.Н., Баная техника. Сер. Материалы, 1991. - тавин В.В., Прокофьева В.К. Эффект поВып. 6. - С. 45 - 47. давления кислородных термодоноров в 35. Особенности поведения кислорода кремнии диффузией магния // Неорганив кремнии, легированном оловом / Помо- ческие материалы, 1983. - Т. 19, N 10. - зов Ю.В., Соснин М.Г., Хируненко Л.И., С. 1605 - 1608.

Яшник В.И. // ФТП, 2000. - Т. 34, № 9. - 44. Борщенский В.В., Бринкевич Д.И., С. 1035 - 1038. Петров В.В. Свойства кремния, легиро Складн системи процеси № 1, ванного магнием в процессе выращивания цию термодоноров и термостабильность по методу Чохральского // Неорганиче- кремния / Соколов Е.Б., Прокофьева В.К., ские материалы, 1994. - Т. 30, N 1. - С. 30 Белянина Е.В., Гиоргадзе А.Л. // Известия - 32. Вузов. Электроника, 1997. - N 1. - С. 44 - 45. Влияние титана на концентрацию 48.

оптически активного кислорода, генера- Pages:     | 1 | 2 | 3 |    Книги по разным темам