Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 |

слоя LT -GaAs происходит образование широкой обла[7] П.Н. Брунков, В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, А.А. Суворова, сти пространственного заряда. Численный анализ CV С.Г. Конников, А.В. Черниговский, В.В. Преображенский, и NCV - W-характеристик на основе одномерного решеМ.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 32, 1170 (1998).

ния уравнения Пуассона показал, что и электроны, и [8] С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, дырки аккумулируются на локальных уровнях, распо1984).

оженных несколько выше середины запрещенной зоны [9] П.Н. Брунков, С.Г. Конников, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, GaAs. Такие уровни могут быть обусловлены как тоА.Ю. Егоров, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев.

чечными дефектами, так и наноразмерными кластерами. ФТП, 30, 924 (1996).

[10] П.Н. Брунков, А.А. Суворова, Н.А. Берт, А.Р. Ковш, Концентрации последних (NCL 4 1011 см-2 для А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, А.Ф. ЦацульниN-структуры и NCL 6 1011 см-2 для P-структуры), ков, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, С.Г. Конников, Л. Ивс, определенные методом ПЭМ, оказались близкими к П.С. Майн. ФТП, 32, 1229 (1998).

концентрации аккумулированных в LT-GaAs носителей LT Редактор В.В. Чалдышев заряда (NQ = 1.0 1012 см-2 для N-структуры и LT NQ = 8 1011 см-2 для P-структуры).

Majority charge carrier accumulation in GaAs layers containing nanoscale arsenic Заключение clusters P.N. Brunkov, V.V. Chaldyshev, A.V. Chernigovskii, Проведенные исследования CV-характеристик n-LT-nA.A. Suvorova, N.A. Bert, S.G. Konnikov, и p-LT-p-структур с барьером Шоттки позволяют заV.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin ключить, что слои LT -GaAs, содержащие наноразмерные кластеры мышьяка, аккумулируют соответственно Ioffe Physicotechnical Institute, электроны или дырки и индуцируют обширные облаRussian Academy of Sciences, сти обеднения в прилегающих слоях n- или p-типа.

194021 St. Petersburg, Russia Концентрация аккумулированных основных носителей Institute of Semiconductor Physics, (8 10) 1011 см-2 оказалась близкой к концентрации Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, кластеров As в слое LT -GaAs. Уровни, на которых акку630090 Novosibirsk, Russia мулируются электроны и дырки, расположены несколько выше середины запрещенной зоны GaAs. Установлено,

Abstract

Accumulation of electrons and holes has been revealed что при приложении обратного напряжения темп эмисby a capacitance-voltage technique in AsЦclusterЦcontaining GaAs сии дырок из слоя LT-GaAs в P-структуре значительно layers sandwiched between n-type or p-type GaAs buffers. As a ниже темпа эмиссии электронов из слоя LT -GaAs в result of the majority carrier accumulation, large depletion regions N-структуре.

form in adjacent buffers. Simulation of the capacitanceЦvoltage characteristics based on numerical solution of the Poisson equation Работа была выполнена при поддержке Министерshows the cooncentration of accumulated charge to be as high as ства науки России по программам ФФуллерены и атом 1 1012 cm-2 which is comparable with the concentration ные кластерыФ и ФФизика твердотельных наноструктурФ of nanoscale As clusters determined from transmission electron (97-1035), а также Российского фонда фундаментальных microscopy study.

исследований (98-02-17617) и INTAS (97-30930).

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам