Книги, научные публикации
Pages: | 1 | 2 | 3 | Москатов Евгений Анатольевич Справочник по полупроводниковым приборам 1 Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. - М.: Журнал УРадиоФ, 2005. - 208 с., ил. ...
-- [ Страница 2 ] --Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, мА 1Т313А 1Т313Б 1Т313В 1Т376А 1Т386А 2Т326Б 2Т360Б-1 2Т360В-1 2Т363А 2Т363Б 2Т389А-2 ГТ313А ГТ313Б ГТ313В ГТ328А ГТ346А ГТ346Б ГТ346В ГТ376А КТ326А КТ326Б КТ337А КТ337Б КТ337В КТ345А КТ345Б КТ345В КТ347А КТ347Б КТ347В КТ360Б-1 КТ360В-1 КТ363А КТ363АМ КТ363Б КТ363БМ 50 50 50 10 10 50 20 20 30 30 300 30 30 30 10 10 10 10 10 50 50 30 30 30 200 200 200 50 50 50 20 20 30 30 30 30 Iк.и. макс, мА - - - - - - 75 75 50 50 - - - - - - - - - - - - - - 300 300 300 110 110 110 75 75 50 50 50 50 UкэR.макс, {Uкэо.гр}, B {7} {7} {7} {7} {15} 15 15 15 15 12 {25} 15 15 15 {15} 15 15 15 {7} 15 15 6 6 6 20 20 20 15 9 6 15 15 15 15 12 12 Uкбо. Uэбо. макс, B 12 12 12 7 15 20 20 20 15 15 25 15 15 15 15 20 20 20 7 20 20 6 6 6 20 20 20 15 9 6 20 20 15 15 15 15 макс, B 0,7 0,7 0,7 0,25 0,3 4 4 4 4 4 4 0,7 0,7 0,7 0,25 0,3 0,3 0,3 0,25 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 Рк.макс, мВт 100 100 100 35 40 250 10 10 150 150 300 150 150 150 50 50 50 50 35 200 200 150 150 150 100 100 100 150 150 150 10 10 150 150 150 150 h21Э 10Е230 10Е75 30Е230 10Е150 10Е100 45Е160 40Е120 80Е240 20Е70 40Е120 25Е100 20Е200 20Е200 30Е170 20Е200 10Е150 10Е150 15Е150 10Е150 20Е70 45Е160 30Е70 50Е75 70Е120 20Е60 50Е85 70Е105 30Е400 30Е400 50Е400 40Е140 80Е240 20Е70 20Е70 40Е120 40Е Значения параметров при Tп = 25 С Uкб, {Uкэ}, B {3} {3} {3} 5 5 2 2 2 5 5 1 5 5 5 5 10 10 10 5 2 2 {0,3} {0,3} {0,3} {1} {1} {1} 0,3 0,3 0,3 2 2 5 5 5 5 Iэ, мА 15 15 15 2 3 10 10 10 5 5 200 5 5 5 3 2 2 2 2 10 10 10 10 10 100 100 100 10 10 10 10 10 5 5 5 5 Uкэ. нас, B 0,7 0,7 0,7 - - 1,2 0,35 0,35 0,35 0,35 0,6 0,7 0,7 0,7 - - - - - 1,2 1,2 0,2 0,2 0,2 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,35 0,35 0,35 0,35 0,35 0,35 Iкбо, мкА 5 5 5 5 10 0,5 1 1 0,5 0,5 1 5 5 5 10 10 10 10 5 0,5 0,5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0,5 0,5 0,5 0,5 fгр, ГГц 0,3Е 0,45Е1 0,45Е РисуКш, нок дБ 8 8 8 4 4 - - - - - - 8 8 8 7 7 8 7 4 - - - - - - - - - - - - - - - - - 34 34 34 24 24 17 18 18 17 17 47 34 34 34 34 24 24 24 24 17 17 17 17 17 26 26 26 17 17 17 18 18 17 26 17 1 0,45 0,4 0,4 0,4 1,2 1,5 0, 0,35Е1 0,45Е1 0,35Е 0,4 0,7 0,55 0,55 1 0,4 0,4 0,5 0,6 0,6 0,35 0,35 0,35 0,5 0,5 0,5 0,4 0,4 1,2 1,2 1,5 1, Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, мА КТ389Б-2 КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А П418Г П418Д П418Е П418Ж 300 20 20 20 20 10 10 10 10 Iк.и. макс, мА - - - - - - - - - UкэR.макс, {Uкэо.гр}, B {25} 20 20 20 20 {7} {7} 6,5 6,5 Uкбо. Uэбо. макс, B 25 20 20 20 20 10 10 10 10 макс, B 4 3 3 3 3 0,3 0,3 0,3 0,3 Рк.макс, мВт 300 150 150 100 100 50 50 50 50 h21Э 25Е100 25Е150 60Е180 25Е150 15Е150 8Е70 8Е70 60Е170 60Е Значения параметров при Tп = 25 С Uкб, {Uкэ}, B 1 5 5 5 5 1 1 1 1 Iэ, мА 200 3 3 3 3 10 10 10 10 Uкэ. нас, B 0,6 1,2 1,2 - - - - - - Iкбо, мкА 1 1 1 1 1 3 3 3 3 fгр, ГГц 0,45 0,6 0,6 0,6 0,8 0,4 0,4 0,4 0,4 РисуКш, нок дБ - - - 5 5 - - - - 47 37 37 24 24 33 33 33 Таблица 5.1.8. Транзисторы n-p-n малой мощности (Рк.макс 0,3 Вт) сверхвысокой частоты (fгр > 300 МГц) [39].
Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, мА 1Т311А 1Т311Б 1Т311Г 1Т311Д 1Т311К 1Т311Л 2Т355А 2Т366В-1 2Т368А 2Т368Б 2Т396А-2 ГТ311В ГТ311Г ГТ311И КТ306А КТ316А КТ316Б КТ316В КТ316Г КТ316Д КТ325А КТ325Б КТ325В КТ366В КТ368А КТ368Б КТ396А-2 50 50 50 50 50 50 30 45 30 30 40 50 50 50 30 50 50 50 50 50 30 30 30 45 30 30 40 Iк.и. макс, мА - - - - - - 60 70 60 60 40 - - - 50 50 50 50 50 50 60 60 60 70 60 60 40 UкэR.макс, B 12 12 12 12 12 12 15 {10} 15 15 10 12 12 10 10 10 10 10 10 10 15 15 15 {10} 15 15 10 Uкбо. Uэбо. макс, B 2 2 2 2 2 2 4 4,5 4 4 3 2 2 1,5 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4,5 4 4 3 B 12 12 12 12 12 12 15 15 15 15 15 12 12 10 15 10 10 10 10 10 15 15 15 15 15 15 15 Рк.макс, {Рмакс}, мВт {150} {150} {150} {150} {150} {150} {225} {90} {225} {225} {30} 150 150 {150} {150} {150} {150} {150} {150} {150} {225} {225} {225} {90} {225} {225} {30} 15Е180 30Е180 30Е80 60Е180 60Е180 150Е300 80Е300 50Е200 50Е300 50Е300 40Е250 15Е50 30Е80 100Е300 20Е60 20Е60 40Е120 40Е120 20Е100 60Е300 30Е90 70Е210 160Е400 50Е200 50Е300 50Е300 40Е250 h21Э {Uкэо.макс}, макс, Значения параметров при Tп = 25 С Uкб, B 3 3 3 3 3 3 5 {1} 1 1 2 3 3 3 {1} {1} {1} {1} {1} {1} 5 5 5 {1} 1 1 2 Iэ, мА 15 15 15 15 15 15 {10} 15 {10} {10} {5} 15 15 15 10 10 10 10 10 10 {10} {10} {10} 15 {10} {10} {5} Uкэ. B 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 - 0,25 - - - 0,3 0,3 0,3 0,3 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 - - - 0,25 - - - {Uкэ}, {Iк}, нас, Iкбо, мкА 5 5 5 5 5 5 0,5 0,1 0,5 0,5 0,5 5 5 10 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,1 0,5 0,5 0,5 fгр, ГГц 0,3 0,3 0,45 0,6 0,45 0,6 1,5 1 0,9 0,9 2,1 0,45 0,45 0,45 0,3 0,6 0,8 0,8 0,6 0,8 0,8 0,8 1 1 0,9 0,9 2,1 Кш, дБ 8 - - - - - - - - 3,3 - - - - 8 - - - - - 2,5 - - - - 3,3 - 34 34 34 34 34 34 38 39 24 24 40 34 34 34 41 9 9 9 9 9 42 42 42 39 24 24 40 Рисунок Транзисторы типа КТ396А-9 маркируются одной зелёной точкой.
Таблица 5.1.9. Транзисторы p-n-p средней мощности (0,3 Вт < Рк.макс 1,5 Вт) низкой частоты (fгр 3 МГц) [39].
Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, А ГТ402А ГТ402Б ГТ402В ГТ402Г ГТ402Д ГТ402Е ГТ402Ж ГТ402И ГТ405А ГТ405Б ГТ405В ГТ405Г КТ502А КТ502Б КТ502В КТ502Г КТ502Д КТ502Е 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 UкэR. макс, В 25 25 40 40 25 25 40 40 25 25 40 40 25 25 40 40 60 80 Рк.макс, Вт 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,35 0,35 0,35 0,35 0,35 0,35 Тп. Т, С макс, С - - - - 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 125 125 125 125 125 125 Тмакс, С 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 85 85 85 85 85 85 Uкб, h21Э 30Е80 60Е150 30Е80 60Е150 30Е80 60Е150 30Е80 60Е150 30Е80 60Е150 30Е80 60Е150 40Е120 80Е240 40Е120 80Е240 40Е120 40Е120 {Uкэ}, B 1 1 1 1 1 1 1 1 {1} {1} {1} {1} 5 5 5 5 5 Значения параметров при Tп = 25 С Iэ, мА 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 10 10 10 10 10 10 Iкбо, мкА 20 20 20 20 25 25 25 25 25 25 25 25 1 1 1 1 1 1 fh21, МГц 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 5 5 5 5 5 5 Rтп-с, С / Вт 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 214 214 214 214 214 214 43 43 43 43 43 43 43 43 44 44 44 44 37 37 37 37 37 37 Рисунок Как определить тип и буквы транзисторов серии КТ502? На боковой поверхности корпуса транзистора находится жёлтая точка. Буквенный индекс определяется по цвету точки на торце транзистора. Красная точка - А;
жёлтая - Б;
зелёная - В;
голубая - Г;
синяя - Д;
белая - Е.
Таблица 5.1.10. Транзисторы n-p-n средней мощности (0,3 Вт < Рк.макс 1,5 Вт) низкой частоты (fгр 3 МГц) [39].
Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, А ГТ404А ГТ404Б ГТ404В ГТ404Г ГТ404Д ГТ404Е ГТ404Ж ГТ404И КТ503А КТ503Б КТ503В КТ503Г КТ503Д КТ503Е 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 UкэR.макс, {Uкэо.макс}, В 25 25 40 40 25 25 40 40 {25} {25} {40} {40} {60} {80} Рк. макс, Вт 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,35 0,35 0,35 0,35 0,35 0,35 25 25 25 25 25 25 25 25 - - - - - - Тп. Т, С макс, С 85 85 85 85 85 85 85 85 125 125 125 125 125 125 Тмакс, С 55 55 55 55 55 55 55 55 - - - - - - h21Э 30Е80 60Е150 30Е80 60Е150 30Е80 60Е150 30Е80 60Е150 40Е120 80Е240 40Е120 80Е240 40Е120 40Е120 Uкб, B 1 1 1 1 1 1 1 1 5 5 5 5 5 Значения параметров при Tп = 25 С Iэ, {Iк}, мА 3 3 3 3 3 3 3 3 {10} {10} {10} {10} {10} {10} Iкбо, мкА 25 25 25 25 25 25 25 25 1 1 1 1 1 1 fгр, МГц 1 1 1 1 1 1 1 1 5 5 5 5 5 5 Rтп-с, С / Вт 100 100 100 100 100 100 100 100 214 214 214 214 214 214 43 43 43 43 43 43 43 43 37 37 37 37 37 37 Рисунок Транзисторы серии ГТ404 выпускаются в металлическом герметичном корпусе с гибкими выводами. Имеются два варианта корпусов, рассчитанные на предельную мощность 300 мВт и 600 мВт;
соответственно масса 2 и 5 г. Как определить тип и буквы транзисторов серии КТ503? На боковой поверхности корпуса транзистора находится белая точка. Буквенный индекс определяется по цвету точки на торце транзистора. Красная точка - А;
жёлтая - Б;
зелёная - В;
голубая - Г;
синяя - Д;
белая - Е.
Таблица 5.1.11. Транзисторы p-n-p средней мощности (0,3 Вт < Рк.макс 1,5 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр 300 МГц) [39].
Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, А 2Т313А 2Т313Б 2Т629АМ-2 2Т632А КТ629А КТ629АМ-2 КТ632Б КТ644А КТ644Б КТ644В КТ644Г КТ668А КТ668Б КТ668В П607 П607А П608 П608А П608Б П609 П609А П609Б 0,6 0,6 1 0,1 1 1 0,1 0,6 0,6 0,6 0,6 0,1 0,1 0,1 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 Iк.и. макс, А 0,7 0,7 - 0,35 - - - 1 1 1 1 - - - 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 Uкэо.гр, {Uкэо.макс}, [UкэR.макс], B [50] [50] 50 [120] 40 [50] [100] 60 60 40 40 {45} {45} {45} 25 25 25 25 40 25 25 40 Uкбо. Uэбо. макс, B 60 60 50 120 50 50 - 60 60 60 60 50 50 50 30 30 30 30 50 30 30 50 макс, B 5 5 4,5 5 4,5 4,5 5 5 5 5 5 5 5 5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 Рк.макс, {Рмакс}, Вт 1,5 1,5 1 0,5 1 1 0,5 1 1 1 1 0,5 0,5 0,5 {1,5} {1,5} {1,5} {1,5} {1,5} {1,5} {1,5} {1,5} 30Е120 80Е300 25Е80 50 25Е150 25Е150 30 40Е120 100Е300 40Е120 100Е300 75Е140 125Е250 220Е475 20Е80 60Е200 40Е120 80Е240 40Е120 40Е120 80Е240 80Е240 h21Э Значения параметров при Tп = 25 С Uкб, {Uкэ}, B 10 10 1,5 {10} 5 5 {10} 10 10 10 10 5 5 5 {3} {3} {3} {3} {3} {3} {3} {3} Iэ, {Iк}, мА 1 1 500 1 200 200 1 150 150 150 150 2 2 2 {250} {250} {250} {250} {250} {250} {250} {250} Uкэ.нас, Iкбо, B 0,5 0,5 0,8 0,5 1,0 1 0,8 0,4 0,4 0,4 0,4 0,3 0,3 0,3 2 2 2 2 2 2 2 2 fгр, Рисунок мкА МГц 0,5 0,5 5 1 5 5 10 0,1 0,1 0,1 0,1 15 15 15 300 300 300 300 500 300 300 500 200 200 250 200 250 250 200 200 200 200 200 200 200 200 60 60 90 90 90 120 120 120 9 9 45 46 47 45 46 48 48 48 48 37 37 37 49 49 49 49 49 49 49 Таблица 5.1.12. Транзисторы n-p-n средней мощности (0,3 Вт < Рк.макс 1,5 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр 300 МГц) [39].
Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, А 2Т603А 2Т603Б 2Т603В 2Т603Г 2Т603И 2Т608А 2Т608Б КТ601А КТ601АМ КТ603А КТ603Б КТ603В КТ603Г КТ603Д КТ603Е КТ605А КТ605АМ КТ605Б КТ605БМ КТ608А КТ608Б КТ630А КТ630Б КТ630В КТ630Г КТ630Д КТ630Е КТ645А КТ645Б КТ646А КТ646Б КТ620Б 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,4 0,4 0,03 0,03 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,1 0,1 0,1 0,1 0,4 0,4 1 1 1 1 1 1 0,3 0,3 1 1 - Iк.и. макс, А 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,8 0,8 - - 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,2 0,2 0,2 0,2 0,8 0,8 2 2 2 2 2 2 0,6 0,6 1,2 1,2 - UкэR.макс, {Uкэо.гр}, B 30 30 15 15 30 60 60 100 100 30 30 15 15 10 10 250 250 250 250 60 60 {90} {80} {100} {60} {50} {50} 50 40 50 40 20 Uкбо. Uэбо. макс, B 30 30 15 15 30 60 60 100 100 30 30 15 15 10 10 300 300 300 300 60 60 120 120 150 100 60 60 60 40 60 40 50 макс, B 3 3 3 3 3 4 4 2 2 3 3 3 3 3 3 5 5 5 5 4 4 7 7 7 7 7 - 4 4 4 4 4 Рк.макс, Вт 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,4 0,4 0,4 0,4 0,5 0,5 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,5 0,5 1 1 0, Значения параметров при Tп = 25 С Uкб, h21Э {Uкэ}, B 20Е80 60Е180 20Е80 60Е180 20Е210 25Е80 50Е160 16 16 10Е80 60 10Е80 60 20Е80 60Е200 10Е40 10Е40 30Е140 30Е140 20Е80 40Е160 40Е120 80Е240 40Е120 40Е120 80Е240 160Е480 20Е200 80 40Е200 150Е200 30Е100 2 2 2 2 2 5 5 {20} {20} 2 2 2 2 2 2 40 40 40 40 5 5 {10} {10} {10} {10} {10} {10} 2 10 5 5 5 Iэ, {Iк}, мА 150 150 150 150 350 200 200 10 10 150 150 150 150 150 150 20 20 20 20 200 200 {150} {150} {150} {150} {150} {150} 150 2 200 200 {200} Uкэ. нас, B 0,8 0,8 0,8 0,8 1,2 1 1 - - 1 1 1 1 1 1 8 8 8 8 1 1 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,5 0,5 0,85 0,85 1 Iкбо, {IкэR}, [Iкэо], мкА 3 3 3 3 3 10 10 {500} {500} 10 10 5 5 1 1 [20] [20] [20] [20] 10 10 {1} {1} {1} {1} {1} {1} 10 10 10 10 5 200 200 200 200 200 200 200 40 40 200 200 200 200 200 200 40 40 40 40 200 200 50 50 50 50 50 50 200 200 200 200 200 50 50 50 50 50 16 16 16 58 50 50 50 50 50 50 16 58 16 58 16 16 83 83 83 83 83 83 51 51 48 48 16 fгр, МГц Рисунок Транзисторы КТ645 - это высокочастотные малошумящие транзисторы, которые используют в УНЧ, генераторах, преобразователях частоты, стабилизаторах.
Таблица 5.1.13. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) низкой частоты (fгр 3 МГц) [39].
Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, А 1Т403А 1Т403Б 1Т403В 1Т403Г 1Т403Д 1Т403Е 1Т702А 1Т702Б 1Т702В 2Т818А 2Т818А-2 2Т818Б 2Т818Б-2 2Т818В 2Т818В-2 ГТ403А ГТ403Б ГТ403В ГТ403Г ГТ403Ю ГТ701А ГТ703А ГТ703Б ГТ703В ГТ703Г ГТ703Д КТ814А КТ814Б КТ814В КТ814Г КТ816А КТ816Б КТ816В КТ816Г КТ818А 1,25 1,25 1,25 1,25 1,25 1,25 30 30 30 15 15 15 15 15 15 1,25 1,25 1,25 1,25 1,25 12 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 1,5 1,5 1,5 1,5 3 3 3 3 10 Iк.и. макс, А - - - - - - - - - 20 20 20 20 20 20 - - - - - - - - - - - 3 3 3 3 6 6 6 6 15 Uкэо.гр, {Uкэо.макс}, [UкэR.макс], B {30} {30} {45} {45} {45} {45} {60} {60} {40} 80 80 60 60 40 40 {30} {30} {45} {45} {30} 120 [20] [20] [30] [30] [40] 25 40 60 80 25 45 60 80 25 Uкбо. макс, B 45 45 60 60 60 60 60 60 60 100 100 80 80 60 60 45 45 60 60 45 - - - - - - - - - - - - - - - Uэбо. Рк.макс, макс, {Рмакс}, B 20 20 20 20 20 20 4 4 4 5 5 5 5 5 5 20 20 20 20 20 15 - - - - - 5 - - - - - - - 5 Вт 4 4 5 4 4 5 150 150 150 100 40 100 40 100 40 4 4 5 4 4 50 15 15 15 15 15 10 10 10 10 25 25 25 25 60 h21Э, {h21э} {20Е60} {50Е150} {20Е60} {50Е150} {50Е150} 30 15Е100 20Е100 15Е100 20 20 20 20 20 20 {20Е60} {50Е150} {20Е60} {50Е150} {30Е60} 10 30Е70 50Е100 30Е70 50Е100 20Е45 40 40 40 30 25 25 25 25 15 Uкэ, {Uкб}, B {5} {5} {5} {5} {5} {1} {1,5} {1,5} {1,5} {5} {5} {5} {5} {5} {5} {5} {5} {5} {5} {5} 2 1 1 1 1 1 {2} {2} {2} {2} {2} {2} {2} {2} {5} Значения параметров при Tп = 25 С Iк, {Iэ}, А {0,1} {0,1} {0,1} {0,1} {0,1} {0,45} 30 30 30 {5} {5} {5} {5} {5} {5} {0,1} {0,1} {0,1} {0,1} {0,1} 5 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 {0,15} {0,15} {0,15} {0,15} 2 2 2 2 5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 - 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 2 Uкэ. нас, B 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 1,2 0,6 0,6 1 1 1 1 1 Iкбо, {Iкэо}, мА {5} {5} {5} {5} {5} {5} 12 12 12 - - - - - - {5} {5} {5} {5} {5} 6 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,05 0,05 0,05 0,05 0,1 0,1 0,1 0,1 1 fгр, {fh21}, МГц 0,008 0,008 0,008 0,008 0,008 0,008 0,12 0,12 0,12 3 3 3 3 3 3 0,008 0,008 0,008 0,008 0,008 {0,05} 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 3 3 3 3 3 3 3 3 3 52 52 52 52 52 52 53 53 53 54 55 54 55 54 55 52 52 52 52 52 56 57 57 57 57 57 58 58 58 58 58 58 58 58 55 Рисунок Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, А КТ818АМ КТ818Б КТ818БМ КТ818В КТ818ВМ КТ818Г КТ818ГМ КТ820А-1 КТ820Б-1 КТ820В-1 КТ822А-1 КТ822Б-1 КТ822В-1 КТ835А КТ835Б П4АЭ П4ГЭ П4ВЭ П4ДЭ П201АЭ П201Э П202Э П203Э П207 П207А П208 П208А П209 П209А П210 П210А П210Б П210В П210Ш П213 П213А П213Б П214 5 5 5 5 15 10 15 10 15 10 15 0,5 0,5 0,5 2 2 2 3 7,5 5 5 5 5 1,5 1,5 2 2 25 25 25 25 12 12 12 12 12 12 Iк.и. макс, А 20 15 20 15 20 15 20 1,5 1,5 1,5 4 4 4 - - - - - - 2 - 2,5 2,5 - - - - - - - - - - 9 - - - - Uкэо.гр, {Uкэо.макс}, [UкэR.макс], B 25 40 40 60 60 80 80 40 60 80 45 60 80 30 30 [50] [50] [35] [50] [30] [30] [55] [55] {40} {40} {60} {60} {40} {40} {60} 50 {50} {40} 50 {30} [30] [30] [45] Uкбо. макс, B - - - - - - - - - - - - - 30 45 60 60 40 60 45 45 70 70 - - - - - - - 65 65 45 - 45 45 45 60 Uэбо. Рк.макс, макс, {Рмакс}, B 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 - - - - 4 - - - - - - - - - - - - - - - 25 25 25 25 - 10 10 15 Вт 100 60 100 60 100 60 100 10 10 10 20 20 20 - - {20} {25} {25} {25} {10} {10} {10} {10} 100 100 100 100 60 60 60 60 45 45 {60} {11,5} {10} {10} {10} h21Э, {h21э} 20 20 20 15 20 12 20 40 40 30 25 25 25 25 10Е100 5 15Е30 10 30 40 20 20 - 5Е15 5Е12 15 15 15 15 15 15 10 10 15Е60 20Е50 20 40 20Е Значения параметров при Tп = 25 С Uкэ, {Uкб}, B 5 {5} 5 {5} 5 {5} 5 {2} {2} {2} 2 2 2 {1} 5 10 10 10 10 10 10 10 - - - - - - - - 2 2 2 1 5 5 5 5 Iк, {Iэ}, А 5 5 5 5 5 5 5 0,15 0,15 0,15 1 1 1 {1} 2 2 2 2 2 0,2 0,2 0,2 - - - - - - - - 5 5 5 7 1 0,2 0,2 0,2 Uкэ. нас, B 1 2 1 2 1 2 1 0,5 0,5 0,5 0,6 0,6 0,6 0,35 2,5 - 0,5 0,5 0,5 2,5 - 2,5 2,5 - - - - - - - 0,6 - - - 0,5 - 2,5 0,9 Iкбо, {Iкэо}, мА - 1 - 1 - 1 - 0,03 0,03 0,03 0,05 0,05 0,05 0,1 0,15 0,5 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 16 16 25 25 8 8 12 8 15 15 8 {20} 1 1 {30} fгр, {fh21}, МГц 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3,0 0,15 0,15 0,15 0,15 0,2 0,1 0,1 0,2 - - - - {0,1} {0,1} {0,1} {0,1} {0,1} {0,1} 0,1 0,15 0,15 0,15 0,15 54 55 54 55 54 55 54 59 59 59 59 59 59 55 55 60 60 60 60 61 61 61 61 62 62 62 62 63 63 63 63 63 63 63 64 64 64 64 Рисунок Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, А П214А П214Б П214В П214Г П215 П216 П216А П216Б П216В П217 П217А П217Б П217В П302 П303 П303А П304 П306 П306А 5 5 5 5 5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,4 0,4 Iк.и. макс, А - - - - - - - - - - - - - - - - - - - Uкэо.гр, {Uкэо.макс}, [UкэR.макс], B [55] {45} [55] [55] {60} {30} {30} [35] [35] {45} {45} {45} [60] 30 50 50 65 [60] [80] Uкбо. макс, B 60 60 60 60 80 40 40 35 35 60 60 60 60 30 50 50 65 60 80 Uэбо. Рк.макс, макс, {Рмакс}, B - 15 - - 15 15 15 15 15 15 15 15 15 - - - - - - Вт 10 {11,5} {10} {10} {10} {30} {30} {24} {24} {30} {30} {30} {24} 7 10 10 10 10 10 h21Э, {h21э} 50Е150 20Е150 20 - 20Е150 18 {20Е80} 10 30 15 {20Е60} 20 5 10 6 6 5 7Е25 5Е Значения параметров при Tп = 25 С Uкэ, {Uкб}, B 5 5 5 - 5 0,75 5 3 3 1 5 5 3 {10} {10} {10} {10} {10} {10} Iк, {Iэ}, А 0,2 0,2 0,2 - 0,2 4 1 2 2 4 1 1 2 {0,12} {0,12} {0,12} {0,06} {0,1} {0,05} Uкэ. нас, B 0,9 0,9 2,5 2,5 0,9 0,75 0,75 0,5 0,5 1 1 1 0,5 - - - - - - Iкбо, {Iкэо}, мА {30} {30} {30} {30} {30} {40} {40} 1,5 2 {50} {50} {50} 3 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 fгр, {fh21}, МГц 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 {0,2} {0,1} {0,1} {0,05} {0,05} {0,05} 64 64 64 64 64 64 64 64 64 64 64 64 64 65 65 65 65 65 65 Рисунок Таблица 5.1.14. Транзисторы n-p-n большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) низкой частоты (fгр 3 МГц) [39].
Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, A 2ТК235-40-0,5 2ТК235-40-1 2Т704А 2Т704Б 2Т713А 2Т819А 2Т819А-2 2Т819Б 2Т819Б-2 2Т819В 2Т819В-2 2Т848А 2N3055 2N3055E NJE3055 КТ704А КТ704Б КТ704В ГТ705А ГТ705Б ГТ705В ГТ705Г ГТ705Д КТ815А КТ815Б КТ815В КТ815Г КТ817А КТ817Б КТ817В КТ817Г КТ819А КТ819АМ КТ819Б КТ819БМ 25 25 2,5 2,5 3 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 2,5 2,5 2,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 1,5 1,5 1,5 1,5 3 3 3 3 10 15 10 15 Uкэо.гр, Iк.и.макс, A 40 40 4 4 3 20 20 20 20 20 20 - 15 15 15 4 4 4 - - - - - 3 3 3 3 5 5 5 5 15 20 15 20 {UкэR.макс}, [Uкэо.и.макс], B 40 90 [1000] [700] 900 80 80 60 60 40 40 400 60 60 60 [1000] [700] [500] {20} {20} {30} {30} {20} 25 40 60 80 25 45 60 80 25 25 40 40 Uэбо. макс, B 6 6 4 4 6 5 5 5 5 5 5 7 7 7 5 4 4 4 - - - - - 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 Рк.макс, Вт {2000} {3300} 15 15 50 100 40 100 40 100 40 35 115 115 70 15 15 15 15 15 15 15 15 10 10 10 10 25 25 25 25 60 100 60 100 Uкэ, h21Э {Uкб}, B 10 10 10Е100 10Е100 5Е20 20 20 20 20 20 20 20 20Е70 20Е70 20Е70 10Е100 10Е100 10Е100 30Е70 55Е100 30Е70 50Е100 90Е250 40 40 40 30 25 25 25 25 15 15 20 20 5 5 15 15 10 {5} {5} {5} {5} {5} {5} 5 4 4 4 15 15 15 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 {5} {5} {5} {5} Значения параметров при Tп = 25 С Iк, A 20 20 1 1 1,5 5 {5} 5 {5} 5 {5} 15 4 4 4 1 1 1 {0,05} {0,05} {0,5} {0,5} {0,5} 0,15 0,15 0,15 0,15 {1} {1} {1} {1} 5 5 5 5 Uкэ. нас, B 1,5 1,5 5 5 1 1 1 1 1 1 1 1,5 - - - 5 5 5 1 1 1 1 1 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 2 2 2 2 Iкэо, {Iкбо}, [IкэR], мА 5 5 [5] [5] [1] [0,25] [3] - - - - 5 [5] [1] [1] [5] [5] [5] [1,5] [1,5] [1,5] [1,5] [1,5] {0,05} {0,05} {0,05} {0,05} {0,1} {0,1} {0,1} {0,1} {1} {1} {1} {1} - - 3 3 1,5 3 3 3 3 3 3 3 0,8 2,5 2 3 3 3 {0,01} {0,01} {0,01} {0,01} {0,01} 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 66 66 67 67 54 54 55 54 55 54 55 57 115 115 113 67 67 67 57 57 57 57 57 58 58 58 58 58 58 58 58 55 54 55 54 fгр, МГц Рисунок Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, A КТ819В КТ819ВМ КТ819Г КТ819ГМ КТ821А-1 КТ821Б-1 КТ821В-1 КТ823А-1 КТ823Б-1 КТ823В-1 КТ838А КТ844А КТ846А КТ848А 10 15 10 15 0,5 0,5 0,5 3 3 3 5 10 5 15 Uкэо.гр, Iк.и.макс, A 15 20 15 20 1,5 1,5 1,5 4 4 4 7,5 16 - - {UкэR.макс}, [Uкэо.и.макс], B 60 60 80 80 40 60 80 45 60 80 700 {250} {1500} 400 Uэбо. макс, B 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 - 4 - 15 Рк.макс, Вт 60 100 60 100 10 10 10 20 20 20 12,5 50 12 Значения параметров при Tп = 25 С Uкэ, h21Э {Uкб}, B 15 15 12 12 40 40 30 25 25 25 - 10Е50 - 20 {5} {5} {5} {5} {2} {2} {2} 2 2 2 - 3 - 5 Iк, A 5 5 5 5 0,15 0,15 0,15 1 1 1 - 6 - 15 Uкэ. нас, B 2 2 2 2 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 5 2,5 1 2 Iкэо, {Iкбо}, [IкэR], мА {1} {1} {1} 5 {0,03} {0,03} {0,03} {0,05} {0,05} {0,05} - [3] {1} 5 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 1 2 - 55 54 55 54 59 59 59 68 68 68 57 57 57 57 fгр, МГц Рисунок Транзисторы 2N3055 и 2N3055E оформлены в корпус типа TO-3, а NJE3055 - в корпус TO-220. Предназначены для применения в стабилизированных блоках питания. Аналог - КТ819ГМ. Выпускаются транзисторы 2N3055, имеющие размеры и цоколёвку, указанную на рисунке 54.
Таблица 5.1.15. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) средней частоты (3 МГц < fгр 30 МГц) [39].
Предельные значения параметров при Tп = 25 С Uкэо.гр, Тип прибоUэбо. ра Iк.макс, Iк.и.макс, {Uкэо.макс}, A 1Т806А 1Т806Б 1Т813А 1Т901А 1Т901Б 1Т905А 1Т906А 1Т910АД 2Т505А 2Т505Б 2Т830А 2Т830Б 2Т830В 2Т830В-1 2Т830Г 2Т830Г-1 2Т836А 2Т836Б 2Т836В 2Т842А 2Т842А-1 2Т842Б 2Т842Б-1 2Т860А 2Т860Б 2Т860В 2Т883А 2Т883Б 2Т932А ГТ804А ГТ804Б ГТ804В ГТ806А ГТ806Б ГТ806В 20 20 30 10 10 3 10 10 1 1 2 2 2 2 2 2 3 3 3 5 5 5 5 2 2 2 1 1 2 10 10 10 15 15 15 A 25 25 40 - - 7 - 20 2 2 4 4 4 4 4 4 4 4 4 8 8 8 8 4 4 4 2 2 - - - - - - - [UкэR.макс], B 40 65 60 40 30 65 65 25 250 200 25 45 60 60 80 80 80 80 40 250 250 150 150 80 60 30 250 200 {80} {100} {140} {190} {75} {100} {120} макс, B 2 2 2 - - - 1,4 - 5 5 12 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 4,5 - - - 1,5 1,5 1,5 Рк.макс, Вт 30 30 50 15 15 6 15 35 5 5 5 5 5 25 5 25 5 5 5 50 30 50 30 10 10 10 10 10 20 15 15 15 30 30 30 Uкэ, h21Э B 10Е100 10Е100 10Е60 20Е50 40Е100 35Е100 30Е150 50Е320 25Е140 25Е140 25Е55 25Е55 25Е55 25Е200 20Е50 25Е200 20 20 20 15 10 15 10 40Е160 50Е200 80Е300 25 25 15Е80 20Е150 20Е150 20Е150 10Е100 10Е100 10Е100 - - - 10 10 {10} {10} 10 {10} {10} {1} {1} {1} {2} {1} {2} {5} {5} {5} {15} {4} {15} {4} {1} {1} {1} {10} {10} 3 10 10 10 - - - Значения параметров при Tп = 25 С Iк, A 10 10 20 {5} {5} {3} {5} {10} {0,5} {0,5} {1} {1} {1} {1} {1} {1} {2} {2} {2} 5 {5} 5 {5} {1} {1} {1} {0,5} {0,5} 1,5 5 5 5 10 10 10 Iкбо, Uкэ.нас, {Iкэо}, B 0,6 0,6 0,8 0,6 0,6 0,5 0,5 0,6 1,8 1,8 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,35 0,45 1,8 1,8 1,8 1,8 0,35 0,35 0,35 1,8 1,8 1,5 0,4 0,5 0,6 0,6 0,6 0,6 [IкэR], мА {12} {12} {16} 8 8 2 {8} 6 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 1 1 1 1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 [0,5] {12} {12} {12} {15} {15} {15} 10 10 - 30 30 30 30 30 20 20 4 4 4 4 4 4 4 4 4 20 10 20 10 10 10 10 20 20 30 10 10 10 10 10 10 69 69 69 70 70 71 71 72 46 46 46 46 46 68 46 68 73 73 73 54 55 54 55 46 46 46 55 55 54 71 71 71 69 69 69 fгр, МГц Рисунок {Uкб}, {Iэ}, Предельные значения параметров при Tп = 25 С Uкэо.гр, Тип прибоUэбо. ра Iк.макс, Iк.и.макс, {Uкэо.макс}, A ГТ806Г ГТ806Д ГТ810А ГТ906А ГТ906АМ КТ837А КТ837Б КТ837В КТ837Г КТ837Д КТ837Е КТ837Ж КТ837И КТ837К КТ837Л КТ837М КТ837Н КТ837П КТ837Р КТ837С КТ837Т КТ837У КТ837Ф КТ851А КТ851Б КТ851В КТ855А КТ855Б КТ855В КТ865А П601АИ П601БИ П601И П602АИ П602И П605 П605А П606 15 15 10 10 10 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 2 2 2 5 5 5 10 - - - - - 0,5 - 0,5 A - - 10 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 [UкэR.макс], B {50} {140} [200] 75 75 {60} {60} {60} {45} {45} {45} {30} {30} {30} {60} {60} {60} {45} {45} {45} {30} {30} {30} 200 250 150 {250} {150} {150} 160 25 25 20 20 25 35 35 20 макс, B 1,5 1,5 1,4 1,4 1,4 15 15 15 15 15 15 15 15 15 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 6 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 1 1 0,5 Рк.макс, Вт 30 30 15 15 15 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 25 25 25 40 40 40 100 3 3 3 3 3 3 3 Значения параметров при Tп = 25 С Uкэ, h21Э B 10Е100 10Е100 15 30Е150 30Е150 10Е40 10Е40 20Е80 10Е40 10Е40 20Е80 10Е40 10Е40 20Е80 10Е40 20Е80 50Е150 10Е40 20Е80 50Е150 10Е40 20Е80 50Е150 40Е200 20Е200 20Е200 20 20 15 40Е200 40Е100 80Е200 20 80Е200 40Е100 20Е60 50Е120 20Е60 - - 10 {10} {10} 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 10 10 10 4 4 4 {4} 3 3 3 3 3 3 3 3 Iк, A 10 10 5 {5} {5} 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 0,5 0,5 0,5 2 2 2 {2} 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Iкбо, Uкэ.нас, {Iкэо}, B 0,6 0,6 0,7 0,5 0,5 2,5 2,5 2,5 0,5 0,5 0,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 0,9 0,9 0,9 0,5 0,5 0,5 1 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 [IкэR], мА {15} {12} 20 {8} {8} 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 [0,1] [0,5] [0,5] 1 0,1 1 0,1 1,5 1,5 2 1,5 1,5 2 2 2 10 10 15 - - - - - - - - - - - - - - 5 - - - - - 20 20 20 5 5 5 15 20 20 20 30 30 30 30 30 69 69 71 71 74 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 75 75 75 75 75 75 54 76 76 76 76 76 76 76 76 fгр, МГц Рисунок {Uкб}, {Iэ}, Предельные значения параметров при Tп = 25 С Uкэо.гр, Тип прибоUэбо. ра Iк.макс, Iк.и.макс, {Uкэо.макс}, A П606А 0,5 A 1,5 [UкэR.макс], B 20 макс, B 0,5 Рк.макс, Вт Значения параметров при Tп = 25 С Uкэ, h21Э B 50Е120 3 Iк, A 0,5 Iкбо, Uкэ.нас, {Iкэо}, B 2 [IкэR], мА 2 30 76 fгр, МГц Рисунок {Uкб}, {Iэ}, Таблица 5.1.16. Транзисторы n-p-n большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) средней частоты (3 МГц < fгр 30 МГц) [39], [18, стр. 214 - 215, 252 - 253].
Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, A 2Т504Б 2Т803А 2Т808А 2Т809А 2Т812А 2Т812Б 2Т824А 2Т824АМ 2Т824Б 2Т824БМ 2Т826А 2Т826Б 2Т826В 2Т828А 2Т839А 2Т841А 2Т841А-1 2Т841Б 2Т841Б-1 2Т844А 2Т845А 2Т847А 2Т847Б 2Т856А 2Т856Б 2Т856В 2Т862А 2Т862Б 2Т862В 2Т862Г 2Т866А KU612 KUY12 КТ506А КТ801А 1 10 10 3 10 10 10 10 10 10 1 1 1 5 10 10 10 10 10 10 5 15 15 10 10 10 15 15 10 10 20 2 10 2 2 Iк.и. макс, A 2 - - 5 17 17 17 17 17 17 1 1 1 7,5 10 15 15 15 15 20 7,5 25 25 12 12 1 30 25 15 15 20 - - - - Uкэо.гр, [UкэR.макс], {Uкэо.макс}, B 150 [60] [120] [400] [700] и [500] и 350 350 350 350 500 600 500 700 700 350 350 250 250 250 400 360 400 450 400 300 250 250 350 400 100 - - [800] [80] Uкбо.макс, {Uкбо. и.макс}, B 250 - - - - - - - - - - - - - 1500 600 600 400 400 - - - - 1000 800 600 450 450 600 600 200 120 210 800 - Рк.макс, {Рк.ср.макс}, Вт 10 60 50 40 50 50 50 50 50 50 15 15 15 50 50 25 25 50 30 50 40 125 125 75 75 75 70 50 50 50 30 10 70 10 5 15Е140 18Е80 10Е50 15Е100 5Е30 5Е30 5 5 5 5 10Е120 10Е120 10Е120 2,25 5 12Е45 10 12Е45 10 10Е50 15Е100 8Е25 8Е25 10Е30 10Е60 10Е60 10Е100 10Е100 12Е45 12Е50 15Е100 20 10 30Е150 13Е50 h21Э Значения параметров при Tп = 25 С Uкэ, B {5} 10 3 5 3 3 2,5 2,5 2,5 2,5 10 10 10 5 10 5 {5} 5 {5} 3 5 3 3 5 5 5 5 5 5 5 {10} 6 1,7 {5} 5 Iк, A {0,5} 5 6 2 8 8 8 8 8 8 0,1 0,1 0,1 4,5 4 5 {5} 5 {5} 6 2 15 15 5 5 5 15 15 5 5 {10} 0,2 8 {0,3} 1 Uкэ. B 1 2,5 - 1,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 3 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 2,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 2 2 1,5 1,5 1,5 - - 0,6 2 Iкбо, мА 0,1 1 {3} {3} 5 5 5 5 5 5 {2} {2} {2} 5 1 3 3 3 3 {3} {3} 5 5 3 3 3 5 5 3 3 25 0,3 1 1 {10} fгр, МГц 20 20 8,4 5,1 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 4 4 6 4 5 10 10 10 10 7,2 4,5 15 15 10 10 10 20 20 20 20 25 9 9 10 10 46 69 69 69 54 54 67 57 67 57 54 54 54 54 54 54 55 54 55 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 77 114 115 46 78 Рисунок {Uкб}, {Iэ}, нас, {IкэR}, Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, A КТ801Б КТ802А КТ803А КТ805А КТ805Б КТ805БМ КТ805ВМ КТ807А КТ807АМ КТ807Б КТ807БМ КТ808А КТ808АМ КТ808БМ КТ808ВМ КТ808ГМ КТ809А КТ812А КТ812Б КТ812В КТ826А КТ826Б КТ826В КТ839А КТ841А КТ845А КТ847А КТ854А КТ854Б КТ859А КТ864А КТ908А КТ908Б П701 П701А П701Б П702 П702А 2 5 10 5 5 5 5 0,5 0,5 0,5 0,5 10 10 10 10 10 3 8 8 8 1 1 1 10 10 5 15 10 10 3 10 10 10 0,5 0,5 0,5 2 2 Iк.и. макс, A - - - 8 8 8 8 1,5 1,5 1,5 1,5 - 12 12 12 12 5 12 12 12 1 1 1 - - 7,5 - - - - - - - 1 1 - - - Uкэо.гр, [UкэR.макс], {Uкэо.макс}, B [60] - [60] [160] [135] [135] [135] [100] [100] [100] [100] [120] 130 100 80 70 [400] [700] и [500] и [300] и 500 600 600 {1500} - [400] {650} {500} {300} [800] 160 [100] [60] [40] [60] [40] {60} {60} Uкбо.макс, {Uкбо. и.макс}, B - 150 - - - - - - - - - - 250 160 135 80 - - - - - - - 1500 600 - - 600 400 800 200 140 140 40 60 40 60 60 Рк.макс, {Рк.ср.макс}, Вт 5 50 60 {30} {30} {30} {30} 10 10 10 10 50 60 60 60 60 40 50 50 50 15 15 15 50 50 40 125 60 60 40 100 50 60 10 10 10 40 40 30Е150 15 10Е70 15 15 15 15 15Е45 15Е45 30Е100 30Е100 10Е50 20Е125 20Е125 20Е125 20Е125 15Е100 4 4 10Е125 10Е120 10Е120 10Е120 5 12Е45 15Е100 8Е25 20 20 10 40Е200 8Е60 20 10Е40 15Е60 30Е100 25 10 h21Э Значения параметров при Tп = 25 С Uкэ, B 5 {10} 10 10 10 10 10 5 5 5 5 3 3 3 3 3 5 2,5 2,5 5 10 10 10 10 {5} 5 3 {4} {4} 10 {4} 2 4 {10} {10} {10} {10} {10} Iк, A 1 2 5 2 2 2 2 0,5 0,5 0,5 0,5 6 2 2 2 2 2 8 8 2,5 0,1 0,1 0,1 4 {5} 2 15 {2} {2} 1 {2} 10 4 0,5 0,2 0,5 {1,1} {1,1} Uкэ. B 2 5 2,5 2,5 5 5 2,5 1 1 1 1 - 2 2 2 2 1,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 1,5 1,5 1,5 1,5 2 2 1,5 2 1,5 1 7 7 7 2,5 4 Iкбо, мА {10} 60 {5} {60} {70} {70} {70} {5} {5} {5} {5} {3} 2 {25} 2 2 {3} 5 5 5 {2} {2} {2} 1 5 {3} 3 3 3 1 0,1 {3} {50} 0,1 0,1 0,1 5 2,5 fгр, МГц 10 10 20 20 20 20 20 5 5 5 5 8,4 10 30 10 10 5,1 3,5 3,5 3,5 6 6 6 - 13 5,1 15 10 10 9,9 15 8,4 30 20 20 20 4 4 78 69 69 69 69 55 55 79 48 79 48 69 54 54 54 54 69 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 75 75 75 54 69 69 65 65 65 69 69 Рисунок {Uкб}, {Iэ}, нас, {IкэR}, Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, A ТК135-25-0,5 ТК135-25-1 ТК135-25-1,5 ТК135-25-2 ТК135-25-2,5 ТК135-25-3 ТК135-25-3,5 ТК135-25-4 ТК235-32-0,5 ТК235-32-1 ТК235-32-1,5 16 16 16 16 16 20 20 20 20 20 20 Iк.и. макс, A 25 25 25 25 25 25 25 25 32 32 32 Uкэо.гр, [UкэR.макс], {Uкэо.макс}, B {30} {60} {90} {120} {150} {180} {210} {240} {30} {60} {90} Uкбо.макс, {Uкбо. и.макс}, B {50} {100} {150} {200} {250} {300} {350} {400} {50} {100} {150} Рк.макс, {Рк.ср.макс}, Вт 80 80 80 80 80 80 80 80 110 110 110 10Е100 10Е100 10Е100 10Е100 8 8 8 8 10Е100 10Е100 10Е100 h21Э Значения параметров при Tп = 25 С Uкэ, B 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 Iк, A 12,5 12,5 12,5 12,5 12,5 12,5 12,5 12,5 16 16 16 Uкэ. B 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 Iкбо, мА 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 fгр, МГц 6 6 6 6 6 6 6 6 4 4 4 54 54 54 54 54 54 54 54 66 66 66 Рисунок {Uкб}, {Iэ}, нас, {IкэR}, Ниже показаны типовая входная и выходные характеристики транзисторов типов КТ812А, КТ812Б [27].
Iк, А Iэ, А 4 8 3 6 2 4 1 2 0 1 2 3 Uэб, В 0 1 2 3 4 Uкэ, В А Iб=30м Uкб= 700 600 500 400 300 200 Рисунок 1. Типовая входная характеристика транзисторов типа КТ812А, КТ812Б (в схеме с общей базой).
Рисунок 2. Выходные характеристики транзисторов типа КТ812А, КТ812Б (в схеме с общем эмиттером).
Транзистор KUY12 выпускается в корпусе TO-3 и имеет аналог КТ812В. Транзистор KU612 выпускается в корпусе SOT-9 и имеет аналог КТ801А. Транзистор КТ805Б имеет аналог BDY12, выпускаемый в корпусе MD-17.
Таблица 5.1.17. Транзисторы p-n-p составные большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) средней частоты (3 МГц < fгр 30 МГц) [39].
Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, А 2Т825А 2Т825Б 2Т825В 2Т825А-2 2Т825Б-2 2Т825В-2 КТ825Г КТ825Д КТ825Е КТ852А КТ852Б КТ852В КТ852Г КТ853А КТ853Б КТ853В КТ853Г 20 20 20 15 15 15 20 20 20 2,5 2,5 2,5 2,5 8 8 8 8 Iк.и. макс, А 40 40 40 40 40 40 30 30 30 - - - - - - - - Uкэо.гр, {UкэR.макс}, B 80 60 45 80 60 45 70 45 25 {100} {80} {60} {45} {100} {80} {60} {45} Uкбо. Uэбо. макс, B - - - 100 80 60 - - - 100 80 60 45 100 80 60 45 макс, B 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 Рк.макс, Вт 160 160 160 30 30 30 125 125 125 50 50 50 50 60 60 60 60 h21Э 750Е18000 750Е18000 750Е18000 750Е18000 750Е18000 750Е18000 750 750 750 500 500 500 500 750 750 750 Значения параметров при Tп = 25 С Uкб, {Uкэ}, B 10 10 10 10 10 10 10 10 10 {4} {4} {4} {4} {3} {3} {3} {3} Iк, А 10 10 10 10 10 10 10 10 10 {2} {2} {2} {2} {3} {3} {3} {3} Uкэ.нас, Iкбо, B 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2,5 2,5 2,5 2,5 2 2 2 2 мА - - - - - - - - - 1 1 1 1 0,2 0,2 0,2 0,2 fгр, МГц 4 4 4 4 4 4 4 4 4 7 7 7 7 7 7 7 7 54 54 54 55 55 55 54 54 54 75 75 75 75 75 75 75 75 Рисунок Таблица 5.1.18. Транзисторы n-p-n составные большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) средней частоты (3 МГц < fгр 30 МГц) [39], [18, стр. 258 - 259].
Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, А 2Т827А 2Т827А-2 2Т827А-5 2Т827Б 2Т827Б-2 2Т827В 2Т827В-2 2Т834А 2Т834Б 2Т834В BD647 КТ827А КТ827Б КТ827В КТ829А КТ829Б КТ829В КТ829Г КТ834А КТ834Б КТ834В 20 20 20 20 20 20 20 15 15 15 8 20 20 20 8 8 8 8 15 15 15 Iк.и. макс, А 40 40 40 40 40 40 40 20 20 20 12 40 40 40 12 12 12 12 20 20 20 Uкэо.гр, B 100 100 100 80 80 60 60 400 350 300 100 100 80 60 100 80 60 45 400 350 300 Uкбо. Uэбо. макс, B 100 100 100 80 80 60 60 - - - 100 100 80 60 100 80 60 45 - - - макс, B 5 5 5 5 5 5 5 8 8 8 5 5 5 5 5 5 5 5 8 8 8 Рк.макс, Вт 125 125 125 125 125 125 125 100 100 100 62,5 125 125 125 60 60 60 60 100 100 100 h21Э 750Е18000 750Е18000 750Е18000 750Е18000 750Е18000 750Е18000 750Е18000 150Е3000 150Е3000 150Е3000 750 750Е18000 750Е18000 750Е18000 750 750 750 750 150Е3000 150Е3000 150Е Значения параметров при Tп = 25 С Uкэ, B 3 3 3 3 3 3 3 5 5 5 3 3 3 3 3 3 3 3 5 5 5 Iк, А 10 10 10 10 10 10 10 5 5 5 3 10 10 10 3 3 3 3 5 5 5 Uкэ.нас, B 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 - 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 IкэR, мА 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 - 3 3 3 1,5 1,5 1,5 1,5 3 3 3 fгр, МГц 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 7 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 54 80 81 54 80 54 80 54 54 54 113 54 54 54 82 82 82 82 54 54 54 Рисунок Транзистор BD647 имеет корпус TO-220;
ближайший аналог - КТ829А.
Таблица 5.1.19. Транзисторы составные p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр 300 МГц) [39].
Предельные значения Тип прибора Значения параметров при Tп = 25 С Тмакс, С 85 85 h21Э 750 750 Uкб, Iэ, В 3 3 А 1 1 Uкэ. нас, B 1,5 1,5 IкэR, fгр, мА МГц 1 1 200 200 tрас, мкс 0,2 0,2 Ртп-к, С / Вт 15,6 15,6 48 48 Рисунок параметров при Tп = 25 С Iк. А UкэR. Uкбо. Uэбо. B 60 45 B 60 45 B 5 5 Рк. Вт 8 8 Тп. С 150 150 макс, макс, макс, 4 4 макс, макс, макс, КТ973А КТ973Б Транзисторы КТ973 серии содержат следующую схему:
Коллектор База VT1 VT2 R1 Эмиттер VD Таблица 5.1.20. Транзисторы составные n-p-n большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр 300 МГц) [39].
Предельные значения Тип прибора Значения параметров при Tп = 25 С Тмакс, С 85 85 h21Э 750 750 Uкб, Iэ, В 3 3 А - - Uкэ. нас, B 1,5 1,5 IкэR, fгр, мА МГц 1 1 200 200 tрас, мкс 0,2 0,2 Ртп-к, С / Вт 15,6 15,6 48 48 Рисунок параметров при Tп = 25 С Iк. А UкэR. Uкбо. Uэбо. B 60 45 B 60 45 B 5 5 Рк. Вт 8 8 Тп. С 150 150 макс, макс, макс, 4 4 макс, макс, макс, КТ972А КТ972Б Таблица 5.1.21. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр 300 МГц) усилительные и генераторные [39].
Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора Iк. макс, А 2Т932Б 2Т933А 2Т933Б КТ932А КТ932Б КТ932В КТ933А КТ933Б 2 0,5 0,5 2 2 2 0,5 0,5 Iк.и. макс, А - - - - - - - - Uкэо.макс, B 60 80 60 80 60 40 80 60 Uкбо. Uэбо. макс, B 60 80 60 80 60 40 80 60 B 4,5 4,5 4,5 4,5 4,5 4,5 4,5 4,5 Рк. Вт 20 5 5 20 20 20 5 5 макс, макс, Uкэ, B 3 3 3 3 3 3 3 3 Iк, А 1,5 0,4 0,4 1,5 1,5 1,5 0,4 0, Значения параметров при Tп = 25 С Uкэ. нас, B 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 IкэR, мА 1,5 0,5 0,5 1,5 1,5 1,5 0,5 0,5 fгр, МГц 50 75 75 40 60 - 75 75 Cк, пФ 300 100 100 300 300 300 100 100 h21Э 30Е120 15Е80 30Е120 5Е80 30Е120 40 15Е80 30Е120 Рисунок 54 83 83 54 54 54 84 Таблица 5.1.22. Транзисторы n-p-n большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр 300 МГц) усилительные и генераторные [39].
Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора UкэR.макс, Iк. А 2Т602А 2Т602Б 2Т903А 2Т903Б 2Т912А 2Т912Б 2Т921А 2Т922В 2Т950Б 2Т951А 2Т951Б КТ602А КТ602Б КТ602В КТ602Г КТ611А КТ611АМ КТ611Б КТ611БМ КТ611В КТ611Г КТ902А КТ902АМ КТ903А КТ903Б КТ912А КТ912Б КТ921А КТ921Б КТ922В 0,075 0,075 3 3 20 20 3,5 3 7 5 3 0,075 0,075 0,075 0,075 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 5 5 3 3 20 20 3,5 3,5 3 Iк.и. А 0,5 0,5 0,5 0,5 10 10 - - - 9 - - - 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 - - - - - - - - 10 10 - - - - 9 (Uкэо.гр), {Uкэо.макс}, B (70) (70) (70) (70) 60 60 70 70 65 60 [65] [60] [60] (70) (70) (70) (70) 70 70 180 180 180 180 150 150 110 и 110 и 60 60 70 70 65 65 65 120 120 120 120 - - - - - - - - - 120 120 120 120 80 80 150 120 150 120 150 150 - - - - - - - - - 5 5 5 5 4 4 5 5 4 4 4 4 4 5 5 5 5 5 5 3 4 3 4 3 3 5 5 4 4 5 5 4 4 4 2Т602АМ 0,075 2Т602БМ 0,075 Uкбо. Uэбо. B B макс, макс, [Uкэх.и.макс], макс, макс, Рк. макс, макс}, Вт 2,8 2,8 2,8 2,8 30 30 30 30 {12,5} {40} {60} {45} {30} 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 3 - 3 - 3 3 30 30 30 30 {35} {35} {12,5} {12,5} {40} (10) (10) (10) (10) 10 10 {10} {10} 10 5 10 10 10 (10) (10) (10) (10) (10) (10) (40) (40) (40) (40) (40) (40) 10 10 10 10 10 10 10 10 - (0,01) (0,01) (0,01) (0,01) 2 2 5 5 1 0,5 5 2 2 (0,01) (0,01) (0,01) (0,01) (0,01) (0,01) (0,02) (0,02) (0,02) (0,02) (0,02) (0,02) 2 2 2 2 5 5 1 1 - 3 3 3 3 2 2 - - - 0,6 - - - 3 3 3 3 3 3 8 8 8 8 8 8 2 2 2,5 2,5 - - - - - Uкэ, B Iк, (Iэ), А Uкэ. нас, B {Рк.ср. (Uкб), Значения параметров при Tп = 25 С IкэR, (Iкбо), [Iкэк], мА (0,01) (0,01) (0,01) (0,01) 2 2 50 50 10 20 30 (20) 20 (0,07) (0,07) (0,07) (0,07) (0,07) (0,07) [0,1] 0,1 [0,1] 0,1 [0,1] [0,1] (10) (10) 10 11 50 50 10 10 40 150 150 150 150 120 120 90 90 90 300 90 150 90 150 150 150 150 150 150 60 60 60 60 60 60 35 35 120 120 90 90 90 90 300 4 4 4 4 - - - - - - - - - 4 4 4 4 4 4 5 5 5 5 5 5 - - - - - - - - - 20Е80 20Е80 50Е200 50Е200 15Е70 40Е80 10Е50 20Е100 10Е80 10Е150 10Е100 15Е100 10Е100 20Е80 20Е80 50Е220 50Е220 15Е80 50 10Е40 10Е40 30Е120 30Е120 10Е40 30Е120 15 15 15Е70 40Е80 10Е50 20Е100 10Е80 10Е80 - 85 48 85 48 86 86 110 110 87 88 89 90 90 85 48 85 48 85 85 50 48 50 48 50 50 69 55 69 69 110 110 87 87 88 fгр, МГц Cк, пФ h21Э Рисунок КТ602АМ 0,075 КТ602БМ 0, Предельные значения параметров при Tп = 25 С Тип прибора UкэR.макс, Iк. А КТ922Д КТ940А КТ940Б КТ940В КТ945А КТ961А КТ961Б КТ961В КТ961Г КТ969А 3 0,1 0,1 0,1 15 1,5 1,5 1,5 2 0,1 Iк.и. А 9 0,3 0,3 0,3 25 2 2 2 3 0,2 (Uкэо.гр), {Uкэо.макс}, B 65 300 250 160 150 100 80 60 40 (250) - 300 150 150 - 100 80 60 40 300 4 5 5 5 5 5 5 5 5 5 Uкбо. Uэбо. B B макс, макс, [Uкэх.и.макс], макс, макс, Рк. макс, макс}, Вт {40} 10 10 10 50 12,5 12,5 12,5 12,5 6 - 10 10 10 7 10 10 10 10 10 - 0,03 0,03 0,03 15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,015 Uкэ, B Iк, (Iэ), А Значения параметров при Tп = 25 С Uкэ. нас, B - 1 1 1 - 0,5 0,5 0,5 0,5 1 IкэR, (Iкбо), [Iкэк], мА 40 (510 ) -5 -5 - {Рк.ср. (Uкб), fгр, МГц Cк, пФ h21Э Рисунок 250 90 90 90 51 50 50 50 50 - 5,5 5,5 5,5 - - - - - 1, - 25 25 25 10Е80 40Е100 63Е160 100Е250 20Е500 50Е 88 48 48 48 54 48 48 48 48 (510 ) (510 ) - (0,01) (0,01) (0,01) (0,01) (510 ) - Транзистор КТ945А изготовлен по эпитаксиальной технологии и имеет аналог 2N3442.
Таблица 5.1.23. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) сверхвысокой частоты (fгр > 300 МГц) усилительные и генераторные [39].
Предельные значения Тип прибора Значения параметров при Tп = 25 С Рк. макс, Вт 7 7 Uкэ, B 5 5 Iк, А 0,25 0,25 Uкэ. нас, B 0,6 0,6 IкэR, мА 2 2 fгр, ГГц 0,35 0,35 Cк, пФ 12 12 h21Э 10Е60 10Е60 Рисунок параметров при Tп = 25 С Iк. А Iк.и. А 1,5 1,5 макс, макс, 0,8 0,8 Uкэо.макс, B 65 65 Uкбо. Uэбо. макс, макс, B - - B 4 2Т914А КТ914А 87 Таблица 5.1.24. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (fгр > 300 МГц) переключательные и импульсные [39].
Предельные значения Тип прибора Значения параметров при Tп = 25 С Рк. макс, Вт 6 6 6,5 6,5 6,5 6,5 6,5 Uкэ, {Uкб}, B {10} {10} 2 2 2 2 2 Iк, {Iэ}, А {3} {3} 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 Uкэ. нас, B 0,5 0,5 1 1 1 1 1 Iкбо, мА 2 2 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 fгр, МГц 60 60 75 75 45 45 45 Cк, пФ 200 200 150 150 150 150 150 h21Э 35Е100 35Е100 40Е250 30Е100 15Е45 15Е80 40Е250 Рисунок параметров при Tп = 25 С Iк. А Iк.и. А 7 7 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 UкэR.макс, {Uкэо.гр}, B {65} {65} 45 60 80 20 20 Uкбо. Uэбо. макс, макс, B 75 60 45 60 80 20 20 B - - - - - - - макс, макс, 3 3 0,5 0,5 0,5 0,5 0, ГТ905А ГТ905Б КТ626А КТ626Б КТ626В КТ626Г КТ626Д 74 74 48 48 48 48 5.2 Однопереходные транзисторы Таблица 5.2.1. Транзисторы однопереходные с n - базой малой мощности (Рк.макс. 0,3 Вт) [39], [30, стр. 688].
Предельные значения Тип прибора Значения параметров при Tп = 25 С 0,5Е0,7 0,65Е0,85 0,5Е0,7 0,65Е0,85 0,5Е0,7 0,65Е0,9 0,5Е0,7 0,65Е0,9 Uб1б2, В 10 10 10 10 10 10 10 10 Uкэ. нас., B 5 5 5 5 5 5 5 5 Iвкл, мкА 20 20 20 20 20 20 20 20 Iвыкл, Rб1б2, tвкл, мА 1 1 1 1 1 1 1 1 кОм 4Е7,5 4Е7,5 6Е9 6Е9 4Е9 4Е9 8Е12 8Е12 мкс 2 3 3 3 3 3 3 3 fмакс, кГц 200 200 200 200 200 200 200 200 91, 92 91, 92 91, 92 91, 92 91, 92 91, 92 91, 92 91, 92 Рисунок параметров при Tп = 25 С Iэ. макс, мА 50 50 50 50 50 50 50 50 Iэ.и. макс, мА 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 Uб1б2. макс, В 30 30 30 30 30 30 30 30 Uб2э. макс, В 30 30 30 30 30 30 30 30 Рмакс, мВт 300 300 300 300 300 300 300 2Т117А 2Т117Б 2Т117В 2Т117Г КТ117А КТ117Б КТ117В КТ117Г 5.3 Двухэмиттерные транзисторы КТ118А, КТ118Б, КТ118В Транзисторы кремниевые двухэмиттерные планарно - эпитаксиальные p-n-p типа. Предназначены для работы в схемах модуляторов [29, стр. 242, 243], [30, стр. 667, 688]. Выпускаются в металлическом герметичном корпусе и имеют гибкие выводы. Масса не более 0,7 г. Габаритные размеры и цоколёвка транзистора показаны на рисунке 116. Электрические параметры. Падение напряжения на открытом ключе при Iб = 0,5 мА, Iэ = 1,5 мА: для КТ118А, КТ118Б не более 0,2 мВ для КТ118В не более 0,15 мВ Сопротивление отпертого ключа при Iб = 2 мА, Iэ = 2 мА: для КТ118А, КТ118Б не более 100 Ом для КТ118В не более 120 Ом при Iб = 40 мА, Iэ = 20 мА: для КТ118А, КТ118Б не более 20 Ом для КТ118В не более 40 Ом Ток запертого ключа: при Rкб = 10 кОм, Uэ1э2 = 30 В для КТ118А не более 0,1 мкА при Rкб = 10 кОм, Uэ1э2 = 15 В для КТ118Б, КТ118В не более 0,1 мкА Напряжение на управляющих коллекторных переходах при Iб = 20 мА не более 1,3 В Обратный ток коллектор - база при Uк = 15 В не более 0,1 мкА Относительная ассиметрия сопротивления отпертого ключа при Iб = 40 мА, Iэ = 20 мА не более 20 % Предельные эксплуатационные данные. Запирающее напряжение управления коллектор - база 1 или коллектор - база 2 при Rкб не более 10 кОм Напряжение на запертом ключе эмиттер 1 - эмиттер 2 при напряжении на управляющих переходах, равном нулю: для КТ118А для КТ118Б, КТ118В Напряжение на эмиттер - база (эмиттер 1 - база 1 или эмиттер 2 - база 2): для КТ118А для КТ118Б, КТ118В Ток коллектора Ток эмиттера (одного) 15 В 30 В 15 В 31 В 16 В 50 мА 25 мА Ток базы (одной) 25 мА 1 Рассеиваемая мощность на коллекторе 100 мВт Тепловое сопротивление межде переходом и окружающей средой 0,4 C / мВт Диапазон рабочей температуры окружающей среды от -60 до +125 C 1. При температуре окружающей среды от -60 до +110 C. При повышении температуры до +125 C значение мощности рассчитывается по формуле. 150 Т C Pк.макс=, мВт 0, 5.4 Фототранзисторы Таблица 5.4.1. Фототранзисторы.
Тип прибора ФТ-1К ФТ-2К ФТГ-3 Рабочее напря- Темновой ток, Долговечность, жение, Uа, В Iт, мкА ч 5 5 5 3 1 50 2000 2000 10000 Габариты, мм Длина 10,0 10,0 6,3 Диаметр 3,90 3,90 8, При отключённом от цепей фототранзисторе его нельзя держать на свету!
5.5 Полевые транзисторы Таблица 5.5.1. Транзисторы полевые малой мощности (P 0,3 Вт) с p-n переходом и каналом p - типа [39, стр. 188 - 190].
Предельные значения параметров Тип прибора P макс, мВт 2П101А* 2П101Б* 2П101В* 2П103А 2П103АР 2П103Б 2П103БР 2П103В 2П103ВР 2П103Г 2П103ГР 2П103Д 2П103ДР КП101Г* КП101Д* КП101Е* КП102Е КП102Ж КП102И КП102К КП102Л КП103Е КП103ЕР КП103Ж КП103ЖР КП103И КП103ИР КП103К КП103КР КП103Л КП103ЛР КП103М КП103МР 50 50 50 120 120 120 120 120 120 120 120 120 120 50 50 50 - - - - - 7 7 12 12 21 21 38 38 66 66 120 Значения параметров при Т = 25 C g22и, мкСм Iз. ут, нА 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 50 50 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 РиUзи, В S, мА / В Uси, В Iс.нач, мА C11и, C12и, Кш, пФ пФ дБ сунок При T = 25 C T, Uси. Uзс. Uзи. Iс. C макс, макс, макс, макс, В - - - 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 - - - - - - - - 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 15 15 15 15 15 10 10 10 10 12 12 10 10 12 12 10 10 В 10 10 10 15 15 15 15 15 15 17 17 17 17 10 10 10 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 17 17 17 17 В 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 - - - - - - - - - - - - мА - - - - - - - - - - - - - 2 5 5 - - - - - - - - - - - - - - - - - T макс, C 125 125 125 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 70 70 70 70 70 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 Uзи.отс, В 5 5 8 0,5Е2,2 0,5Е2,2 0,8Е3 0,8Е3 1,4Е4 1,4Е4 2Е6 2Е6 2,8Е7 2,8Е7 5 10 10 2,8 4 5,5 7,5 10 0,4Е1,5 0,4Е1,5 0,5Е2,2 0,5Е2,2 0,8Е3 0,8Е3 1,4Е4 1,4Е4 2Е6 2Е6 2,8Е7 2,8Е 190 т 50 т 12 т 40 40 50 50 80 80 130 130 160 160 - - - - - - - - 5 5 10 10 15 15 20 20 40 40 70 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 0,3 0,3 0,5 0,7Е2,1 0,7Е2,1 0,8Е2,6 0,8Е2,6 1,4Е5,5 1,4Е5,5 1,8Е5,8 1,8Е5,8 2Е4,4 2Е4,4 0,15 0,3 0,3 0,25Е0,7 0,3Е0,9 0,35Е1 0,45Е1,2 0,65Е1,3 0,4Е2,4 0,4Е2,4 0,5Е3,8 0,5Е3,8 0,8Е2,6 0,8Е2,6 1Е3 1Е3 1,8Е3,8 1,8Е3,8 1,3Е4,4 1,3Е4, 5 5 5 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5 5 5 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 0,3Е1 0,7Е2,2 0,5Е5 0,55Е1,2 0,55Е1,2 1Е2,1 1Е2,1 1,7Е3,8 1,7Е3,8 3Е6,6 3Е6,6 5,4Е12 5,4Е12 0,3 0,3 0,3 - - - - - 0,3Е2,5 0,3Е2,5 0,35Е3,8 0,35Е3,8 0,8Е1,8 0,8Е1,8 1,0Е5,5 1Е5,5 1,8Е6,6 1,8Е6,6 3Е12 3Е 12 12 12 17 17 17 17 17 17 17 17 17 17 12 12 12 10 10 10 10 10 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 2,5 т 2,5 т 2,7 т 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 - - - 5 5 5 5 5 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 5 5 10 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 5 10 - - - - - - 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 93 93 93 94 94 94 94 94 94 94 94 94 94 93 93 93 94, 95 94, 95 94, 95 94, 95 94, 95 94, 96 94, 96 94, 96 94, 96 94, 96 94, 96 94, 96 94, 96 94, 96 94, 96 94, 96 94, * При Т = 25 C C22и = 0,4 пФ.
Таблица 5.5.2. Транзисторы полевые малой мощности (P 0,3 Вт) с p-n переходом и каналом n - типа [39, стр. 192 - 197].
Предельные значения параметров При T = 25 C Тип прибора P макс, мВт T, Uси. Uзс. Uзи. Iс. T макс, C Uзи.отс, В Rси. отк, Ом, {g22и, мкСм} 125 125 125 125 125 125 125 125 125 125 125 125 125 125 125 125 125 125 125 125 100 100 100 100 100 100 100 100 85 85 85 85 85 85 85 85 85 85 1Е3,5 1Е3,5 2,5Е4,5 2,5Е4,5 3Е6 3Е6 0,5Е3 0,5Е3 1Е4 8 8 8 1Е3 0,5Е3 1Е5 1Е5 1,5Е6 1,5Е6 1Е8 0,6Е4 5 1Е5 7 2,5Е7 10 3Е10 2Е7 2Е7 0,5Е3 0,5Е3 1Е4 8 8 8 0,3Е3 0,5Е2 0,5Е3 1Е5 - - 150 150 100 100 - - - - - - - - - - {200} - 1500 1500 - - 150 150 100 100 150 150 - - - - - - - - - - 10 10 10 10 10 10 1 1 1 0,1 1 1 0,1 1 1 1 1 1 0,2 100 10 10 10 10 10 10 10 10 1 1 1 0,1 1 1 5 5 1 1 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 35 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5Е12 5Е12 7Е14 7Е14 - - 1Е4 1Е4 2Е5 3Е7 2,6 4 2Е6 4Е9 5Е10 5Е10 6Е12 6Е12 4Е5,8 2Е5 5 5Е12 7 7Е14 - - 7Е14 7Е14 1Е4 1Е4 2Е5 3Е7 2,6 4 1Е4 2Е6 4Е9 5Е10 7 7 7 7 - - 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 7 7 7 7 - - 7 7 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 3Е24 3Е24 18Е43 18Е43 33Е66 33Е66 0,5Е2,5 0,5Е2,5 1,5Е5 3Е12 3Е9 5Е20 1,5Е5 3Е9 5Е15 5Е15 8Е24 8Е24 - - 3Е24 3Е24 18Е43 18Е43 - 66 15Е65 15Е65 0,5Е2,5 0,5Е2,5 1,5Е5 3Е12 3Е9 5Е20 0,3Е3 1,5Е5 3Е9 5Е15 20 20 20 20 20 20 6 6 6 6 6 6 6 5 5 5 5 5 6 6 20 20 20 14 20 16 14 14 6 6 6 6 6 6 6 6 5 5 8 8 8 8 8 8 2 2 2 2 2 2 2 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 - - 8 8 8 8 8 8 8 8 2 2 2 2 2 2 2 2 1,5 1,5 Iз. ут, нА Uзи, В S, мА / В Uси, В Iс.нач, мА Значения параметров при Т = 25 C Eш, C11и, C12и, нВ/Гц, пФ пФ {Кш, дБ} {3} {3} - - - - 30 20 20 - {4} {4} {4} 20 2,5 {6} 2,5 {6} 20 20 - {3} - - - - - - 30 20 20 - {4} {4} 100 100 20 2,5 97 98 97 98 97 98 99 99 99 99 99 99 99 99 99 99 99 99 93 93 97 93 97 93 97 93 97 93 99 99 99 99 99 99 99 99 99 99 Рисунок C макс, макс, макс, макс, В 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 20 20 20 20 20 20 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 50 40 20 20 20 20 20 20 20 20 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 В 20 20 20 20 20 20 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 45 40 20 20 20 20 20 20 20 20 30 30 30 30 30 30 30 30 25 25 В 10 10 10 10 12 12 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 45 35 10 10 10 10 10 10 10 10 30 30 30 30 30 30 30 30 27 27 мА 24 24 43 43 - - 20 20 20 20 20 20 20 30 30 30 30 30 - - 24 24 43 43 - - - - 20 20 20 20 20 20 20 20 27 2П302А 2П302А-1 2П302Б * 2П302Б-1 * 2П302В ** 2П302В-1 ** 2П303А 2П303Б 2П303В 2П303Г 2П303Д 2П303Е 2П303И 2П307А 2П307Б 2П307В 2П307Г 2П307Д 2П333А 2П333Б КП302А КП302АМ КП302Б КП302БМ КП302В КП302ВМ КП302Г КП302ГМ КП303А КП303Б КП303В КП303Г КП303Д КП303Е КП303Ж КП303И КП307А КП307Б 300 300 300 300 300 300 200 200 200 200 200 200 200 250 250 250 250 250 250 250 300 300 300 300 300 300 300 300 200 200 200 200 200 200 200 200 250 Предельные значения параметров При T = 25 C Тип прибора P макс, мВт T, Uси. Uзс. Uзи. Iс. T макс, C Uзи.отс, В Rси. отк, Ом, {g22и, мкСм} 85 85 85 85 85 85 1Е5 1,5Е6 1,5Е6 2,5 7 - - - - - - - 1 1 1 1 0,1 - 10 10 10 10 10 - Iз. ут, нА Uзи, В Значения параметров при Т = 25 C Eш, S, мА / В Uси, В Iс.нач, мА C11и, C12и, нВ/Гц, пФ пФ {Кш, дБ} 5Е10 6Е12 6Е12 3Е8 4 4 10 10 10 10 10 10 5Е15 8Е24 8Е24 1,5Е5 3Е25 2,5Е20 5 5 5 5 5 6 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 2 {6} 2,5 {6} 20 - - 99 99 99 99 99 93 Рисунок C макс, макс, макс, макс, В 25 25 25 25 25 35 25 25 25 25 25 35 В 25 25 25 25 25 30 В 27 27 27 27 27 30 мА 27 27 27 27 27 - КП307В КП307Г КП307Д КП307Е КП307Ж КП314А 250 250 250 250 250 * - При Т = 25 C C22и = 10 пФ. ** - При Т = 25 C C22и = 14 пФ.
Таблица 5.5.3. Транзисторы полевые малой мощности (P 0,3 Вт) с изолированным затвором и каналом n - типа [39, стр. 198 - 199].
Предельные значения параметров Тип P Значения параметров при Т = 25 C T Uзи. Риg22и, мкСм Iз.ут, Uзи, нА В S, мА / В Uси, В IС, мА Iс.нач, мА C11и, C12и, Кш, пФ пФ дБ f, су При T = 25 C T, Uси. Uзс. Uзи. Iс. C макс, макс, макс, макс, В 40 40 40 40 25 25 35 35 35 25 25 25 25 25 25 25 15 15 15 15 8 8 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 В 30 30 30 30 10 10 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 В 30 30 30 30 10 10 10 10 10 15 15 15 15 10 10 10 мА 15 15 15 15 20 20 15 15 15 15 15 15 15 15 15 прибора макс, мВт 2П305А 2П305Б 2П305В 2П305Г 2П310А 2П310Б 2П313А 2П313Б 2П313В КП305Д КП305Е КП305Ж КП305И КП313А КП313Б КП313В 150 150 150 150 80 80 120 120 120 150 150 150 150 75 75 макс, отс, C 125 125 125 125 125 125 85 85 85 125 125 125 125 85 85 85 В 6 6 6 6 - - 6 6 6 6 6 6 6 6 6 МГц нок 150 150 150 150 - - - - - 150 150 150 150 - - - 1 0,001 1 1 3 3 10 10 10 1 5 1 1 10 10 30 30 30 30 10 10 30 30 30 30 30 30 30 10 10 6Е10 6Е10 6Е10 6Е10 3Е6 3Е6 5Е10 5Е10 5Е10 5,2Е10,5 4Е8 5,2Е10,5 4Е10,5 4,5Е10,5 4,5Е10,5 4,5Е10, 10 10 10 10 5 5 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 - - - - 0,03Е5 0,03Е5 - - - - - - - - - - 5 5 5 5 2,5 2,5 6,8 6,8 6,8 5 5 5 5 7 7 0,8 0,8 0,8 0,8 0,5 0,5 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,9 0,9 0, 6,5 - 6,5 - 6 7 - - - 7,5 - 7,5 - 7,5 7,5 7, 250 250 250 100 100 100 1000 101 1000 101 - - - 250 250 250 250 250 250 250 102 102 102 100 100 100 100 102 102 Таблица 5.5.4. Транзисторы полевые малой мощности (P 0,3 Вт) с изолированным затвором и каналом p - типа [39, стр. 200 - 201].
Предельные значения параметров При T = 25 C Тип прибора P макс, мВт T, Uси. Uзс. Uзи. Iс. T макс, C Uзи. пор, В g22и, мкСм, Iз. {Rси. отк, Ом} 85 85 85 85 85 85 125 85 85 85 85 2,7Е5,4 2,7Е5,4 2,7Е5,4 2,7Е5,4 2,7 2,7 5 2,7Е5,4 2,7Е5,4 2,7Е5,4 5 150 150 150 150 130 130 {100} 150 250 100 {100} 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 20 0,3 0,3 0,5 20 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 1Е2,6 1Е2,6 1Е2,6 1Е2,6 1 1 4 1 2 0,5 4 15 15 15 15 15 15 10 15 15 15 10 5 5 5 5 5 5 10 5 5 5 10 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,2 0,5 0,5 0,5 0,1 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 9 3,5 3,5 3,5 9 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 6 3,5 3,5 3,5 6 0,7 0,7 0,7 1 1 1 1 1 1 1 1 5 5 5 - - - - 9,5 9,5 9,5 - 101 101 101 101 101 101 100 101 101 101 100 ут, нА Uзи, В S, мА / В Uси, В IС, мА Iс.нач, C11и, C22и, C12и, Кш, мкА пФ пФ пФ дБ Значения параметров при Т = 25 C Рисунок C макс, макс, макс, макс, В 25 25 25 25 25 25 55 25 25 25 25 20 20 20 20 20 20 25 20 20 20 25 В - - - - - - 30 - - - 30 В 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 мА 15 15 15 15 15 15 30 15 15 15 2П301А 2П301А-1 2П301Б 2П301Б-1 2П301В 2П301В-1 2П304А КП301Б КП301В КП301Г КП304А 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 Таблица 5.5.5. Транзисторы полевые большой мощности (P > 1,5 Вт) с p-n переходом и каналом n - типа [39, стр. 200 - 203].
Предельные значения параметров Тип P Вт 2П601А 2П601Б 2П702А 2П802А 2П903А 2П903Б 2П903В 2П914А КП601А КП601Б КП903А КП903Б КП903В 2 2 50 40 6 6 6 2,5 2 2 6 6 6 Тк, C {25} {25} 35 25 25 25 25 {25} {25} {25} 25 25 25 При T = 25 C Uси. В 20 20 300 500 20 20 20 50 20 20 20 20 20 Uзс. В 20 20 310 535 20 20 20 80 - - 20 20 20 Uзи. В 15 15 30 35 15 15 15 30 15 15 15 15 15 Iс. А - - 16 2,5 0,7 0,7 0,7 - - - 0,7 0,7 0,7 макс, макс, макс, макс, T макс, C 125 125 125 125 125 125 125 70 70 100 100 Значения параметров при Т = 25 C Uзи. Rси. Iз. отс, В 4Е9 6Е12 - 25 отк, ут, Ом - - 1 3 21 10 50 - - 21 10 нА 10 10 - 300 100 100 100 10 10 100 100 РиUзи, В 15 15 - 35 15 15 15 8 15 15 15 15 15 S, мА / В 50Е87 50Е87 800Е2100 800Е2000 85Е140 50Е130 60Е140 10Е30 40Е87 40Е87 85Е140 50Е130 60Е140 Uси, IС, Iс.нач, В 10 10 20 20 10 10 10 10 10 10 10 10 10 А - - 2,5 3,5 - - - - - - - - - мА 400 400 10 - 700 480 600 250 400 400 700 480 600 сунок 97 97 103 106 104 104 104 97 97 97 104 104 прибора макс, {T}, 5Е12 9,8 100 1Е10 8Е30 4Е9 6Е 125 1Е6, 5Е12 9,8 100 1Е 100 1Е6, Таблица 5.5.6. Транзисторы полевые большой мощности (P > 1,5 Вт) с изолированным затвором и каналом n - типа [39, стр. 202 - 207].
Предельные значения параметров Тип прибора Rси. Iз. Тк, Uси. Uзс. Uзи. Uзи, Iс. макс, макс, отк, ут, C макс, макс, макс, макс, В Ом мА Вт C В В В А 40 40 20 Значения параметров при Т = 25 C S, мА / В Uси, В IС, А Iс. Сзи, РиC22и, C12и, Кур, пФ пФ дБ f, МГц сунок P При T = 25 C Тк.
нач, {C11и}, мА 30 30 200 200 10 10 350 350 200 200 10 10 10 350 350 пФ 1200 1200 100 100 {11} {11} 300 300 100 100 {11} {11} {11} 300 2П701А 2П701Б 2П901А 2П901Б 2П902А 2П902Б 2П904А 2П904Б КП901А КП901Б КП902А 35 35 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 500 400 70 70 50 50 70 70 70 70 50 50 50 70 510 410 85 85 - - 90 90 85 85 - - - 90 25 25 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 5 5 4 4 0,2 0,2 10 5 4 4 0,2 0,2 0,2 16 125 125 125 125 125 125 125 125 100 100 85 85 85 100 2,8 3,5 - - 30 т 30 т - - - - 30 т 30 т 30 т - - - - - - 3 3 - - - - 3 3 3 - - - - - - 30 30 - - - - 30 30 30 - - 800Е2100 800Е2100 50Е160 60Е170 10Е25 10Е25 250Е520 250Е520 50Е160 60Е170 10Е25 10Е25 10Е25 250Е510 250Е 30 30 20 20 20 20 20 20 20 20 50 50 50 20 2,5 2,5 0,5 0,5 0,05 0,05 1 1 0,5 0,5 0,05 0,05 0,05 1 140 140 - - 11 11 - - - - 11 11 11 - - 30 30 10 10 0,6 0,6 - - 10 10 0,6 0,6 0,8 - - - - 7 - 6,6 6,6 13 13 7 7 6,6 6,6 6,6 13 - - 100 - 250 250 60 60 100 - 250 250 250 60 103 103 105 105 105 105 108 108 105 105 105 105 105 108 3,5 3,5 75 75 20 20 3,5 3,5 3,5 75 КП902Б 1 КП902В КП904А КП904Б 1. При Т = 25 C Кш = 6 дБ. 2. При Т = 25 C Кш = 8 дБ.
Таблица 5.5.7. Транзисторы полевые малой мощности (P 0,3 Вт) с двумя изолированными затворами и каналом n - типа [39, стр. 206 - 209].
Предельные значения параметров Тип прибора P макс, мВт 2П306А 2П306Б 2П306В 2П306Г 2П306Д 2П306Е 2П350А 2П350Б КП306А КП306Б КП306В КП327А КП327Б КП350А КП350Б КП350В 150 150 150 150 150 150 200 200 150 150 150 200 200 200 200 200 При T = 25 C T, Uси. Uз1с. Uз2с. Uз1и. Uз2и. Uз1з2. макс, В 25 25 25 25 25 25 - - 25 25 25 - - - - - Iс. макс, мА 20 20 20 20 20 20 30 30 20 20 20 - - 30 30 30 T макс, C 125 125 125 125 125 125 85 85 125 125 125 85 85 85 85 85 Uз1и. отс, В 0,8Е4 0,2Е4 1,3Е6 0,8Е4 0,2Е4 1,3Е6 0,17Е6 0,17Е6 0,8Е4 0,2Е4 1,3Е6 2,7 2,7 0,7Е6 0,7Е6 0,7Е6 Iз1. ут, нА 1 1 1 1 1 1 5 5 5 5 5 50 50 5 5 Значения параметров при Т = 25 C РиUз1и, В S1, мА / В Uси, IС, В мА Кш, Кур, дБ дБ f, су C макс, макс, макс, макс, макс, В 35 35 35 35 35 35 25 25 35 35 35 60 60 25 25 25 20 20 20 20 20 20 15 15 20 20 20 18 18 15 15 15 В 20 20 20 20 20 20 - - 20 20 20 21 21 21 21 21 В 20 20 20 20 20 20 - - 20 20 20 6 6 15 15 15 В 20 20 20 20 20 20 15 15 20 20 20 6 6 15 15 15 В 20 20 20 20 20 20 15 15 20 20 20 - - 15 15 МГц нок 20 20 20 20 20 20 15 15 20 20 20 5 5 15 15 3Е8 3Е8 3Е8 3Е8 3Е8 3Е8 6Е11 6Е11 3Е8 3Е8 3Е8 11 11 6Е13 6Е13 6Е 15 15 15 15 15 15 10 10 15 15 15 10 10 10 10 5 5 5 5 5 5 10 10 5 5 5 10 10 10 10 6 6 6 8 8 8 6 6 6 6 6 4,5 3 7 6 10 10 10 10 10 10 - - - - - 12 18 - - - 200 200 200 200 200 200 - - - - - - - - - - 109 109 109 109 109 109 109 109 109 109 109 - - 109 109 Таблица 5.5.8. ПСИТ транзисторы большой мощности (P > 1,5 Вт) с каналом n-типа [35].
Тип прибора КП931А КП931Б КП931В КП934А КП934Б КП934В КП937А КП938А КП938Б КП938В КП938Г КП938Д КП946А КП946Б КП948А КП948Б КП948В КП948Г Pмакс, Uси.макс, Uзи.макс, Uзс.макс, Iс.макс, Rc.мин, Iз.ут, Вт 20 20 20 40 40 40 50 50 50 50 50 50 40 40 20 20 20 20 В 800 600 450 450 400 300 450 500 500 450 400 300 500 300 800 800 600 600 В 5 5 5 5 5 5 20 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 В 800 600 450 - - - 475 500 500 450 400 300 - - - - - - А 5 5 5 10 10 10 17 12 12 12 12 12 15 15 5 5 5 5 Ом - - - - - - - - - - - - 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 мА 3 3 3 - - - - - - - - - 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 Рисунок 111 111 111 107 107 107 107 107 107 107 107 107 112 112 112 112 112 Транзисторы серии КП948 заменяют транзисторы серии КТ812 при той же схеме включения (затвор подключается как база, сток - как коллектор, а исток - как эмиттер).
КП921А Транзистор кремниевый эпитаксиально - планарный полевой с изолированным затвором и вертикальным индуцированным каналом n-типа [23, стр. 160 - 162]. Предназначен для применения в быстродействующих переключающих устройствах. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 10 г. Цоколёвка, габаритные и присоединённые размеры транзистора КП921А показаны на рисунке 111. Электрические параметры. Сопротивление сток - исток в открытом состоянии при Iс = 0,5 А, Uзи = 15 В Крутизна характеристики при Uси = 25 В, Iс = 1 А Начальный ток стока при Uси = 40 В, Uзи = 0, Т = -45Е+85 C Ток утечки затвора при Uзи = 15 В 0,08*Е0,1*Е0,13 Ом 0,8Е1*Е1,5* А / В 0,02*Е0,1*Е2,5 мА 0,01*Е0,05*Е10 мкА Предельные эксплуатационные данные. Постоянное напряжение сток - исток 45 В Импульсное напряжение сток - исток при tи = 2 мкс, Q = 1000 60 В Импульсное напряжение затвор - исток при tи = 2 мкс, Q = 1000 40 В Ток стока 10 А 1 Постоянная рассеиваемая мощность : Т = -45Е+25 C 15 Вт Т = +85 C 8 Вт Температура окружающей среды -45 Е +85 C 1. В диапазоне температур +25 Е +85 C мощность снижается линейно на 117 мВт на 1C. Звёздочкой отмечены значения параметров, приведённые в справочных данных ТУ. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при температуре +235 C в течение времени не более 5 с.
5.6 Рисунки цоколёвок транзисторов Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов 11,7 9, Ключ 9,6 К Э 9,6 7,6 3, 1, Б 5,5 8,5 4, 0, Э Б К 40 Рис. Рис. 0, 0, Б К Э 5, 7, Э Б К 20 2, 2, 2,4 2, Рис. Рис. 0, 0, Б К 40 5, Э 2,7 2, 4, Рис. 1, Рис. 1 1,2 0, 1, Б К Э 0,04 ЭБК Рис. Рис. 1, 11, 8, Б К 5, 7, Э 3, Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов Э К Б 0, 0, 4, 5, Э Б К 25...30 5, К 2, 0,7 Ключ 0, Рис. 9 Рис. 0, 4, 5, Э Э Б К 2, 0, 14, 5, 2, К 2, 4, Рис. 8 0,5 11, Рис. К Б 40 5, 8, Б 4, Рис. 8 0,5 Э К Б 32 5,6 Рис. Точка эмиттера 11, 0, К Б 40 5, 4, Рис. Рис. 11, Э 8, 5, Э 0, К Э 2,4 2, 4, 0, Б 0, Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов 0,7 0, 0, Б К Рис. 8 Б 14, 5, 2, 5, 4, 0, Э К Э Рис. 2,2 1, 2, Э 1, Б 2,5 К 1, Б К Э Рис. Рис. 5, 0, Точка эмиттера 11,7 Б 2,4 2, Б 32 Рис. Корпус 0,4 К 4,9 6 0,5 Э Рис. Корпус 4,95 5,84 К Э 6, Б 2,5 13,5 5, 2,5 Б Рис. Рис. 24 К Э 0, 5, 7, Э К Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов 5,2 4, 0, К 2,5 Б Э 14 5,3 5, 0, К Б Э 0,5 0, Рис. Рис. 7,2max 0, 0, 6min К Б Э 2, 2, 4, 5max 0, Э К 2,5 2, Б 0, 4, 0, Рис. 27 Рис. 0, 14, К Э Б 5, Б К Э 0, 2,7 2, Рис. Белая точка Э К 0,5 Б 40 5,5 11,5 8, Э К 0,5 Б 42 Рис. Точка эмиттера 11,5 8,5 5 Рис. Рис. 32 7, 14, 5, 4, Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов 8, 9,6 2, 1, Б К К 11 Б 0, Э Э Корпус Рис. Рис. 2,2 0,4 К Э Б Э Б К 2, 7, 5, 4,0 2, 4, Рис. 4,2 К 2,5 Б Э 14 5,3 5,2 0, Рис. Корпус 0,5 К 8,5 9,4 Э 0, 6, Б Рис. 0,7 0, Рис. 1,15 0, 14, Б К Э Рис. Б К Э Рис. 1, 0, 0, Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов 2,2 0,4 К Б Э 0,4 8,2 Э Б 5, 7, 4,0 2, 36, 6, 9, К Рис. 7, Рис. 4, 4,2 8, 0, Б 18,5 0,7 1,5 Э 5 Б К К 11,7 1,0 16,5 8 Э Рис. Рис. 1,2 1, 0, Э 8,5 9,4 Б 2, Б К Э 14, 6, К Рис. 46 Рис. 1,95 1, 11,1 16,4 Б 2,3 К 0,6 2,3 Э 2, 1, 14 0, Б К Э 2, 7, Рис. Рис. 48 Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов 120o 15, К R3, К Б 42 4, R5, 9, Рис. 4,2 К 2,5 Б Э 13,5 5,2 1,8 5, Рис. 0, 1, Б К 9,2 0,6 4,9 20, 300, 11, Э Б 0, Э 0, Э 1,5 Рис. К М20x1, Б R13max Рис. 26-0, Э 16,90, Э Б 10 30 К 2отв.4,1+0,1 20,1-0,4 3, R4,65max 1,1-0, Рис. 110, Рис. 6,8-0,9 10,65-0,4 3,6 2,80,2 4,8-0,5 1,37-0, o 15,9-1, 6,35max 3 1, 13-2 10,3-2, 39,2- Выводы лужёные 13,50, 120 o 1,7-0,55 1,15-0, 37 1 3отв.4,5 13 10 Э Б К ЭКБ 2,50, 1,1-0,75 2,50,2 30, Рис. 56 Рис. 55 41, 0 12 o o Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов 10, К 270, 2отв. 18,50,5 4, 110, 11,1 4 7, 16,4 Б 0,6 2,3 К 2, 2,5 2, Э Б 16,90,2 30 390, R4, 3, Э 9, Рис. 1,8max 2, Рис. 2,750, К 1,8max 0, 5,50, 4отв.3,2+0, 19,5max 15,5max 5,50, Б Э К 2max 31max 0, Б Э 240, 4,760, 10max 23 Рис. Рис. 2,75 5, 5, 4, 17max 19,5 Рис. ЭБК Рис. o К Б 3max 2отв.3,5+0, 17,1max 0o 12 0 o 40, 16,4max 23max Выводы 90 240, 11 30,5max 2,5 13max условно повёрнуты 25 Э 3отв.4, Рис. Рис. 64 Б КЭ 0 o Б Э К 0 o 0 12 o o Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов Б 16,4 Э 20 Э К К 14, 7, 30 39, Б Рис. 19, Рис. Э 2, К 2, 1, Б 9 6,5 14,6 2max 3max Б M Э Рис. Условная точка К Рис. 0 o 3отв.4, 230, Э 281 3 1, o К Б 120 o 120 o 370,2 37 1 3отв.4,5 13 10 Э Б К 3,80,8 12, 120, Рис. 2отв.3,2 1,5 1, Рис. 20 13 15 8,5 6, К 33 Б 15, 41, 0 12 o o К Э 2отв.3,2 Б 5 4, 5,5 Э 22, 8 4 Рис. Рис. 72 Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов 16 1 0, Э 8,5 9,4 Б 25, К Э Б 13,5 4, 50, К Рис. 13 13, 1,5 2отв.3, Рис. 6,8-0,9 10,65-0,4 3,6 2,80,2 4,8-0,5 1,37-0, 15,9-1, R, 6,35max Э 13,50, R 15, 1,7-0,55 1,15-0, 120o 9, 1 БКЭ 2,50, 1,1-0,75 2,50,2 30,, Рис. Рис. 12, 4, 8 Э 3,5+0,12 2отв. 21,2-0, +0,11 -0, К 2, Б 6 18,50,05 Чёрная точка Рис. Рис. 77 0, К Э 2, К Б 2, Б К Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов 22max 3, К 20 Б R1, К 1 0, Б Э Рис. 80 Рис. 4,8 3,75 10,4 1, Э 5,1 0, 12,7 0,75 0, 5, К 9, Б 15, Рис. Б К 0, Э Э Рис. 6,6 К 2, 9,4 8, К Б 1, 0, 0, o 3 6,36 17, 4,6 12,2 13, Рис. 84 Рис. 2, 1, 0, Э Э 23, Б 1, 3, Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов 40 32 2, К Б 12, 12,5 2, 6,8 3, Б К 9 15 90o Э 0, 12 Э Рис. 86 Рис. 5, 1, Э 12,6 M 10,8 3, 25,3 5,8 К Э 8 отв.1 11 М Б К 8, Э 25, Б 4 0, Рис. 4,3 5,7 10,7 Э 5,7 Б 11,7 2,5 1,7 0,18 12, Рис. 5,7 Э 5,7 25 8,8 Б 17,5 4 11,5 1,6 М4 2 9,6 0, М 2, 10, Э Рис. Б1 Б Рис. Б2 Э Э 2,5 4, Б 5, 2, 0,53 6 7, 14, 5, 0,5 5, Рис. Рис. 92 7, К К Э 9, Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов 7,2max 13,5...14,5 5,84 0, 5, 2,5 4, 6min 5max З С З 2,5 2, И 0, С И 0, Рис. 93 Рис. 13,5 0,5 5,84 5,3 2,5 4,95 И З 0,5 5,84 13,5 5,3 2,5 З-корпус 4, С С И Рис. 13,5...30 0,5 9,4 4,7...6,6 8,5 Корпус o Рис. 13,5...14,5 6,6 8,5 9, 45 o 0, И 5 З С И З С Рис. 13,5 0,5 5,84 5,3 2,5 4,95 З Корпус 0,5 5,84 13, Рис. 5,3 2,5 4,95 И Корпусподложка С И З С Рис. Рис. Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов 7,2max 13,5 5,84 0, 5, 2,5 4, С 6min 5max Корпусподложка З И З И 2,5 2, С 0, 0, Рис. 101 Рис. 12, 4, З 3,5 2отв.
10, 2max С 8, 21,2 3,8 12,6 M И С З С И 6 18,5 Рис. Рис. 26-0, 300, 3,8 12,6 8,4 M R13max З И С 2отв.4,1+0,1 20,1-0,4 3, R4,65max Рис. 1,1-0,12 110, Рис. 106 13-2 10,3-2, 16,90, 2max С 39,2- 10, И З Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов 26-0, 25, 300, З R13max И 16,90, 39,2- С З 9 И С 2отв.4,1+0,1 20,1-0,4 3, 13-2 10,3-2, 20, R4,65max 1,1-0,12 110, 12, M Рис. 13,5 5,84 0,5 5,3 2,5 4,95 З-1 И 22 Б Рис. 31 12,5 2 13,5 3, К Э Рис. 2,80,2 10,65-0,4 3,6 4,8-0,5 6,8-0,9 1,37-0, Рис. 6,8-0,9 10,65-0,4 3,6 2,80,2 4,8-0,5 1,37-0, 15,9-1, 6,35max 15,9-1, 13,50, 1,7-0,55 1,15-0, 13,50, 1,7-0,55 1,15-0, ИСЗ 2,50, 1,1-0,75 2,50,2 30,2 2,50, 6,35max ЗСИ 1,1-0,75 2,50,2 30, Рис. Рис. З- Диод С 19, 25, M Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров транзисторов 4,5 3,75 10,3 1, 18, Б 15,8 9, Э 13,1 23 К 13, 2отв.4, 0,6 0, 16 14,1 2 Рис. 27,2 5, Рис. 60o Б2 2, o Б Э 30,1 40 16, Э Б 4, 2отв.4,2 22,2 3,8 8 8, 5, К 0,5 5, Рис. Корпус 0,5 4,95 5,84 К Б 2,5 Э Б 14 К Рис. 0,48 0,48 4,2 5,2max 5, 2,5 13,5 5,3 Э Рис. Рис. Э К Б Э1 К 5.7 Фотографии разных транзисторов ГТ905А П217Б 2П904А KD617 2Т704Б КТ361Е КТ940А1 КП303Е КТ312А КТ П401, П 6 Интегральные микросхемы 6.1 Микросхемные стабилизаторы напряжения Таблица 6.1.1. Микросхемные стабилизаторы напряжения, рассчитанные на одно фиксированное напряжение [2, стр. 69 - 71], [9], [21].
Тип микросхемы 7805 7806 7885 7809 7812 7815 7818 7824 7905 7906 7908 7909 7912 7915 7918 7924 78L05 78L62 78L82 78L09 78L12 78L15 78L18 78L24 79L05 79L06 79L12 Uвых, Iн.макс, Pмакс, В 5 6 8,5 9 12 15 18 24 5 6 8 9 12 15 18 24 5 6 8 9 12 15 18 24 5 6 12 А 1,5* 1,5* 1,5* 1,5* 1,5* 1,5* 1,5* 1,5* 1,5* 1,5* 1,5* 1,5* 1,5* 1,5* 1,5* 1,5* 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 Вт 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Вид цепи плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая минусовая минусовая минусовая Рисунок, {Корпус} 4, {TO-220} 4, {TO-220} 4, {TO-220} 4, {TO-220} 4, {TO-220} 4, {TO-220} 4, {TO-220} 4, {TO-220} 5, {TO-220} 5, {TO-220} 5, {TO-220} 5, {TO-220} 5, {TO-220} 5, {TO-220} 5, {TO-220} 5, {TO-220} 1, {TO-92} 1, {TO-92} 1, {TO-92} 1, {TO-92} 1, {TO-92} 1, {TO-92} 1, {TO-92} 1, {TO-92} 2, {TO-92, КТ-26} 2, {TO-92, КТ-26} 2, {TO-92, КТ-26} Тип микросхемы 79L15 79L18 79L24 78М05 78М06 78М08 78М12 78М15 78М18 78М20 78М24 79М05 79М06 79М08 79М12 79М15 79М18 79М20 79М24 КР142ЕН5А КР142ЕН5Б КР142ЕН5В КР142ЕН5Г КР142ЕН8А КР142ЕН8Б КР142ЕН8В КР142ЕН8Г КР142ЕН8Д КР142ЕН8Е КР142ЕН9А КР142ЕН9Б КР142ЕН9В КР142ЕН9Г КР142ЕН9Д Uвых, Iн.макс, Pмакс, В 15 18 24 5 6 8 12 15 18 20 24 5 6 8 12 15 18 20 24 5,0 6,0 5 6 9 12 15 9 12 15 20 24 27 20 24 А 0,1 0,1 0,1 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 2 2 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1 1 1 1,5 1,5 1,5 1 1 Вт 0,5 0,5 0,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 Вид цепи минусовая минусовая минусовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая Рисунок, {Корпус} 2, {TO-92, КТ-26} 2, {TO-92, КТ-26} 2, {TO-92, КТ-26} 4, {TO-202, ТО-220} 4, {TO-202, ТО-220} 4, {TO-202, ТО-220} 4, {TO-202, ТО-220} 4, {TO-202, ТО-220} 4, {TO-202, ТО-220} 4, {TO-202, ТО-220} 4, {TO-202, ТО-220} 5, {ТО-220} 5, {ТО-220} 5, {ТО-220} 5, {ТО-220} 5, {ТО-220} 5, {ТО-220} 5, {ТО-220} 5, {ТО-220} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} Тип микросхемы КР142ЕН9Е КР1157ЕН5А;
КР1157ЕН5Б КР1157ЕН9А;
КР1157ЕН9Б КР1157ЕН12А;
КР1157ЕН12Б КР1157ЕН15А;
КР1157ЕН15Б КР1157ЕН18А;
КР1157ЕН18Б КР1157ЕН24А;
КР1157ЕН24Б КР1157ЕН5В;
КР1157ЕН5Г КР1157ЕН9В;
КР1157ЕН9Г КР1157ЕН12В;
КР1157ЕН12Г КР1157ЕН15В;
КР1157ЕН15Г КР1157ЕН18В;
КР1157ЕН18Г КР1157ЕН24В;
КР1157ЕН24Г КР1157ЕН501А;
КР1157ЕН501Б КР1157ЕН601А;
КР1157ЕН601Б КР1157ЕН801А;
КР1157ЕН801Б КР1157ЕН901А;
КР1157ЕН901Б КР1157ЕН1201А;
КР1157ЕН1201Б КР1157ЕН1501А;
КР1157ЕН1501Б КР1157ЕН1801А;
КР1157ЕН1801Б КР1157ЕН2401А;
КР1157ЕН2401Б КР1157ЕН502А;
КР1157ЕН502Б КР1157ЕН602А;
КР1157ЕН602Б КР1157ЕН802А;
КР1157ЕН802Б КР1157ЕН902А;
КР1157ЕН902Б КР1157ЕН1202А;
КР1157ЕН1202Б КР1157ЕН1502А;
КР1157ЕН1502Б КР1157ЕН1802А;
КР1157ЕН1802Б КР1157ЕН2402А;
КР1157ЕН2402Б КР1157ЕН2702А;
КР1157ЕН2702Б КР1162ЕН5А;
КР1162ЕН5Б КР1162ЕН6А;
КР1162ЕН6Б КР1162ЕН8А;
КР1162ЕН8Б КР1162ЕН9А;
КР1162ЕН9Б Uвых, Iн.макс, Pмакс, В 27 5 9 12 15 18 24 5 9 12 15 18 24 5 6 8 9 12 15 18 24 5 6 8 9 12 15 18 24 27 5 6 8 9 А 1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 1,5 1,5 1,5 1,5 Вт 10 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 1,3 1,3 1,3 1,3 1,3 1,3 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 10 10 10 Вид цепи плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая минусовая минусовая минусовая минусовая Рисунок, {Корпус} 4, {КТ-28-2} 3, {КТ-27-2} 3, {КТ-27-2} 3, {КТ-27-2} 3, {КТ-27-2} 3, {КТ-27-2} 3, {КТ-27-2} 3, {КТ-27-2, TO-126} 3, {КТ-27-2, TO-126} 3, {КТ-27-2, TO-126} 3, {КТ-27-2, TO-126} 3, {КТ-27-2, TO-126} 3, {КТ-27-2, TO-126} 2, {КТ-26} 2, {КТ-26} 2, {КТ-26} 2, {КТ-26} 2, {КТ-26} 2, {КТ-26} 2, {КТ-26} 2, {КТ-26} 1, {КТ-26} 1, {КТ-26} 1, {КТ-26} 1, {КТ-26} 1, {КТ-26} 1, {КТ-26} 1, {КТ-26} 1, {КТ-26} 1, {КТ-26} 5, {КТ-28-2} 5, {КТ-28-2} 5, {КТ-28-2} 5, {КТ-28-2} Тип микросхемы КР1162ЕН12А;
КР1162ЕН12Б КР1162ЕН15А;
КР1162ЕН15Б КР1162ЕН18А;
КР1162ЕН18Б КР1162ЕН24А;
КР1162ЕН24Б КР1168ЕН5 КР1168ЕН6 КР1168ЕН8 КР1168ЕН9 КР1168ЕН12 КР1168ЕН15 КР1179ЕН05 КР1179ЕН06 КР1179ЕН08 КР1179ЕН12 КР1179ЕН15 КР1179ЕН24 КР1180ЕН5А;
КР1180ЕН5Б КР1180ЕН6А;
КР1180ЕН6Б КР1180ЕН8А;
КР1180ЕН8Б КР1180ЕН9А;
КР1180ЕН9Б КР1180ЕН12А;
КР1180ЕН12Б КР1180ЕН15А;
КР1180ЕН15Б КР1180ЕН18А;
КР1180ЕН18Б КР1180ЕН24А;
КР1180ЕН24Б Uвых, Iн.макс, Pмакс, В 12 15 18 24 5 6 8 9 12 15 5 6 8 12 15 24 5 6 8 9 12 15 18 24 А 1,5 1,5 1,5 1,5 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 Вт 10 10 10 10 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 Вид цепи минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая минусовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая плюсовая Рисунок, {Корпус} 5, {КТ-28-2} 5, {КТ-28-2} 5, {КТ-28-2} 5, {КТ-28-2} 2**, {КТ-26} 2**, {КТ-26} 2**, {КТ-26} 2**, {КТ-26} 2**, {КТ-26} 2**, {КТ-26} 5, {TO-220} 5, {TO-220} 5, {TO-220} 5, {TO-220} 5, {TO-220} 5, {TO-220} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} 4, {КТ-28-2} * Выпускают также разновидности на ток нагрузки до 1 А. ** Была выпущена опытная партия с цоколёвкой, соответствующей рисунку 1.
LM7805CK Размеры и цоколёвка микросхемного стабилизатора напряжения LM7805CK, рассчитанного на одно фиксированное напряжение, приведены на рисунке 9. Постоянное выходное напряжение Uвых, В 5 Максимальный ток нагрузки Iн.макс, А 1 Входное напряжение, В 7 Е 20 Падение напряжения на стабилизаторе Uпд, В Uвых (при Uвх.макс), мВ Uвых (при Iвых.макс), мВ, мВ / C Rтп-с, C / Вт Потребляемый микросхемой ток, мА Uш, мкВ 50 50 0,6 35 8 Таблица 6.1.2. Микросхемные стабилизаторы напряжения, обеспечивающие регулируемое выходное напряжение [2, стр. 69 - 71], [21].
Тип микросхемы LM317L LM337LZ LM317T LM337T КР142ЕН12А КР142ЕН12Б КР142ЕН18А КР142ЕН18Б КР1157ЕН1 КР1168ЕН1 Uвых, В Минимум Максимум 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,3 1,3 1,2 1,2 37 37 37 37 37 37 26,5 26,5 37 37 Iн.макс, А Pмакс, Вт 0,1 0,1 1,5 1,5 1,5 1,0 1,0 1,5 0,1 0,1 0,625 0,625 15 15 10 10 10 10 0,6 0,5 Вид цепи плюсовая минусовая плюсовая минусовая плюсовая плюсовая минусовая минусовая плюсовая минусовая Рисунок, {Корпус} 6, {TO-92} 6, {TO-92} 7, {TO-220} 8, {TO-220} 7, {КТ-28-2} 7, {КТ-28-2} 8, {КТ-28-2} 8, {КТ-28-2} 6, {КТ-26} 6, {КТ-26} В отличие от стабилизаторов с фиксированным выходным напряжением, регулируемые без нагрузки не работают.
Вход DA1 Выход R2 Uвых Регул. Uвх R Рисунок 1. Простейшая схема подключения стабилизатора напряжения, обеспечивающего регулируемое выходное напряжение. Сопротивление резистора R1 на схеме рисунка 1 примерно равно 4,7 кОм, а R2 - 200 Ом.
6.2 Операционные усилители Таблица 6.2.1. Параметры некоторых операционных усилителей [5], [21].
Тип прибора К140УД1А, КР140УД1А К140УД1Б, КР140УД1Б К140УД5А1) К140УД5Б1) К140УД6, КР140УД608 К140УД7, КР140УД708 К140УД8, КР140УД8 К140УД9 К140УД10 К140УД11, КР140УД1101 К140УД12, КР140УД12082) К140УД14, КР140УД1408 К140УД17 К140УД18 К140УД20 К153УД1 К153УД2 К153УД3 К153УД4 К153УД5 К153УД6 К154УД1 К154УД2 К154УД3 К154УД4 К157УД1 К157УД2 К544УД1, КР544УД1 К544УД2, КР544УД2 К551УД1 КМ551УД1 КМ551УД2 К553УД1 К553УД2 К553УД3 К574УД1, КР574УД1 К574УД2, КР574УД Uип, В - - 2(6Е13) 2(6Е13) 2(5Е20) 2(5Е20) - 2(9Е18) 2(5Е18) 2(5Е18) 2(1,5Е18) 2(5Е18) 2(3Е18) 2(6Е18) 2(5Е20) 2(9Е18) 2(5Е18) 2(9Е18) 2(3Е9) 2(5Е16) 2(5Е18) 2(4Е18) 2(5Е18) 2(5Е18) 2(5Е17) 2(3Е20) 2(3Е18) 2(8Е16,5) 2(6Е17) 2(5Е16,5) 2(5Е16,5) 2(5Е16,5) 2(9Е18) 2(5Е18) 2(9Е18) - - Uип. ном, В 2 6,3 2 12,6 2 12 2 12 2 15 2 15 2 15 2 12,6 2 15 2 15 2 3 / 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 26 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 15 2 КD 0,5 1,3 0,5 1 30 30 50 35 50 30 25 / 50 50 200 25 50 15 25 25 5 500 50 150 100 8 8 50 50 50 20 500 500 5 10 20 30 50 Iп, мА 6 12 12 12 3 2,8 5 8 10 8 0,03/0,17 1 5 - 3 6 3 4 0,8 3,5 3 0,15 6 7 7 9 7 3,5 7 5 5 10 6 3 4 8 Uсм, TKUсм, мВ 7 7 10 7 8 9 50 5 5 10 6 5 0,25 10 5 7,5 7,5 2 5 2 2 5 2 10 6 5 10 20 50 1,5 2 5 7,5 7,5 2 50 50 20 20 35 10 20 10 50 20 50 50 5/6 20 1,3 - 2 30 30 15 50 10 15 30 20 30 50 50 50 50 50 5 10 20 30 30 15 50 f1, 3 8 5 10 1 0,8 1 1 15 15 0,2 / 1 0,5 0,4 2,5 0,5 1 1 1 0,7 0,2 0,7 1 15 15 30 0,5 1 1 15 0,8 0,8 1 1 1 1 10 Vu, В / мкс 0,2 0,5 6 6 2 0,3 2 0,2 30 50 0,1 / 0,8 0,1 0,1 5 0,3 0,2 0,5 0,2 0,1 0,01 0,5 10 +150/-753) 80 400 0,5 0,5 3 20 0,01 0,01 0,25 0,2 0,5 0,2 50 RDвх, МОм 0,004 0,004 0,05 0,003 1 0,4 10 0,3 0,4 0,4 50 / 5 30 30 106 0,4 0,2 0,3 0,4 0,2 1 0,3 1 0,5 1 1 1 0,5 10 10 1 1 0,5 0,2 0,3 0,3 10 мкВ / К МГц Аналог A702 A702 - - MC1456C A741 A - LM118 LM318 A776 LM308 OP-07E LF- A747 A LM A709A WCC A LM301A HA2700 - AD509 HA2520 - 2LM A CA3130 - A725 A739 A LM A709A AD513 TL Тип прибора К574УД3, КР574УД3 К1401УД1 К1401УД2 К1407УД1, КР1407УД1 К1407УД2, КР1407УД2 К1407УД3, КР1407УД3 КФ1407УД4 К1408УД1, КР1408УД1 К1408УД2 К1409УД Uип, В 2(3Е16,5) 4Е15 2(2Е15) 2(3Е12) 2(1,2Е13,2) 2(2Е12) 2(1,5Е6) 2(7Е40) 2(5Е20) 2(5Е15) Uип. ном, В 2 15 2 15 2 15 25 2 12 2 12 25 2 27 2 15 2 КD 20 2 25 10 50 10 3 70 50 Iп, мА 7 8 3 8 0,1 2 2 5 2,8 Uсм, TKUсм, мВ 5 5 5 10 0,5 5 5 8 4 15 5 30 30 50 - 20 - - - - f1, 15 2,5 1 20 3 5 1 0,5 0,8 Vu, В / мкс 30 0,5 0,5 10 0,5 5 1 2 0,7 RDвх, МОм 104 1 - - - - - 1 0,4 мкВ / К МГц Аналог - LM2900 LM324 - LM4250 - - LM A747C CA 1) Данные микросхемы имеют две пары входных выводов: высокоомный вход - 8 и 11, низкоомный - 9 и 10. Параметры для К140УД5Б указаны для низкоомного входа (вывод 8 соединён с 9, а 10 - с 11). 2) Параметры указаны для двух значений управляющего тока Iупр = 1,5 / 15 мкА. 3) Значения параметра для положительного перепада выходного напряжения и отрицательного неодинаковы.
6.3 Микросхемы серии К Микросхемы серии К174 выполнены по планарно - эпитаксиальной технологии. Они предназначены для работы в низкочастотных трактах бытовой радиоаппаратуры (телевизоры, радиоприёмники) [20], [21], [27]. Микросхемы серии К174 оформлены в прямоугольном пластмассовом корпусе. К174ГЛ1А - формирование сигналов кадровой развёртки, регулировка амплитуды и линейности кадровой пилы, усиление мощности. Напряжение питания от 22 до 27 В. Потребляемый микросхемой ток - 180 мА. Максимальный выходной ток 1,1 А [21, стр. 8-4]. Корпус - 2104.12-1. Аналог - TDA1170. Выполняется по бК0.348.249 ТУ. К174ГЛ3 - генерирование колебаний с частотой кадров, формирование пилообразного напряжения с регулировкой амплитуды и линейности, усиления мощности для обеспечения тока в отклоняющей системе. При напряжении питания 12 В потребляемый микросхемой ток составляет от 5 до 14 мА. При напряжении питания 20 В потребляемый микросхемой ток составляет от 80 до 170 мА. Выходной ток от 0,4 до 0,9 А [21, стр. 8-4]. Корпус - 2102.16-А. Выполняется по АДБК.431110.585 ТУ. К174КН2 - 8-канальный коммутатор напряжения с кольцевым счётом. Выполняется по бК0.348.869 ТУ. К174КП1 - переключатель датчиков низкочастотных сигналов. Выполняется по бК0.348.688 ТУ. К174КП3 - схема управления выборкой программ телевизионных приёмников с индикацией. Напряжение питания равно 12 В, потребляемый ток 50 мА, количество каналов - 8. Корпус - 2121.28-12. Применяется в селекторах каналов. Выполняется по АДБК.431160.083 ТУ. К174ПС1, КМ174ПС1, КФ174ПС1 - двойные балансные смесители для преобразования частоты в УКВ - диапазоне. Напряжение питания 9,0 В, коэффициент шума 8 дБ. Потребляемый ток: КМ174ПС1 - 3,0 мА, К174ПС1 - 2,5 мА, КФ174ПС1 - 3,0 мА. Частота входного сигнала для КМ174ПС1 - 200 МГц, для К174ПС1 и КФ174ПС1 - 100 МГц. Частота опорного сигнала для КМ174ПС1 - 210,7 МГц, для К174ПС1 и КФ174ПС1 - 110,7 МГц. Коэффициент ослабления входного сигнала для всех трёх ИМС равен 30 дБ. Крутизна преобразования для КМ174ПС1 - 5,0 мА / В, для К174ПС1 и КФ174ПС1 - 4,5 мА / В. Корпус у К174ПС1 - 201.14-1, корпус у КМ174ПС1 - 201.16-13, корпус у КФ174ПС1 - 4304.10-1. Аналог - S042P. К174ПС1 выполняется по бК0.348.678 ТУ;
КМ174ПС1 выполняется по АДБК.431320.065 ТУ;
КФ174ПС1 выполняется по бК0.348.678 ТУ. К174ПС2 - балансный смеситель.Напряжение питания 6,0 В. Потребляемый ток Ц3,5 мА. Частота входного сигнала - 500 МГц. Частота опорного сигнала - 510,7 МГц. Коэффициент ослабления входного сигнала - 30 дБ. Крутизна преобразования - 5,0 мА / В. Корпус - 201.14-10. КМ174ПС2 выполняется по АДБК.431320.194 ТУ. К174УН4 (А, Б) - усилитель мощности только звуковых трактов. Выполняется по бК0.348.032 ТУ. К174УН5 - усилитель мощности низкой частоты. Имеет корпус 238.12-1. К174УН7 - усилитель мощности низкой частоты. Имеет корпус 238.12-1. Выполняется по бК0.348.171 ТУ. К174УН9 - усилитель мощности низкой частоты. Выходная мощность 5,0 Вт, напряжение питания 15 В, потребляемый ток в отсутствии сигнала не более 60 мА, коэффициент гармоник 0,5 %. Корпус - 201.12-1. Выполняется по бК0.348.339 ТУ. К174УН10 (А, Б) - двухканальный усилитель с электронной корректировкой частотной характеристики. Выполняется по бК0.348.475 ТУ. К174УН12 - двухканальный регулятор громкости и баланса в стереоаппаратуре. Выполняется по бК0.348.556 ТУ. К174УН14, К174УН14А - усилители мощности низкой частоты. Выполняется по бК0.348.820 ТУ. Корпус - 1501.5-1. Выходная мощность 5,5 Вт, напряжение питания 15 В, потребляемый ток в отсутствии сигнала не более 80 мА, коэффициент гармоник 0,5 %. Выполняются по бК0.348.824 ТУ. К174УН18 - двухканальный усилитель мощности низкой частоты. Выполняется по бК0.348.879 ТУ. К174УН19 - усилитель мощности низкой частоты. Выходная мощность 15 Вт, напряжение питания 15 В, потребляемый ток в отсутствии сигнала не более 56 мА, коэффициент гармоник 0,5 %. Корпус - 1501.5-1. Выполняется по бК0.348.981 ТУ. К174УН24 - двухканальный усилитель мощности низкой частоты. Выходная мощность 0,6 Вт, напряжение питания 6,0 В, потребляемый ток в отсутствии сигнала не более 10 мА, коэффициент гармоник 1,0 %. Корпус - 2101.8-1. Выполняется по АДБК.431120.422 ТУ. К174УН25 - усилитель мощности низкой частоты. Выходная мощность 9 Вт, напряжение питания от 8,0 до 14,4 В, потребляемый ток в отсутствии сигнала не более 15 мА, коэффициент гармоник 1,0 %. Корпус - 1502.11-1. Выполняется по АДБК.431120.468 ТУ. К174УН27 - двухканальный усилитель мощности низкой частоты. Выходная мощность 9 Вт, напряжение питания от 8,0 до 14,4 В, потребляемый ток в отсутствии сигнала не более 15 мА, коэффициент гармоник 1,0 %. Корпус - 1502.11-1. Выполняется по АДБК.431120.482 ТУ. К174УН29 - двухканальный усилитель мощности низкой частоты. Напряжение питания от 8,0 до 26,0 В, потребляемый ток в отсутствии сигнала не более 150 мА, коэффициент гармоник 0,5 %. Корпус - 1502.11-1. Выполняется по АДБК.431120.518 ТУ. К174УН30 - усилитель мощности низкой частоты. Выходная мощность 32 Вт, напряжение питания 18 В, потребляемый ток в отсутствии сигнала не более 90 мА, коэффициент гармоник 0,5 %. Корпус - 1501.5-1. Выполняется по АДБК.431120.519 ТУ. К174УН33 - усилитель мощности низкой частоты. Выходная мощность 20 Вт, напряжение питания 16 В, потребляемый ток в отсутствии сигнала не более 70 мА, коэффициент гармоник 0,5 %. Корпус - 1501.5-1. Выполняется по АДБК.431120.666 ТУ. К174УР1 - усилитель промежуточной частоты канала звукового сопровождения. Корпус - 201.14-6. К174УР2 - усилитель промежуточной частоты канала изображения чёрно - белых и цветных телевизионных приёмников. Корпус 2103.16-9 имеет К174УР2Б, а 238.16-3 имеет К174УР2. Аналог К174УР2Б - TDA440. Напряжение питания равно 12 1,2 В, потребляемый ток - 75 мА. Размах полного выходного сигнала положительной полярности при максимальной модуляции от 2,6 В до 4,2 В. Чувствительность не хуже 500 мкВ для К174УР2А и 300 мкВ для К174УР2Б. Диапазон регулировки усиления (АРУ) не менее 50 дБ. Ширина полосы пропускания видеочастот на уровне 3 дБ от 7,5 МГц до 10 МГц. Промежуточная частота 38 МГц. ИМС применяется в блоках радиоканала. К174УР2Б выполняется по бК0.348.192 ТУ. К174УР3 - усиление промежуточной частоты ЧМ сигнала, ограничение, частотное детектирование, предварительное усиление низкой частоты. Напряжение питания равно от 5 до 9 В, потребляемый ток - 13 мА, коэффициент гармоник равен 2 %, коэффициент ослабления амплитудной модуляции равен 40 дБ. Корпус 210.141. Аналог К174УР3 - TBA120. Применяется для радиосвязи в ЧМ трактах. Выполняется по бК0.348.292 ТУ. К174УР4 - усиление и ограничение ПЧЗ, частотное детектирование, электронная регулировка выходного сигнала. Корпус - 210.14-1. Аналог К174УР4 - TBA120V. Напряжение питания равно 12 В. Применяется в блоках радиоканала. Выполняется по бК0.348.615 ТУ. К174УР5 - усиление ПЧИ, фиксация уровней сигналов УчёрногоФ и УбелогоФ, АПЧГ. Усиление ПЧЗ с АРУ, детектирование сигналов изображения и звука, предварительное усиление звукового сигнала низкой частоты в квазипараллельном канале. Корпус - 238.16-2. Аналог К174УР5 - TDA2541. Напряжение питания равно 12 В. Применяется в блоках радиоканала. Выполняется по бК0.348.606 ТУ. К174УР7 - усилитель - ограничитель промежуточной частоты ЧМ - тракта с балансным ЧМ - декодером и предусилителем. Выполняется по бК0.348.811 ТУ. Осуществляет усиление промежуточной частоты ЧМ сигнала, ограничение, частотное детектирование, предварительное усиление низкой частоты. Напряжение питания равно от 5 до 10 В, потребляемый ток - 0,6 мА, коэффициент гармоник равен 0,8 %, коэффициент ослабления амплитудной модуляции равен 30 дБ. Корпус 238.16-1. Аналог - TCA770. Применяется для радиосвязи в ЧМ трактах. КМ174УР7 - осуществляет усиление промежуточной частоты ЧМ сигнала, ограничение, частотное детектирование, предварительное усиление низкой частоты. Напряжение питания равно от 5 до 10 В, потребляемый ток - 0,8 мА, коэффициент гармоник равен 2,5 %, коэффициент ослабления амплитудной модуляции равен 30 дБ. Корпус 201.16-13. Аналог - TCA770. Применяется для радиосвязи в ЧМ трактах. Выполняется по АДБК.431130.153 ТУ. К174УР8 - усилитель промежуточной частоты звука в квазипараллельном канале. Выполняется по бК0.348.891 ТУ. Корпус - 2103.16-9. Аналог К174УР8 - TDA2545. Напряжение питания равно 12 В. Применяется в блоках радиоканала.
К174УР10 - усиление сигналов промежуточных частот изображения и звука. Выполняется по бК0.348.929 ТУ. К174УР11 - усиление сигнала промежуточной частоты звука и осуществление регулировок громкости и тембра по низким и высоким частотам. Выполняется по бК0.348.930 ТУ. Корпус - 2104.18-4. Аналог К174УР11 - TDA1236. Напряжение питания равно 12 В. Применяется в блоках радиоканала. К1УС744 - усилитель мощности. Корпус - 201.9-1. К174ХА1М - коммутация и ограничение сигнала SECAM, а также выделение цветоразностного сигнала и запирание канала цветности при приёме чёрно - белого изображения. Выполняется по бК0.348.248 ТУ. К174XA2 - однокристальный АМ - приёмник (усиление сигналов высокой частоты с АРУ, преобразование частот, усиление промежуточной частоты с АРУ). Напряжение питания равно 9 В, потребляемый ток 17 мА, отношение сигнал / шум равно 54 дБ. Корпус ИМС К174XA2 - 238.16-1, а корпус КМ174XA2 - 201.16-13. Аналог - TCA440. Микросхема применяется в АМ - трактах. К174XA2 выполняется по бК0.348.318 ТУ;
КМ174XA2 выполняется по АДБК.431260.056 ТУ. К174XА4 - схема фазовой автоподстройки частоты. Выполняется по бК0.347.175 ТУ. К174ХА5 - многофункциональная схема для УКВ ЧМ приёмников (усиление промежуточной частоты, ограничение, частотное детектирование). Выполняется по бК0.347.175 ТУ2. Напряжение питания равно 12 В, потребляемый ток - 30 мА. Корпус 238.18-1. Аналог - TDA1047. Применяется для радиосвязи в ЧМ трактах. К174XA6 - многофункциональная схема с усилением, ограничением и детектированием ЧМ - сигнала. Выполняется по бК0.348.555 ТУ. К174XА7 - многофазный перемножитель сигналов для выделения одной боковой частоты. Выполняется по бК0.347.175 ТУ4. КМ174XА7 имеет следующие параметры. Напряжение питания 9,0 В. Потребляемый ток - 25 мА. Частота входного сигнала - 5,0 МГц. Частота опорного сигнала - 5,0 МГц. Коэффициент ослабления входного сигнала - 22 дБ. Корпус - 201.16-13. Применяется в балансных смесителях. К174XA10 - многофункциональная схема для однокристального АМ - ЧМ радиоприёмника. Выполняется по бК0.348.602 ТУ. ИМС обеспечивает усиление ВЧ, ПЧ и НЧ сигналов, преобразование и демодуляцию АМ и ЧМ сигналов. Напряжение питания - 9 В, потребляемый ток - 17 мА, коэффициент ослабления амплитудной модуляции - 3,5 %, коэффициент ослабления частотной модуляции - 2,5 %, отношение сигнал / шум 20 дБ. Корпус - 238.16-2. Аналог - TCA1083. К174XA11 - амплитудная селекция синхросигнала, автоматическая подстройка частоты и фазы, формирование импульсов строчной развёртки, формирование синхроимпульсов кадровой развёртки и стробирующих импульсов, выделение цветовой поднесущей. Напряжение питания равно 12 В. Потребляемый микросхемой ток 60 мА. Корпус - 2103.16-9. Аналог - TDA2593. Выполняется по бК0.348.605 ТУ. К174ХА14 - схема для стереодекодера системы с полярной модуляцией. Выполняется по бК0.348.739 ТУ.
К174ХА15 - многофункциональная микросхема для УКВ - блока;
усиление сигналов высокой частоты;
преобразование сигналов высокой частоты в сигналы промежуточной частоты;
генерация колебаний гетеродина. Выполняется по бК0.348.795 ТУ. К174XA16 - декодер цветности SECAM, усиление сигналов цветности, выделение сигналов опознавания цвета, демодуляция с получением на выходе цветоразностных сигналов, ФАПЧ. Корпус - 2121.28-12. Аналог К174XA16 - TDA3520B. Напряжение питания равно 12 В. Применяется в блоках цветности. Выполняется по бК0.348.837 ТУ. К174XА17 - схема формирования сигналов цветности, регулировки яркости, контрастности и насыщенности, фиксации уровня УчёрногоФ. Выполняется по бК0.348.838 ТУ. Корпус - 2121.28-12. Аналог К174XА17 - TDA3501. Напряжение питания равно 12 В. Применяется в блоках цветности. К174XA19 - формирование стабилизирующего, управляющего напряжения настройки и обработки сигналов автоподстройки частоты в блоках УКВ радиоприёмника. Напряжение питания от 9 до 16 В, потребляемый ток 7,5 мА. Корпус - 2103.16-9. Аналог - TDA1093B. Выполняется по бК0.348.882 ТУ. К174XA27 - корректор (обостритель) фронтов сигналов цветности, яркостная линия задержки. Корпус - 2104.18-2. Аналог К174XA27 - TDA4565. Напряжение питания равно 12 В. Применяется в блоках цветности. Выполняется по бК0.349.050 ТУ. К174ХА28 - декодер сигналов цветности PAL. Корпус - 2120.24-5. Аналог К174ХА28 - TDA3510А. Напряжение питания равно 12 В. Применяется в декодерах. Выполняется по бК0.349.060 ТУ. К174XA31 - декодер цветности SECAM. Корпус - 2121.28-12. Аналог - TDA3530. Напряжение питания равно 12 В. Выполняется по бК0.349.076 ТУ. К174ХА32 - четырёхканальный декодер сигналов цветности PAL / SECAM / NTSC - 3,58;
NTSC - 4,43. Корпус - 2121.28-12. Аналог К174ХА32 - TDA4555. Напряжение питания равно 12 В. Применяется в декодерах. Выполняется по АДБК.431260.017 ТУ. К174ХА32А - декодер сигналов цветности PAL / SECAM (без NTSC). Корпус - 2121.28-12. Аналог К174ХА32А - TDA4555. Напряжение питания равно 12 В. Применяется в декодерах. Выполняется по АДБК.431260.017 ТУ. К174ХА33 - видеопроцессор с автоматической регулировкой баланса УчёрногоФ, демодулятор, ЧМ-тракт, регулировка яркости, обработка сигналов. Корпус - 2121.28-12. Аналог К174ХА33 - TDA3505. Напряжение питания равно 12 В. Применяется в блоках радиоканала. Выполняется по АДБК.431260.018 ТУ. К174ХА34 - осуществляет усиление промежуточной частоты ЧМ сигнала, ограничение, частотное детектирование, предварительное усиление низкой частоты. Напряжение питания равно 3 10 % В, потребляемый ток - 10 мА, коэффициент гармоник равен 2,5 %, коэффициент ослабления амплитудной модуляции равен 30 дБ. Корпус 2103.16-2. Аналог - TCA7021. Применяется для радиосвязи в ЧМ трактах. Выполняется по АДБК.431260.120 ТУ / 02. К174XA35 - стереодекодер с полярной модуляцией для отечественной системы радиовещания. Напряжение питания равно 6 В, потребляемый ток - 11 мА, коэффициент гармоник равен 0,5 %, отношение сигнал / шум 60 дБ. Корпус 238.183. Применяется в стереодекодерах. Выполняется по АДБК.431260.129 ТУ / 02. К174XA36А, Б - генерация и преобразование частот, усиление промежуточной частоты, демодуляция, предварительное усиление низкой частоты, выход на индикацию. Для группы А: напряжение питания от 2,0 до 9,0 В, потребляемый ток 10 мА. Для группы Б: напряжение питания от 2,0 до 3,3 В, потребляемый ток 8 мА. Коэффициент гармоник для групп А и Б равен 3 % при входном напряжении 10 мВ. Корпус - 238.16-1. Аналог - TEA5570. Применяется в АМ - трактах. К174XA36А выполняется по АДБК.431260.147 ТУ;
К174XA36Б выполняется по АДБК.431260.147 ТУ / 02. К174ХА38, К174ХА38А - обработка сигналов изображения и звука, АРУ и АРУ на СК, генерация строчных и кадровых импульсов цветного изображения. Корпус - 2121.28-12. Аналог К174ХА38 - TDA8305А. Напряжение питания равно 12 В. Применяется в блоках радиоканала. К174ХА38 и К174ХА38А выполняются по АДБК.431260.150 ТУ. К174ХА39 - обработка телевизионных сигналов изображения и звука, генерация строчных и кадровых импульсов, ЧМ-тракт, детектирование сигналов цветного изображения, схема АРУ. Чувствительность - 120 мкВ. Корпус - 2121.2812. Аналог К174ХА39 - TDA4502А. Напряжение питания равно 12 В. Применяется в блоках радиоканала. Выполняется по АДБК.431260.151 ТУ. К174ХА41 - двухканальная схема выборки переключения режима работы с выходными каскадами. Напряжение питания - 12 В, потребляемый ток - 15 мА, коэффициент гармоник - 0,5 %, напряжение шумов, приведённое ко входу, - 20 мВ. Корпус - 2104.18-4. Аналог - TDA3810. Выполняется по АДБК.431260.282 ТУ. К174ХА46 - радиоприёмное устройство для приёма и обработки АМ и ЧМ сигналов. Напряжение питания - 3 В, потребляемый ток при обработке АМ колебаний - 19 мА, потребляемый ток при обработке ЧМ колебаний - 23 мА, коэффициент ослабления амплитудной модуляции - 1,5 %, коэффициент ослабления частотной модуляции - 0,5 %, отношение сигнал / шум 40 дБ. Корпус - 2120.24-3. Аналог - TEA5592. Применяется в АМ / ЧМ трактах. Выполняется по АДБК.431260.426 ТУ. К174XA48 - регулятор тембра, стерео-баланса и громкости. Напряжение питания от 8,5 до 16,5 В, потребляемый ток от 17 до 25 мА. Диапазон регулировки тембра: низких частот - не менее 12 дБ, высоких частот - не менее 12 дБ. Диапазон регулировки громкости не менее 65 дБ. Диапазон регулировки баланса не менее 30 дБ. Корпус - 2104.18-6. Аналог - TLA1524. Выполняется по АДБК.431260.549 ТУ. К174ХБ5Р, К174ХБ5АР - микросхема предназначена для работы в телевизионных приёмниках (К174ХБ5Р - в цветных, К174ХБ5АР - в чёрно - белых) в качестве задающих генераторов строчной и кадровой развёрток, переключателей внешнего видеосигнала. Корпус - 2121.28-12. Напряжение питания равно 12 В. Применяется в блоках радиоканала. Выполняется по АДБК.431260.886 ТУ. КБ174УН36-1 - малошумящий усилитель низкой частоты. Выполняется по АДБК.431120.729 ТУ. На базе микросхемы К174УН7 серии К174 можно создать законченный усилитель звуковой частоты. В её монокристалле кремния, заключённом в пластмассовый корпус размерами 21,5 6,8 4 мм, работает 17 транзисторов разных структур, 5 диодов и 16 резисторов, которые вместе с внешними деталями, подключаемыми к микросхеме при монтаже, образуют несколько каскадов предварительного усиления сигнала и двухтактный усилитель мощности. Транзисторы каскада усиления мощности имеют тепловой контакт с металлической пластиной, выступающей из корпуса. Она выполняет функцию небольшого радиатора, отводящего тепло от транзисторов. При необходимости более эффективного охлаждения транзисторов выходного каскада к выступающим частям пластины привинчивают дополнительную пластину, изогнутую в виде перевернутой буквы УПФ с вырезом по корпусу. Дополнительный радиатор не должен касаться выводов микросхемы. Внешний вид принципиальной схемы усилителя звуковой частоты, который на её базе можно построить, показан на рисунке 3.
3,8 7 7,5 1 Метка 6 23 5 12 21, Рисунок 1. Габаритные размеры и цоколёвка ИМС К174УН7. Полный аналог микросхемы К174УН7 - A210E и TBA810. Назначение выводов К174УН7: 1 - питание +Uип;
4 - цепь обратной связи для регулировки коэффициента усиления по напряжению;
5 - коррекция;
6 - обратная связь;
7 - фильтр;
8 - вход;
9 - общий провод -Uип;
10 - эмиттер выходного транзистора;
12 - выход.
Таблица 6.3.1. Параметры некоторых микросхем - усилителей мощности.
Параметр Номинальная выходная мощность на нагрузке 4 Ом, Вт Коэффициент усиления1 Диапазон рабочих частот, Гц Коэффициент гармоник1, не более, % Входное сопротивление, не менее, кОм Напряжение источника питания, В Ток, потребляемый в отсутствии сигнала, не более, мА К174УН5 2 80 Е 120 К174УН7 К1УС744А К174УС744Б 4,5 - 2,0 Е 10,0 [12, стр. 7] 50 15 1,5 20 1 4 Е 40 0,7 4 Е 30 Е 20000 40 Е 20000 30 Е 20000 30 Е 20000 1 10 12 1,2 30 2 10 5,4 Е 9,9 10 2 10 5,4 Е 9,9 1. При номинальном напряжении питания, частоте сигнала 1 кГц и выходном напряжении 2,85 В (К174УН5), 4,25 В (К174УН7), 2 В (К1УС744А), 1,7 В (К1УС744Б).
Дополнительные данные на ИМС К174УН Электрические параметры. Максимальное входное напряжение при Uип = 15 В, Uвых = 3,16 В, fвх = 1 кГц, Рвых = 2,5 Вт Коэффициент гармоник К174УН7 при Uип = 15 В, fвх = 1 кГц: Uвых = 4,25 В, Рвых = 4,5 Вт Uвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт Uвых = 3,16 В, Рвых = 2,5 Вт Коэффициент усиления по напряжению при Т= -10 Е +55 C Коэффициент полезного действия при Pвых = 4,5 Вт Предельно допустимые режимы эксплуатации. Амплитуда входного напряжения Постоянное напряжение: на выводе 7 на выводе 8 Тепловое сопротивление: кристалл - корпус кристалл - среда Температура окружающей среды Температура кристалла 30 Е 70 мВ. < 10 % <2% <2% 45 50 % < 2,0 В < 15 В 0,3 Е 2,0 В 20 C / Вт 100 C / Вт -10Е+55 C +85 C VD К174УН R16 VT VT Вольтдобавка +15В VD1 VT14 R5 R10 VT7 R8 VT12 R6 VT4 VT2 R1 VT6 VT1 VT3 VT5 R7 R11 R12 R3 VT8 VT10 VT11 VT17 R9 R15 VD4 VD5 VT15 VD3 R13 VT Фильтр R 6 Обратная связь Выход Вход R R Рисунок 2. Принципиальная схема внутренних цепей ИМС К174УН7.
Коррекция 5 Корпус 9 Общий В схеме усилителя, изображённой на рисунке 3, выводы 2, 3 и 11 микросхемы не используются.
С9 220мк х x 15B С1 10мк х x 10B 8 R1 51к DA1 К174УН7 12 6 5 С3 4700 4 7 1 9 10 С4 100мк х x 15B С7 100мк х x 15B Выход Вход С2 100мк х x15B R2 R4 1 С5 510 С6 100мк х x 15B R3 100 С8 0,1мк Rн +Uпит Рисунок 3. Принципиальная схема подключения ИМС К174УН7. При напряжении источника питания 9 В выходная мощность усилителя составляет 1 Е 1,5 Вт;
при 12 В - 2 Е 2,5 Вт. Принцип работы усилителя, изображённого на рисунке 2. Усиливаемый сигнал подаётся на вход усилителя, на конденсатор C1. Через разделительный конденсатор C1 сигнал подаётся на вход (вывод 8) микросхемы DA1. С выхода микросхемы (вывод 12) сигнал звуковой частоты, усиленный всеми её каскадами, поступает через конденсатор C9 к нагрузке Rн (например, динамической головке). Напряжение питания на микросхему подаётся через выводы 1 и 10. Через резистор R1 на базу p-n-p транзистора первого каскада микросхемы подаётся открывающее его отрицательное напряжение смещения. Конденсатор C4 совместно с несколькими элементами микросхемы образуют фильтр, через который питаются транзисторы первых каскадов усилителя. Конденсатор C2 и резистор R2 входят в цепь отрицательной обратной связи, улучшающей частотную характеристику усилителя. Конденсатор С6 и резистор R3 - элементы вольтдобавки, позволяющей более полно использовать по мощности выходные транзисторы микросхемы. Конденсаторы С3 и С5 и цепочка R4, С8 служат для коррекции усилителя по высшим частотам звукового диапазона. Конденсатор С7 шунтирует источник питания по переменному току. Общие рекомендации по применению ИМС К174УН7. Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. При температуре корпуса выше 60 C максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле Р=, 150 - Тк, Втс теплоотводом где Тк - температура на поверхности теплоотвода у основания пластмассового корпуса микросхемы. Допускается кратковременное (в течение 3 минут) увеличение напряжения питания до 18 В. Подача постоянного напряжения от внешнего источника на выводы 5, 6 и 12 микросхемы недопустима.
6.4 Цифровые микросхемы Микросхемы серии К Транзисторно - транзисторные логические схемы [29]. Изготовлены по планарно - эпитаксиальной технологии на кристалле кремния с изоляцией элементов р-n переходом. Корпус - прямоугольный пластмассовый с 14 выводами. Масса 1 г. Состав серии К1ЛБ551 Ч два четырёхвходовых логических элемента И-НЕ. К1ЛБ552 Ч восьмивходовой логический элемент И-НЕ. К1ЛБ553 Ч четыре двухвходовых логических элемента И-НЕ. К1ЛБ554 Ч три трёхвходовых элемента И-НЕ. К1ЛБ556 Ч два четырёхвходовых логических элемента И-НЕ с большим коэффициентом разветвления на выходе. К1ЛБ557 Ч два четырёхвходовых элемента И-НЕ с открытым коллекторным выходом и повышенной нагрузочной способностью (для элементов индикации). К1ЛБ558 Ч четыре двухвходовых логических элемента И-НЕ с открытым коллекторным выходом (для элементов контроля). К1ЛР551 Ч два логических элемента 2И-2ИЛИ-НЕ, один расширяемый по ИЛИ. К1ЛР553 Ч логический элемент 2-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ. К1ЛР554 Ч логический элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ. К1ЛП551 Ч два четырёхвходовых расширителя по ИЛИ. К1ЛП553 Ч восьмивходовой расширитель по ИЛИ. К1ТК551 Ч JK-триггер с логикой на входе 3И. К1ТК552 Ч два D-триггера. К1ЖЛ551 Ч формирователь разрядной записи, усилитель воспроизведения и схема установки нуля. К1ИЕ551 Ч декадный счётчик с фазоимпульсным представлением информации. Эксплуатационные данные Диапазон рабочей температуры от -10 до +70 C Напряжение питания всех микросхем +5 В 5 % К155ЛА3 Цоколёвка микросхемы показана на рисунке 10, логическая организация - ниже.
1 & 4 & 9 & 12 & Напряжение питания подаётся на 14 вывод - это У+Ф 5 В и на 7 вывод - это общий провод.
Тип логики: МОП-структуры (p-канал). Состав серии: К161ИД1 Ч дешифратор двоичного 3-разрядного кода. К161ИЕ1 Ч реверсивный одноразрядный двоичный счётчик со сквозным переносом. К161ИЕ2 Ч комбинированный двоичный счётчик со сквозным переносом на 3 разряда. К161ИЕ3 Ч 4-разрядный суммирующий двоичный счётчик с десятичным модулем счёта и сквозным переносом. К161ИМ1 Ч комбинационный сумматор. К161ИР1 Ч реверсивный статический регистр сдвига на 2 разряда. К161ИР2 Ч параллельный статический регистр на 3 разряда. К161ИР3 Ч квазистатический последовательный регистр сдвига на 16 разрядов. К161ИР4 Ч два квазистатических реверсивных последовательных регистра на 4 разряда. К161ИР5 Ч квазистатический последовательный регистр сдвига на 12 разрядов. К161ИР6 Ч квазистатический реверсивный последовательный регистр сдвига на 4 разряда. К161ИР7 Ч квазистатический последовательный регистр сдвига на 8 разрядов. К161ИР8 Ч квазистатический реверсивный последовательный регистр сдвига на 4 разряда. К161ИР9 Ч квазистатический регистр сдвига на 8 разрядов. К161ИР10 Ч квазистатический комбинированный регистр на 4 разряда. К161ЛЕ1 Ч три элемента 2ИЛИ - НЕ и элемент НЕ. К161ЛЕ2 Ч два элемента 3ИЛИ - НЕ с двумя общими входами и элемент 3ИЛИ - НЕ / 3ИЛИ. К161ЛЛ1 Ч элемент 6ИЛИ и элемент 2ИЛИ - НЕ / 2ИЛИ. К161ЛП1 Ч три логических повторителя и три элемента НЕ с повышенной нагрузочной способностью. К161ЛП2 Ч четыре элемента Запрет с общим инверсным входом и элемент НЕ. К161ЛР1 Ч три элемента 2И - 2ИЛИ - НЕ. К161КН1 Ч 7-канальный коммутатор с инверсными входами. К161КН2 Ч 7-канальный коммутатор с прямыми входами. К161ПР1 Ч преобразователь кода 8Ц4Ц2Ц1, 2Ц4Ц2Ц1 в позиционный код сегментных цифросинтезирующих индикаторов. К161ПР2 Ч преобразователь кода 8Ц4Ц2Ц1 в позиционный код сегментных цифросинтезирующих индикаторов. К161ПР3 Ч преобразователь кода 8Ц4Ц2Ц1 в позиционный код индикатора. Корпус: прямоугольный пластмассовый 201.14Ц1 (корпус 238.16-1 для К161КН1, К161КН2, К161ПР1, К161ПР2, К161ПР3). Выводы: общий - 1, Uип1 - 8, Uип2 - 7 (для К161КН1, К161КН2, К161ПР1, К161ПР2, К161ПР3, Uип - 9). Напряжение источника питания: Ц27 В 10% (для К161КН1, К161КН2, К161ПР1, К161ПР2, К161ПР3);
Uип1 = Ц12,6 В 10 %, Uип2 = Ц27 В 10 % (для остальных микросхем).
Микросхемы серии К К161ИД 21 11 2 DC 0 1 2 3 4 5 6 3 5 9 14 12 6 10 Корпус: прямоугольный металлостеклянный 201.14-7. Выводы: общий - 7, Uип - 14. Напряжение источника питания: + 15 В 10 %. Цоколёвка микросхем К511ЛА1 и К511ЛА5 показана на рисунке 10, логическая организация - ниже.
1 Микросхемы серии К & 4 & 13 & 10 & Таблица 6.4.1. Электрические параметры микросхем К511ЛА1, К511ЛА2, К511ЛА4, К511ЛА3, К511ЛА5, К511ЛИ1, К511ПУ1, К511ПУ2.
Параметр Iп, не более, мА I п, не более, мА К511ЛА1 К511ЛА2 К511ЛА4 К511ЛА3 К511ЛА5 К511ЛИ1 К511ПУ1 К511ПУ2 30 10 -1,33 -0,48 1,5 12 - 0,005 -25 150 300 22,5 7,5 -1,33 -0,48 1,5 12 - 0,005 -25 150 300 15 5 -1,33 -0,48 1,5 12 - 0,005 -25 150 300 15 5 -1,33 -0,48 1,5 1) 30 10 -1,33 -0,48 1,5 1) 9 - -1,33 -0,48 - - 0,1 0,005 - 200 24 10 -1,33 -0,48 0,45 - 0,12) 0,005 - 150 - 10 - - - - - - 25 1503) 3003) Iвх, по расширительным входам, мА I0вх, мА U вых, не более, В 0 U вых, В I1вых, мА I1вх, мА Iкз, не более, мА tздр10, нс tздр01, нс 1) 2) 3) - 0,005 -2,5 150 - 0,005 -2,5 150 U1вых микросхемы К511ЛА3 измеряется при Iвых = -0,05 мА. При U0вх = 6,0 В. При U1вх = 4,5 В.
Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации Напряжение источника питания, не более 22 В Входное напряжение: максимальное 20 В минимальное -0,5 В Максимальная ёмкость нагрузки 680 пФ Зарубежные аналоги микросхем серии К Таблица 6.4.2. Зарубежные аналоги микросхем серии К561. Отечественные ИМС К561ИД1 К561ИЕ8 К561ИЕ9 К561ИЕ10 К561ИЕ11 К561ИЕ16 К561ИМ1 К561ИП2 К561ИР2 К561ИР6 К561ИР9 К561ИР12 К561КП1 К561КП2 К561КТ1 К561КТ3 К561ЛА7 К561ЛА8 К561ЛА9 К561ЛЕ5 К561ЛЕ6 К561ЛЕ10 К561ЛН1 К561ЛН2 К561СА1 К561ТВ1 К561ТЛ1 К561ТМ2 К561ТМ3 К561ТР2 Зарубежные ИМС CD4028 CD4017 CD4022 CD4520 CD4516 CD4020 CD4008 CD4585 CD4015 CD4034 CD4035 CD40108 CD4052 CD4051 CD4016 CD4066 CD4011 CD4012 CD4023 CD4001 CD4002 CD4025 CD4502 CD4049 CD4531 CD4027 CD4093 CD4013 CD4042 CD 6.5 Рисунки цоколёвок микросхем Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров микросхем 4,2 Общий 2,5 Выход 5,2 4,2 Вход 2,5 Общий 5,2 0,7 0,45 0, Вход 13, 5, 1, 0, Выход 13, 5, 1, Рис. Рис. 6,8-0,9 6,35max 1,7-0,55 10,65-0,4 3,6 2,80,2 4,8-0,5 1,37-0, 11,1 4 7, 16,4 2, Выход 2, 15,9-1, 0, Вход 2, Общий 2, 13,50, Выход (2) 1,15-0,55 1,1-0,75 2,50,2 30, Вход (17) Рис. Общий (8) 2,50, Рис. 6,8-0,9 10,65-0,4 3,6 2,80,2 4,8-0,5 1,37-0, 15,9-1, 4, 6,35max Выход 2, Управл. 5, 13,50, Вход 1,7-0, 13, 5, 1, Выход 1,15-0,55 1,1-0,75 2,50,2 30, Общий Вход 2,50, Рис. Рис. 5 0,7 0, Определение электродов, некоторых габаритных и присоединённых размеров микросхем 2,80,2 6,8-0,9 1,37-0,27 6,8-0,9 6,35max 1,7-0, 8 10,65-0,4 3, 10,65-0,4 3, 2,80, 4,8-0, 4,8-0,5 1,37-0, 15,9-1, 13,50, 6,35max 1,7-0, Вход (2) 1,15-0,55 1,1-0,75 2,50,2 30, 13,50, 15,9-1, Выход (2) 1,15-0,55 1,1-0,75 2,50,2 30, Управл. (17) Выход (8) 2,50, Управл. (17) Вход (8) 2,50, Рис. 26-0, Рис. Выход Вход 300,1 39,2-1 16,90, 14 13 12 11 10 R13max 2отв.4,1+0,1 20,1-0,4 3, R4,65max 1 2 3 4 5 13-2 10,3-2, 1,1-0,12 110, Рис. Рис. 6, Общий 6.6 Фотографии разных микросхем К140УД2 К133ЛА7 7805C К561ТМ 7 Номера ТУ некоторых приборов Указанные ниже технические условия были действительны 25 марта 2005 года. Таблица 7.1.1. Технические условия некоторых диодов [27].
Тип прибора КД2997А, КД2997Б, КД2997В КД2998А, КД2998Б, КД2998В, КД2998Г КД2999А, КД2999Б, КД2999В Номер технических условий аА0.336.647 ТУ аА0.336.629 ТУ аА0.336.646 ТУ Таблица 7.1.2. Технические условия некоторых транзисторов малой мощности высокой частоты [27].
Тип прибора 1ТМ305А, 1ТМ305Б, 1ТМ305В 1Т305А, 1Т305Б, 1Т305В 1Т308А, 1Т308Б, 1Т308В 1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В 1Т330А, 1Т330Б, 1Т330В, 1Т330Г 1Т335А, 1Т335Б, 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д 1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В 1Т362А 1Т374А 1Т376А 1Т386А 1Т387А-2 2П301А, 2П301Б 2П302А, 2П302Б, 2П302В 2П303А, 2П303Б, 2П303В, 2П303Г, 2П303Д, 2П303Е, 2П303И 2П304А 2П305А, 2П305Б, 2П305В, 2П305Г 2П305А-2, 2П305Б-2, 2П305В-2, 2П305Г-2 2П306А, 2П306Б, 2П306В 2П307А, 2П307Б, 2П307В, 2П307Г, 2П307Д 2П308А-1, 2П308Б-1, 2П308В-1, 2П308Г-1, 2П308Д-1 2П312А, 2П312Б 2П313А, 2П313Б, 2П313В 3П320А-2, 3П320Б-2 3П321А-2 3П322А 3П324А-2, 3П324Б-2 Номер технических условий ЩТ3.365.021-2 ТУ ЩТ3.365.021-5 ТУ (дополнение к ЩТ3.365.021-2 ТУ) ЖК3.365.120 ТУ ЖК3.365.158 ТУ ЖК3.365.161 ТУ ШП3.365.011 ТУ ЩТ3.365.027 ТУ ЩТ3.365.057 ТУ ЖК3.365.185 ТУ ШП3.365.015 ТУ ЩТ3.365.065 ТУ ЖК3.365.239 ТУ ЖК3.365.248 ТУ ПЖ0.336.023 ТУ ПЖ0.336.024 ТУ Б13.365.001 ТУ ЖК3.365.202 ТУ ЖК3.365.204 ТУ Ц23.365.003 ТУ СБ3.365.106 ТУ ТФ0.336.001 ТУ аА0.339.070 ТУ ТФ0.336.003 ТУ Ц23.365.008 ТУ Ц23.365.006 ТУ ЖК3.365.262 ТУ ТФ0.336.008 ТУ аА0.339.167 ТУ аА0.339.206 ТУ аА0.339.215 ТУ аА0.339.265 ТУ 2П308А-9, 2П308Б-9, 2П308В-9, 2П308Г-9, 2П308Д-9, 2П308Е-9 аА0.339.618 ТУ Тип прибора 3П325А-2 3П325А-5 3П326А-2 3П326А-5, 3П326Б-5 3П328А-2 3П328А-5 3П330А-2, 3П330Б-2, 3П330В-2 3П331А-2 3П331А-5 2П333А, 2П333Б 2П337АР, 2П337БР 2П338АР-1 3П339А-2 3П339А-5 2П341А, 2П341Б 3П343А-2 3П343А-5 3П344А-2 3П344А-5 3П345А-2 2П350А, 2П350Б ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И ГТ313А, ГТ313Б ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В, ГТ322Г, ГТ322Д, ГТ322Е ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г ГТ330Д, ГТ330Ж, ГТ330И ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В ГТ362А, ГТ362Б Номер технических условий аА0.339.355 ТУ аА0.339.355 ТУ / Д1 аА0.339.314 ТУ аА0.339.314 ТУ / Д1 аА0.339.424 ТУ аА0.339.424 ТУ / Д1 аА0.339.485 ТУ аА0.339.659 ТУ аА0.339.659 ТУ / Д1 аА0.339.511 ТУ аА0.339.595 ТУ аА0.339.610 ТУ аА0.339.615 ТУ аА0.339.615 ТУ / Д1 аА0.339.789 ТУ аА0.339.720 ТУ аА0.339.720 ТУ / Д1 аА0.339.725 ТУ аА0.339.725 ТУ / Д1 аА0.339.765 ТУ ЖК3.365.215 ТУ ЩП3.365.009 ТУ ЩТ3.365.022-3 ТУ Г93.365.008 ТУ ЖК3.365.201 ТУ ЖК3.365.162 ТУ ЩП3.365.014 ТУ ЩТ3.365.054 ТУ ЖК3.365.170 ТУ ПЖ0.336.018 ТУ ЩТ3.365.057-2 ТУ ЖК3.365.217 ТУ ЩТ0.336.009 ТУ ПЖ0.336.021 ТУ ЖК3.365.244 ТУ Тип прибора КП301Б КП302А, КП302Б, КП302В, КП302Г КП303А, КП303Б, КП303Ж, КП303И КП304А КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305И КП306А, КП306Б, КП306В КП308А, КП308Б, КП308В, КП308Г, КП308Д КП312А, КП312Б КП313А, КП313Б, КП313В КП350А, КП350Б, КП350В КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, Номер технических условий ЖК3.365.220 ТУ ЖК3.365.233 ТУ Ц20.336.601 ТУ СБ3.365.109 ТУ ТФ0.336.000 ТУ ТФ0.336.002 ТУ аА0.336.027 ТУ аА0.336.167 ТУ аА0.336.118 ТУ ЖК3.365.250 ТУ КП307А, КП307Б, КП307В, КП307Г, КП307Д, КП307Е, КП307Ж аА0.336.046 ТУ КТ301, КТ301А, КТ301Б, КТ301В, КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, ГОСТ 5.1041-71 КТ301Ж КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д КТ307А, КТ307Б, КТ307В, КТ307Г КТ312А, КТ312Б, КТ312В КТ313А, КТ313Б КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д КТ317А, КТ317Б, КТ317В КТ318А, КТ318Б, КТ318В, КТ318Г, КТ318Д, КТ318Е КТ324А, КТ324Б, КТ324В, КТ324Г, КТ324Д, КТ324Е КТ325А, КТ325Б, КТ325В КТ326А, КТ326Б КТ333А, КТ333Б, КТ333В, КТ333Г, КТ333Д, КТ333Е КТ336А, КТ336Б, КТ336В, КТ336Г, КТ336Д, КТ336Е КТ337А, КТ337Б, КТ337В КТ343А, КТ343Б, КТ343В КТ347А, КТ347Б, КТ347В КТ349А, КТ349Б, КТ349В КТ350А КТ351А, КТ351Б КТ352А, КТ352Б КТ354А, КТ354Б СБ0.336.028 ТУ СБ0.336.016 ТУ ГОСТ 5.912-71 аА0.336.131 ТУ ЖК3.365.200 ТУ СБ0.336.030 ТУ Ге3.365.011 ТУ Ге0.336.004 ТУ СБ0.336.031 ТУ СБ0.336.047 ТУ ГОСТ 5.1562-75 аА0.336.015 ТУ СБ0.336.029 ТУ ЩТ3.365.058-4 ТУ ЖК3.365.234 ТУ ЖК3.365.226 ТУ ЩТ3.365.058-2 ТУ ЩТ3.365.058-5 ТУ ЩТ3.365.058-6 ТУ ЩТ3.365.058-7 ТУ аА0.336.019 ТУ Тип прибора КТ355А КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г КТ358А, КТ358Б, КТ358В КТ360А, КТ360Б, КТ360В КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е КТ363А, КТ363Б КТ364А, КТ364Б, КТ364В КТ368А, КТ368Б КТ369А, КТ369Б, КТ369А-1, КТ369Б-1, КТ369В-1, КТ369Г-1 КТ371А КТ372А, КТ372Б, КТ372В КТ373А, КТ373Б, КТ373В, КТ373Г КТ375А, КТ375Б КТ379А, КТ379Б, КТ379В, КТ379Г КТ380А, КТ380Б, КТ380В КТ384А, КТ384АМ КТ385А, КТ385АМ КТ388Б-2 КТС393А, КТС393Б КТС394А, КТС394Б КТС395А, КТС395Б КТ396А КТ397А-2 КТС398А-1, КТС398Б-1 КТ399А КТ3101А-2 КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е КТ3104А, КТ3104Б, КТ3104В, КТ3104Г, КТ3104Д, КТ3104Е КТ3106А- Номер технических условий СБ3.365.104 ТУ И93.365.022 ТУ И93.365.014 ТУ ЩТ0.336.012 ТУ ФЫ0.336.201 ТУ ЩТ0.336.014 ТУ ЩТ0.336.011 ТУ аА0.336.025 ТУ Я53.369.000 ТУ аА0.336.112 ТУ аА0.336.032 ТУ аА0.336.004 ТУ аА0.336.022 ТУ аА0.336.030 ТУ аА0.336.028 ТУ аА0.336.154 ТУ аА0.336.155 ТУ аА0.336.300 ТУ аА0.336.099 ТУ аА0.336.067 ТУ аА0.336.068 ТУ аА0.336.144 ТУ аА0.336.145 ТУ аА0.336.212 ТУ аА0.336.257 ТУ аА0.336.237 ТУ аА0.336.122 ТУ аА0.336.128 ТУ аА0.336.236 ТУ КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, аА0.336.170 ТУ КТ3107Ж КТ3117А КТ3120А КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ КТ3127А аА0.336.262 ТУ аА0.336.268 ТУ аА0.336.415 ТУ аА0.336.429 ТУ Тип прибора П401, П402, П403 П401, П402, П403, П403А П410, П410А, П411, П411А П416, П416А, П416Б П417, П417А П418Г, П418Д, П418Е, П418Ж, П418И, П418К, П418Л, П418М П422, П423 ТМ-4А, ТМ-4Б, ТМ-4В, ТМ-4Г, ТМ-4Д, ТМ-4Е М4А, М4Б, М4В, М4Г, М4Д, М4Е Номер технических условий ЩТ3.365.016 ТУ ЩТ3.365.040 ТУ СБ0.336.011 ТУ ЩП3.365.001 ТУ, ГОСТ 14876-72 ЖК3.365.080 ТУ ЖК3.365.081 ТУ ЩТ0.336.001 ТУ ЩТ3.365.021 ТУ ЩТ3.365.022-4 ТУ (Дополнение №1 к ЩТ3.365.021 ТУ) ТМ-10, ТМ-10А, ТМ-10Б, ТМ-10В, ТМ-10Г, ТМ-10Д, ТМ-10Е, ЖК0.005.013 ТУ ТМ-10Ж М10, М10А, М10Б, М10В, М10Г, М10Д, М10Е, М10Ж Дополнение №1 к ЖК0.005.013 ТУ Таблица 7.1.3. Технические условия некоторых транзисторов большой мощности низкой частоты [27].
Тип прибора 2П701А, 2П701Б 2П702А 2Т704А, 2Т704Б 2Т708А, 2Т708Б, 2Т708В 2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В 2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2, 2Т716А1, 2Т716Б1, 2Т716В1 2Т713А 2Т716А, 2Т716Б, 2Т716В ГТ701А ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705В, ГТ705Г, ГТ705Д КТ704А, КТ704Б, КТ704В П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ Номер технических условий аА0.339.497 ТУ аА0.339.524 ТУ ЖК3.365.245 ТУ аА0.339.143 ТУ аА0.339.144 ТУ аА0.339.628 ТУ аА0.339.492 ТУ аА0.339.645 ТУ ГОСТ 16947-71 ЮФ3.365.019 ТУ аА0.336.044 ТУ аА0.336.031 ТУ СИ3.365.005 ТУ ЩБ3.365.014 ТУ П213, П213А, П213Б, П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г, П215 СИ3.365.012 ТУ П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А, СИ3.365.017 ТУ П217Б, П217В, П217Г Таблица 7.1.4. Технические условия некоторых транзисторов большой мощности средней частоты [27].
Тип прибора 2П802А 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806Б 1Т813А, 1Т813Б, 1Т813В 2Т803А 2Т812А, 2Т812Б 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В 2Т818А-2, 2Т818Б-2, 2Т818В-2, 2Т819А-2, 2Т819Б-2, 2Т819В-2 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В 2Т826А-5 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В 2Т827А-5 2Т828А, 2Т828Б 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г 2Т830В-1, 2Т830Г-1 2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В, 2Т831Г 2Т831В-1, 2Т831Г-1 2Т832А, 2Т832Б 2Т834А, 2Т834Б, 2Т834В 2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е 2Т839А 2Т841А, 2Т841Б 2Т841А1, 2Т841Б1 2Т842А, 2Т842Б 2Т842А1, 2Т842Б1 2ТС843А 2Т844А 2Т845А 2Т847А, 2Т847Б 2Т848А Номер технических условий аА0.339.578 ТУ ЮФ3.365.009 ТУ ЮФ3.365.026 ТУ ГЕ3.365.008 ТУ аА0.339.193 ТУ аА0.339.141 ТУ аА0.339.557 ТУ аА0.339.142 ТУ аА0.339.054 ТУ аА0.339.556 ТУ аА0.339.058 ТУ аА0.339.579 ТУ аА0.339.119 ТУ аА0.339.460 ТУ аА0.339.120 ТУ аА0.339.139 ТУ аА0.339.406 ТУ аА0.339.140 ТУ аА0.339.407 ТУ аА0.339.145 ТУ аА0.339.209 ТУ аА0.339.164 ТУ аА0.339.411 ТУ аА0.339.224 ТУ аА0.339.267 ТУ аА0.339.625 ТУ аА0.339.319 ТУ аА0.339.626 ТУ аА0.339.325 ТУ аА0.339.340 ТУ аА0.339.341 ТУ аА0.339.361 ТУ аА0.339.512 ТУ Тип прибора 2Т856А, 2Т856Б, 2Т856В 2Т860А, 2Т860Б, 2Т860В 2Т861А, 2Т861Б, 2Т861В 2Т862А, 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г, 2Т862Д 2Т866А 2Т867А 2Т874А, 2Т874Б 2Т880А, 2Т880Б, 2Т880В, 2Т880Г 2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т881Г, 2Т881Д 2Т882А, 2Т882Б, 2Т882В 2Т883А, 2Т883Б 2Т884А, 2Т884Б ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д КТ801А, КТ801Б КТ802А КТ803А КТ805А, КТ805Б КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ КТ807А, КТ807Б КТ808А КТ809А КТ812А, КТ812Б, КТ812В КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г Номер технических условий аА0.339.383 ТУ аА0.339.412 ТУ аА0.339.413 ТУ аА0.339.417 ТУ аА0.339.431 ТУ аА0.339.439 ТУ аА0.339.571 ТУ аА0.339.594 ТУ аА0.339.644 ТУ аА0.339.558 ТУ аА0.339.623 ТУ аА0.339.624 ТУ ЮФ3.365.021 ТУ ЩЫ3.365.001 ТУ ЖК3.365.156 ТУ ЖК3.365.206 ТУ ГОСТ 18354-73 аА0.336.341 ТУ ГЕ3.365.005 ТУ ГЕ3.365.020 ТУ аА0.365.003 ТУ аА0.336.052 ТУ аА0.336.184 ТУ аА0.336.185 ТУ аА0.336.186 ТУ аА0.336.187 ТУ КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, аА0.336.188 ТУ КТ818ВМ, КТ818ГМ КТ820А-1, КТ820Б-1, КТ820В-1 КТ821А-1, КТ821Б-1, КТ821В-1 КТ822А-1, КТ822Б-1, КТ822В-1 КТ823А-1, КТ823Б-1, КТ823В-1 КТ835А, КТ835Б П702, П702А аА0.336.192 ТУ аА0.336.193 ТУ аА0.336.194 ТУ аА0.336.195 ТУ аА0.336.402 ТУ ЩБ3.365.000 ТУ Таблица 7.1.5. Технические условия некоторых микросхем [27].
Тип прибора 153УД3 153УД5 (А, Б) 153УД6 154УД1 154УД3 154УД4А 154УД4Б 159НТ1А 159НТ1Б 159НТ1В 159НТ1Г 159НТ1Д 159НТ1Е 162КТ1А 162КТ1Б 171УВ1А 171УВ1Б 171УБ2 171УР1 Функциональное назначение Номер ТУ бК0.347.010 ТУ2 бК0.347.010 ТУ4 бК0.347.010 ТУ2 бК0.347.206 ТУ1 бК0.347.206 ТУ3 бК0.347.206 ТУ4 бК0.347.206 ТУ4 ХМ3.456.014 ТУ ХМ3.456.014 ТУ ХМ3.456.014 ТУ ХМ3.456.014 ТУ ХМ3.456.014 ТУ ХМ3.456.014 ТУ И63.088.049 ТУ И63.088.049 ТУ бК0.347.198 ТУ1 бК0.347.198 ТУ1 бК0.347.198 ТУ2 бК0.347.198 ТУ Серия Операционный усилитель Операционный усилитель Операционный усилитель Серия Операционный усилитель Операционный усилитель Операционный усилитель Операционный усилитель Серия Базовая схема дифференциального усилителя Базовая схема дифференциального усилителя Базовая схема дифференциального усилителя Базовая схема дифференциального усилителя Базовая схема дифференциального усилителя Базовая схема дифференциального усилителя Серия Интегральный прерыватель Интегральный прерыватель Серия Широкополосный регулируемый усилитель Широкополосный регулируемый усилитель Видеоусилитель Усилитель промежуточной частоты с электронной регулировкой усиления Серия 175УВ1 (А, Б) 175УВ2 (А, Б) 175УВ3 (А, Б) 175УВ4 175ДА1 175ПК1 Широкополосный усилитель Универсальная усилительная схема Экономичная усилительная схема Усилитель - преобразователь высокой частоты Детектор АМ сигналов и детектор АРУ с УПТ Регенеративный аналоговый делитель частоты бК0.347.036 ТУ бК0.347.036 ТУ бК0.347.036 ТУ бК0.347.036 ТУ бК0.347.036 ТУ бК0.347.246 ТУ Тип прибора 189БР2 190КТ1 190КТ Функциональное назначение Номер ТУ бК0.348.138 ТУ бК0.347.013 ТУ бК0.347.013 ТУ ШП0.348.002 ТУ ШП0.348.002 ТУ Серия Схема регулируемой задержки Серия Пятиканальный коммутатор Четырёхканальный коммутатор Серия 198УН1 (А, Б, В) Универсальный линейный каскад 198УТ1 (А, Б) Многофункциональный дифференциальный усилитель Приложения Приложение №1. Расшифровка кодов некоторых тиристоров, транзисторов и ИМС стабилизаторов Многие приборы маркируются буквенно - цифровыми кодами и псевдографическими изображениями, нанесёнными на корпуса приборов. Для определения типа прибора удобно пользоваться следующими данными. Таблица П1.1. Расшифровка некоторых маркировок тиристоров, транзисторов и ИМС стабилизаторов. Транзистор КП103 КП364 КП501 КР1157ЕН5 КР1168ЕН15 КР1170ЕН6 КР1171ЕН3 КТ203 КТ208 КТ209 КТ313 КТ326 КТ339 КТ368АМ КТ368БМ КТ399 - - или А5 Б15 Г6 В3 А Код Цветная точка сбоку Цвет торца - - - - - - - - - - - - - - - - Для корпуса типа КТ - - Табачная - - - - - Тёмно - красная - Серая Оранжевая Коричневая Голубая Одна белая или красная или красные точки сверху Две белых полосы Транзистор КТ502 КТ503 КТ632 КТ638 КТ645 КТ680 КТ681 КТ698 КТ3102 КТ3107 КТ3117 КТ3126 КТ3127 КТ3157 КТ3166 КТ814 КТ815 КТ816 КТ817 КТ683 КТ9115 КУ112 КТ940 КТ972А КТ972Б КТ973А Код Цветная точка сбоку Жёлтая Белая Цвет торца - - - - - - - - - - - - - - - Серо - бежевый Сиренево - фиолетовый Розово - красный Серо - зелёный Фиолетовый Голубой - - - - - - - или Серебристая Оранжевая Белая - - - Тёмно - зелёная - Белая полоса или Зелёная - - - Для корпуса типа КТ - 4 5 6 7 8 9 12 40 - - - - - - - - - - - Транзистор КТ973Б КТ646А КТ646Б Код Цветная точка сбоку - - - Цвет торца - - - Таблица П1.2. Расшифровка кодов дат выпуска приборов. Год выпуска 1986 1987 1988 1989 1990 1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 Код U V W X A B C D E F H I K L M Месяц выпуска Январь Февраль Март Апрель Май Июнь Июль Август Сентябрь Октябрь Ноябрь Декабрь - - - Код 1 2 3 4 5 6 7 8 9 O N D - - - Группа Тип Год выпуска Месяц выпуска Б СВ Рисунок 1. Расшифровка маркировки транзистора в корпусе KT-26.
Группа Тип Год выпуска Месяц выпуска 5BEN Рисунок 2. Расшифровка маркировки транзистора в корпусе KT-27. Исходя из выше сказанного, можно по маркировке определить тип прибора. В следующей таблице П1.3 показано, как могут маркироваться различные транзисторы. Таблица П1.3. Примеры маркировок транзисторов. Тип транзистора КП103Е1 КП303А КП303Б КТ313АМ КТ680А КТ814Г КТ815Г КТ816Г Маркировка Б1АМ 3AF7 3AF8 AF3 ГАА7 4ГВ1 ГU5 6ГА Букву транзистора в корпусе KT-26 можно определить по цветной точке сбоку (смотрите таблицу П1.4). Таблица П1.4 Цветовая маркировка транзисторов в корпусе KT-26. Буква А Б В Г Д Е Ж Цвет точки Тёмно - красная Жёлтая Тёмно - зелёная Голубая Синяя Белая Тёмно - коричневая Приложение №2. Расшифровка кодов некоторых диодов Большинство выпрямительных и импульсных диодов, стабилитронов и стабисторов, выпускаемых промышленностью на данный момент, имеют цветовую маркировку. Приборы оформлены в малогабаритном стеклянном корпусе и имеют гибкие выводы.
Стабилитроны и стабисторы Таблица П2.1. Расшифровка некоторых маркировок стабилитронов и стабисторов.
Тип прибора 2С107А 2С133А 2С139А 2С147А 2С156А 2С168А 2С516А 2С516Б 2С516В Д814А1 Д814АБ1 Д814А2 Д814Б2 Д814В1 Д814В2 Д814Г1 Д814Г2 Д814Д1 Д814Д2 Д818А Метка у выводов Катод чёрная метка на торце корпуса + красное кольцо белое кольцо зелёное кольцо - - красное кольцо зелёное кольцо жёлтое кольцо серое кольцо - - - - - - - - - - чёрная метка на торце + белое кольцо Назначение Анод - чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное широкое кольцо чёрное широкое кольцо + чёрное узкое кольца белое кольцо синее кольцо чёрное узкое кольцо зелёное кольцо два узких чёрных кольца жёлтое кольцо три узких кольца серое кольцо - Рисунок К А прибора - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - Тип прибора Д818Б Д818В Д818Г Д818Д Д818Е КС115А КС126А КС126Б КС126В КС126Г КС126Д КС126Е КС126Ж КС126И КС126К КС126Л КС126М КС207А КС207Б КС207В КС133А Метка у выводов Катод чёрная метка на торце корпуса + жёлтое кольцо чёрная метка на торце корпуса + голубое кольцо чёрная метка на торце корпуса + зелёное кольцо чёрная метка на торце корпуса + серое кольцо чёрная метка на торце корпуса + оранжевое кольцо чёрная метка на торце корпуса + голубое кольцо красное широкое + фиолетовое узкое + белое узкое кольца оранжевое широкое + чёрное узкое + белое узкое кольца оранжевое широкое + оранжевое узкое + белое узкое кольца оранжевое широкое + белое узкое + белое узкое кольца жёлтое широкое + фиолетовое узкое + белое узкое кольца зелёное широкое + голубое узкое + белое узкое кольца голубое широкое + красное узкое + белое узкое кольца голубое широкое + серое узкое + белое узкое кольца фиолетовое широкое + зелёное узкое + белое узкое кольца серое широкое + красное узкое + белое узкое кольца белое широкое + коричневое узкое + белое узкое кольца коричневое широкое + чёрное узкое + чёрное узкое кольца коричневое широкое + коричневое узкое + чёрное узкое кольца коричневое широкое + красное узкое + чёрное узкое кольца голубое кольцо Назначение Анод - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - белое кольцо Рисунок К А прибора - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - Тип прибора КС133Г КС139А КС139Г КС147А КС147Г КС156А КС156Г КС162А2 КС168А КС168В2 КС175А2 КС175Ж* КС182А2 КС182Ж* КСК191А2 КС191Ж* КС210Б2 КС210Ж* КС211Ж* КС212Ж* КС213Б2 КС213Ж* КС215Ж* КС216Ж* КС218Ж* КС220Ж* КС222Ж* КС224Ж* КС405А Метка у выводов Катод оранжевая метка на торце корпуса зелёное кольцо серая метка на торце корпуса серое или синее кольцо зелёная метка на торце корпуса серое или синее кольцо красная метка на торце корпуса чёрное широкое кольцо красное кольцо чёрное широкое + чёрное узкое кольца два чёрных узких кольца белое кольцо три чёрных узких кольца жёлтое кольцо чёрное узкое кольцо красное кольцо два чёрных широких кольца зелёное кольцо серое кольцо оранжевое кольцо чёрное широкое + два чёрных узких кольца чёрное кольцо белое кольцо жёлтое кольцо красное кольцо зелёное кольцо серое кольцо оранжевое кольцо чёрная метка на торце корпуса + красное кольцо Назначение Анод - белое кольцо - белое кольцо - белое кольцо - - белое кольцо - - - - - - - - - - - - - чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо Рисунок К А прибора - - - - - - - двуханодный стабилитрон - двуханодный стабилитрон двуханодный стабилитрон - двуханодный стабилитрон - двуханодный стабилитрон - двуханодный стабилитрон - - - двуханодный стабилитрон - - - - - - - - Тип прибора КС406А КС406Б КС407А КС407Б КС407В КС407Г КС407Д КС411А КС411Б КС508А КС508Б КС508В КС508Г КС508Д КС510А КС512А КС514А КС518А КС522А КС572А Метка у выводов Катод чёрная метка на торце корпуса + серое кольцо чёрная метка на торце корпуса + белое кольцо чёрная метка на торце корпуса + красное кольцо чёрная метка на торце корпуса + красное кольцо чёрная метка на торце корпуса + красное кольцо чёрная метка на торце корпуса + красное кольцо чёрная метка на торце корпуса + красное кольцо белое кольцо синее кольцо чёрная метка на торце корпуса + оранжевое кольцо чёрная метка на торце корпуса + жёлтое кольцо чёрная метка на торце корпуса + красное кольцо чёрная метка на торце корпуса + голубое кольцо чёрная метка на торце корпуса + зелёное кольцо оранжевое кольцо жёлтое кольцо белое кольцо голубое кольцо серое кольцо чёрное кольцо Назначение Анод белое кольцо оранжевое кольцо голубое кольцо оранжевое кольцо жёлтое кольцо зелёное кольцо серое кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо зелёное кольцо белое кольцо зелёное кольцо белое кольцо белое кольцо зелёное кольцо зелёное кольцо зелёное кольцо зелёное кольцо зелёное кольцо зелёное кольцо Рисунок К А прибора - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - * Стабилитроны этой серии (группа Ж) с маркировкой 2С дополнительно помечаются голубой меткой на торце корпуса со стороны катода.
Выпрямительные и импульсные диоды Таблица П2.2. Расшифровка импульсных диодов.
Pages: | 1 | 2 | 3 | Книги, научные публикации