Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 |

симость между током формирования окисла и дисперсией поверхностного потенциала указывает на способобразцов, изготовленных по такой же технологии, и ность метода фиксировать изменения свойства границы рассчитанными обычно применяемым методом подбора раздела окисеЦполупроводник в зависимости от интенпараметров [14]. сивности протекания электрохимических реакций.

Представленная методика применялась также для ис- Проведено сравнение уровня флуктуаций поверхностследования образцов SiЦSiO2, полученных анодным окис- ного потенциала и заглубления поверхностных состолением кремния. Анодирование проводилось в 0.04 М яний для гальваностатического и смешанного режирастворе KCl в этиленгликоле в гальваностатическом мов окисления. Методика отражает увеличение степени режиме. Перед формовкой при помощи кислоты HF однородности границы раздела окисеЦполупроводник стравливался естественный окисел. Окисление прово- после выдержки системы в вольт-статическом режиме, дилось при различных плотностях тока j. В нача- что соответствует литературным данным об анодных ле формовки образцы гомогенизировались (выдерж- окислах кремния [15]. Величина заглублений d опредека в течение 30 мин при низкой плотности тока ляется в основном плотностью тока формовки в гальваj = 0.1мА/см2), а в конце процесса анодирования вы- ностатическом режиме. Выдержка в вольт-статическом держивались в вольт-статическом режиме до остаточных режиме незначительно изменяет величину заглублений токов j = 0.3-0.5мА/см2. в пределах 10%. В данных экспериментах методика Кривые нормированной проводимости для термиче- регистрирует изменение флуктуаций и заглублений на ского и анодных образцов приведены на рис. 5. Результа- уровне 10Ц30%.

ты исследования параметров неоднородностей представ- В случае исследования структур с ловушками с больлены в таблице. По сравнению с термическим окислом шим сечением захвата, когда частота 5max оказывается анодные образцы обладают более высокими значениями настолько велика, что это может вызывать экспериментальные затруднения, появляется возможность увеличедисперсии ПП и глубины залегания ПС в диэлектрике.

ния расчетного диапазона s в область обогащения Ч для построения зависимости сечения захвата, величин d и s от энергии в запрещенной зоне. Разделение вклада флуктуаций и заглублений производится путем анализа низкочастотной ветви зависимости Gp()/.

Соответственно уменьшается количество точек на экспериментальной частотной зависимости нормированной проводимости, т. е. сокращается время, необходимое для измерений, снижаются требования к экспериментальной установке по диапазону частот.

Список литературы [1] E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Appl. Phys. Lett., 7, (1965).

[2] K.F. Schuegraf, C. Hu. Semicond. Sci. Technol., 9, 989 (1994).

[3] В.А. Гуртов. Электронные процессы в структурных металЦдиэлектрикЦполупроводник (Петрозаводск, Изд-во ПетрГУ, 1984).

Рис. 5. Частотные зависимости нормированной проводимости [4] K. Lehovec. Appl. Phys. Lett., 8, 48 (1966).

от частоты f = /2 для анодных (2Ц4) и термического (1) [5] Ю.С. Жарких. Электрофизические характеристики образцов. Номера кривых соответствуют номерам образцов в неоднородных МДП структур (Киев, Наук. думка, 1980).

таблице.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 716 Н.А. Авдеев, В.А. Гуртов, И.В. Климов, Р.А. Яковлев [6] E. Bano, T. Ouisse, L.Di Ciocco, S. Karmann. Appl. Phys.

Lett., 65 (21), 55 (1994).

[7] В.Б. Бондаренко, В.В. Кораблев, Ю.И. Равич. ФТП, 38 (3), 331 (2004).

[8] Г.Л. Курышев, А.П. Ковчавцев, Н.А. Валишева. ФТП, (9), 1111 (2001).

[9] E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell Syst. Tech. J., 46, (1967).

[10] J.R. Brews. Sol. St. Electron., 26, 711 (1983).

[11] Е.Н. Бормонтов, С.В. Лукин. ЖТФ, 67 (10), 55 (1997).

[12] J.J. Simonne. Sol. St. Electron., 16, 121 (1973).

[13] А.Ф. Верлань, В.С. Сизиков. Методика решения интегральных уравнений с программами для ЭВМ (Киев, Наук. думка, 1978).

[14] K.K. Hung, Y.C. Cheng. J. Appl. Phys., 62 (10), 923 (1987).

[15] А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiЦSiO2 на кремнии (Л., Изд-во ЛГУ, 1988).

Редактор Т.А. Полянская Frequency-dependence analysis of MIS structure conductivity taking into account the fluctuation and tunnel theoretical model N.A. Avdeev, V.A. Gurtov, I.V. Klimov, R.A. Yakovlev Petrazavodsk State University, 185910 Petrazavodsk, Russia Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам