Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 |

ном сопротивлении элемента, заметную долю которых при малой величине ДконтактныхУ потерь составляют потери на сопротивлении растекания. Следует отметить, что фототоки 1-10 А являются типичными в разработанных термофотоэлектрических генераторах на основе GaSb-фотоэлементов [17]. Поэтому задачей последующих исследований является разработка структур GaSbфотопреобразователей с меньшей величиной сопротивления растекания для дальнейшего повышения кпд термофотоэлектрических генераторов. Одним из путей решения этих задач является создание гетероструктур Рис. 4. Зависимость кпд преобразования GaSb-фотоэлементов GaSb/AlGaAsSb, с широкозонным ДокномУ AlGaAsSb, площадью 0.02 см2 от плотности фототока при длине волны излучения, нм: 1 Ч 1680, 2 Ч 1550, 3 Ч 1315. получаемым методами жидкофазной эпитаксии и газоФизика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Высокоэффективные (49%) мощные фотоэлементы на основе антимонида галлия транспортной эпитаксии из металлорганических соеди- [16] D.H. Youn, M. Hao, H. Sato, T. Sugahara, Y. Naoi, S. Sakai.

Jpn. J. Appl. Phys., pt. 1, 37 (4A), 1768 (1998).

нений.

[17] V.P. Khvostikov, V.D. Rumyantsev, O.A. Khvostikova, Таким образом, в данной работе исследованы пути P.Y. Gazaryan, S.V. Sorokina, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev.

снижения сопротивления омических контактов к p31th IEEE Photovolt. Specialists Conference (2005) p. 655.

и n-GaSb. Минимальные значения удельного сопротивления контактов (1-3) 10-6 Ом см2 к p-GaSb с Редактор Л.В. Беляков уровнем легирования 1020 см-3 были получены при использовании контактной системы Ti/Pt/Au. Для GaSb High-effective (49%) powerful n-типа проводимости (2 1018 см-3) минимальные знаGaSb-based photoelements чения удельного контактного сопротивления составили V.P. Khvostikov, M.G. Rastegaeva, O.A. Khvostikova, 3 10-6 Ом см2 при использовании контактных систем S.V. Sorokina, A.V. Malevskaya, M.Z. Shvarts, Au(Ge)/Ni/Au и Au/Ni/Au.

A.H. Andreev, D.V. Davydov, V.M. Andreev Разработаны и исследованы высокоэффективные GaSb-фотоэлементы, предназначенные для преобразоIoffe Physicotechnical Institute, вания мощного монохроматического излучения и инRussian Academy of Sciences, фракрасного излучения эмиттеров. Максимальный кпд 194021 St. Petersburg, Russia преобразования GaSb-фотоэлементов составил 49% для длины волны падающего излучения 1680 нм.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований: грант № 05-08-18002a, а также поддержана в рамках Проекта FULLSPECTRUM Европейской комиссии (Ref. N : SES6-CT-2003-502620).

Список литературы [1] V.M. Andreev, V.P. Khvostikov, E.V. Paleeva, S.V. Sorokina, M.Z. Shvarts. 25th IEEE Photovolt. Specialists Conf.

(Washington, 1996) p. 143.

[2] В.М. Андреев, В.А. Грилихес, В.Д. Румянцев. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения (Л., Наука, 1989).

[3] Ch. Heinz. Int. J. Electron., 54, 247 (1983).

[4] A. Subekti, V.W.L. Chin, T.L. Tansley. Sol. St. Electron., 39 (3), 329 (1996).

[5] K. Ikossi-Anastasiou. IEEE Trans. Electron. Dev., 40, (1993).

[6] K. Ikossi, M. Goldenberg, J. Mittereder. Sol. St. Electron., 46, 1627 (2002).

[7] R.K. Huang, C.A. Wang, M.K. Connors, G.W. Tuner, M. Dashiell. AIP Conf. Proc., 738, 329 (2004).

[8] Z.A. Shellenbarger, G.C. Taylor, R.U. Martinelli, J.M. Carpinelli. AIP. Conf. Proc., 738, 345 (2004).

[9] D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, V. Khalfin, H. Lee, N.A. Morris, G.C. Taylor, J.C. Connolly, G.W. Charache, D.M. DePoy. Proc. Space Technology and Applications Int.

Forum (1998) p. 1400.

[10] M. Rolland, S. Gaillard, E. Villeman, D. Rigaud, M. Valenza.

J. Phys. III France, 3, 1825 (1993).

[11] В.П. Хвостиков, О.А. Хвостикова, П.Ю. Газарян, М.З. Шварц, В.Д. Румянцев, В.М. Андреев. ФТП, 38 (8), 988 (2004).

[12] А.Н. Андреев, М.Г. Растегаева, В.П. Растегаев, С.А. Решанов.ФТП, 32, 832 (1998).

[13] V. Malina, K. Vogel, P. Ressel, W.O. Barnard, A. Knauer.

Semicond. Sci. Technol., 12, 1298 (1997).

[14] T. Yamamoto, H.K. Yoshida. Jpn. J. Appl. Phys., pt. 2, 36, L180 (1997).

[15] D.H. Youn, M. Hao, Y. Naoi, S. Mahanty, S. Sakai. Jap. J. Appl.

Phys., pt. 1, 37 (9A), 4667 (1998).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам