density spectra in the 0.4-2 m region of wavelengths were 1) Разработана методика диффузионного легирования measured. It is established shift of absorption edge in process кобальтом монокристаллов ZnSe. Максимальная конof increase in concentration of the doping impurity, caused by центрация примеси кобальта в полученных кристаллах formation of Zn1-x Cox Se solid solution. The diffusion profile of оценивается равной 1019 см-3.
the cobalt impurity can be determined by measuring the optical 2) Идентифицирована структура линий поглощения density of the crystals in the visible region of the spectrum. The в видимой и ИК областях спектра кристаллов ZnSe, diffusion coefficients (D) of cobalt in ZnSe crystals at temperatures легированных кобальтом.
of 1103-1273 K are calculated. An analysis of the temperature 3) Показана возможность определения диффузионноdependence D(T ) made it possible to determine the coefficients го профиля примеси кобальта путем измерения отноin the Arrhenius equation: D0 = 3.4 106 cm2/s and E0 = 3.8eV.
сительной оптической плотности кристаллов в области края поглощения полупроводника.
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Pages: | 1 | 2 | Книги по разным темам