диэлектрической проницаемости по толщине структу[16] В.Н. Богомолов, В.Г. Голубев, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюры. Это можно интерпретировать как учет рассеяния ков, А.Б. Певцов, А.В. Прокофьев, В.В. Ратников, Н.А. Фесвета в фотоннокристаллических структурах, с которым октистов, Н.В. Шаренкова. Письма ЖТФ, 24, 90 (1998).
связан дополнительный вклад в коэффициент экстинк[17] V.N. Bogomolov, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, J.L. Hutции. Полученное качественное согласие экспериментальchison, D.A. Kurdyukov, A.B. Pevtsov, R. Schwarz, J. Sloan, ных спектров с теоретическими позволяет утверждать, L.M. Sorokin. J. Non-Cryst. Sol., 266Ц269, 1021 (2000).
[18] V.N. Bogomolov, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, J.L. Hutчто наблюдаемые максимумы отражения действительно chison, D.A. Kurdyukov, A.B. Pevtsov, R. Schwarz, J. Sloan, обусловлены наличием запрещенных фотонных зон.
L.M. Sorokin. Abstr. Symp. ФAmorphous and Heterogeneous Таким образом, результаты сравнения данных эксSilicon Thin Films Ч 2000Ф, A. 24.4.1 (2000 MRS Spring перимента с теорией, предсказывающей ФодномернуюФ Meeting, San Francisco).
запрещенную зону, показывают, что возникающие в [19] V.G. Golubev, V.A. Kosobukin, D.A. Kurdyukov, A.B. Pevtsov.
спектрах отражения максимумы являются следствиAbstracts 25th Int. Conf. Phys. Semicond. (Osaka, Japan, ем брэгговской дифракции электромагнитных волн на 2000) p. 1000.
одномерно-периодической диэлектрической структуре [20] Yu.A. Vlasov, M.A. Kalitievskii, V.V. Nikolaev. Phys. Rev. B, 60, 1555 (1999).
исследуемых образцов. Мы также показали, что степень [21] Е.М. Лифшиц, Л.П. Питаевский. Статистическая физизаполнения пор в кристаллических опалах можно веська (М., Наука, 1978) ч. 2.
ма точно контролировать с помощью предложенной в [22] А. Ярив, П. Юх. Оптические волны в кристаллах (М., данной работе технологической методики. Это позволяет Мир, 1987) [Пеp. с англ.: A. Yariv, P. Yeh. Optical Waves получать фотонные кристаллы с заданными положением in Crystals (N. Y.ЦChichesterЦBrisbaneЦTorontoЦSingapore, и шириной запрещенной зоны.
John Wiley & Sons, 1984)].
[23] В.А. Кособукин. ФТТ, 34, 3107 (1992).
Авторы благодарят М.В. Заморянскую и А.В. Нащеки[24] Yu.A. Vlasov, M. Deutsch, D.J. Norris. Appl. Phys. Lett., 76, на за проведение электронно-микроскопических исследо1627 (2000).
ваний.
Редактор Л.В. Шаронова Работа выполнена при поддержке Российского фонда Photonic crystals with tunable band gap фундаментальных исследований (проект № 00-02-16924) и программы Министерства науки ФФизика твердотель- prepared on the base of filled and inverted ных наноструктурФ (проект № 97-2016).
opalЦsilicon composites V.G. Golubev, V.A. Kosobukin, D.A. Kurdyukov, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov Список литературы Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, [1] Photonic Band Gap Materials, ed. by C.M. Soukoulis 194021 St. Petersburg, Russia [Advanced Studies Institute of NATO, Ser. E (Kluwer, Dordrecht, 1996) v. 315].
[2] E. Yablonovitch. Phys. Rev. Lett., 58, 2059 (1987).
Abstract
Three-dimensional opalЦsilicon composites with both [3] S. John. Phys. Rev. Lett., 58, 2486 (1987).
direct (different extent of filling of opal voids with silicon) and [4] J.D. Joannopoulos, P.R. Villeneuve, S. Fan. Nature, 386, invetred structures are synthesized and their structural analysis is (1997).
carried out. Specular reflection spectra from the (111) surface of [5] J.G. Fleming, Shawn-Yu Lin. Optics Lett., 24, 49 (1999).
the composites are measured in the spectral range 400-900 nm.
[6] Y. Yamamoto, R.E. Slusher. Physics Today, 46, 66 (1993).
The observed spectral features are studied theoretically and in[7] С.Я. Килин. УФН, 169, 507 (1999).
terpreted as manifestation of a photonic band gap in the [111] [8] В.Н. Богомолов, Т.М. Павлова. ФТТ, 29, 826 (1995).
direction, tunable by the position and width in the visible and near[9] A. van Blaaderen, R. Ruel, P. Wiltzius. Nature, 385, infrared spectral range.
(1997).
Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Pages: | 1 | 2 | Книги по разным темам