Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 |

сы разрушаются при низкотемпературном (T 450C) [12] Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков. ФТП, отжиге структур [10]. Водород мог присутствовать в 21, 842 (1987).

установке плазменной обработки и имплантироваться в [13] Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков, структуру, и поэтому в настоящее время нами начаты Л.В. Куликова. ФТП, 21, 1762 (1987).

исследования, нацеленные на выяснения роли водорода [14] J.M. Zavada, H.A. Jenkonson, R.G. Sarkis, R.G. Wilson. J.

в описанных выше явлениях.

Appl. Phys., 58, 3731 (1985).

[15] Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (М., Гос. издво физ.-мат. лит., 1961).

Заключение [16] J.F. Wager. J. Appl. Phys., 69, 3022 (1991).

В работе изучено влияние низкотемпературного отРедактор В.В. Чалдышев жига на ФЛ структур с GaAs/AlGaAs-одиночными квантовыми ямами, обработанных в низкоэнергетичTransformation of the nonradiative ной CF4-плазме. Обнаружено, что отжиг при темпеrecombination centers in structures with ратурах 160-300C приводит к падению интенсивноGaAs/AlGaAs quantum wells after their сти ФЛ КЯ, расположенных в поврежденной плазмой exposure to CF4 plasma with subsequent приповерхностной области, а отжиг при температурах 350-450C Ч к частичному восстановлению их ФЛ. low-temperature annealing Уменьшение интенсивности ФЛ связывается с увеличеK.S. Zhuravlev, A.L. Sokolov, K.P. MogilТnikov нием концентрации дефектов, диффундирующих с поверхности в глубь структуры, а восстановление ФЛ Ч с Institute of Semiconductors Physics, отжигом этих дефектов. Определена знергия активации 630090 Novosibirsk, Russia диффузии дефектов (0.15 эВ) и энергия активации рекомбинации дефектов (0.54 эВ). Установлено, что интен-

Abstract

In the present paper influence of a low-temperature сивность ФЛ самой заглубленной КЯ, возросшая после (T < 450C) annealing on photoluminescence (PL) from the GaAs/AlGaAs single quantum wells (QWТs) structures, exposed экспозиции в плазме, монотонно уменьшается с ростом to the low-energy CF4 plasma, is investigated. It is shown, then температуры отжига, а повторная выдержка отожженной annealing at 160-300C causes a decrease of the PL intensity структуры в плазме вновь восстанавливает ФЛ этой from the QWТs located in the near-surface plasma damaged region, КЯ. Предполагается, что возрастание интенсивности ФЛ while annealing at 350-450C partly recovers PL intensity from КЯ при экспозиции в плазме обусловлено пассивацией these QWТs. The diffusion activation energy of plasma-induced дефектов, введенных в структуру при росте, в результате point defects, which act as nonradiative recombination centers, образования комплексов этих дефектов, с дефектами, is estimated to be about 150 meV, and the activation energy of индуцированными плазмой. При низкотемпературном thermal annealing of these defects is found to be about 540 meV.

отжиге структур эти комплексы разрушаются.

It is also shown, that PL from the near-substrate QW, which have low PL intensity in as-grown samples, increases after shortterm plasma exposure, and decreases after subsequent annealing.

Список литературы Iteraction of plasma exposure results in a repeated rise of the PL intensity from the near-substrate QW. It seems that CF4 plasma[1] H.F. Wong, D.L. Green, T.Y. Liu, D.G. Lishan, M. Bellis, induced defects passivate growth defects which act as nonradiative E.L. Hu, P.M. Petroff, P.O. Holtz, J.L. Merz. J. Vac. Sci.

reconbination centres. After the low-temperature annealing, the Technol. B, 6, 1906 (1988).

passivation complexes dissociate, and the PL intensity of the QW [2] А.В. Мурель, А.П. Касаткин, В.М. Коган. Известия РАН.

drops again.

Сер. физ., 56, 161 (1992).

[3] B.S. Ooi, A.C. Bryce, C.D.W. Wilkinson, J.H. Marsh. Appl. email: zhur@thermo.isp.nsc.ru Phys. Lett., 64, 598 (1994).

[4] К.С. Журавлев, В.А. Колосанов, М. Холланд, И.И. Мараховка. ФТП, 31, 1436 (1997).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам