под влиянием различных долин. Некоторое увеличение Calculations are carried out on the basis of the generalised on параметра при Q = /2d и Q = /d по сравнению considered structures envelope-function model of interface band со случаем Q = 0 обусловлено в основном возрастаниmixing. The miniband spectra, the symmetry and localization of ем вклада X5-состояний в слое твердого раствора для wave functions, and probabilities of interminiband infrared (IR) первой минизоны и возрастанием вклада X1-состояний absorption are investigated. It is shown, that the latter have в этом же слое для второй минизоны. Заметим, что a considerable magnitude not only under light polarization in the с ростом x величина, характеризующая способность direction of an axis of the superlattice growth, but also under к поглощению света, при Q = 0 падает Ч при росте x a normal incidence of the light wave at the structure surface.
от 0 до 0.7 она уменьшается в 3 раза. При Q = /d The importance of the investigated superlattices as materials for с ростом x от 0 до 0.7 падение величины незначитель- photodetectors of IR-radiation is marked.
ное, но в интервале x от 0.9 до 1 наблюдается ее резкое уменьшение до нуля.
4. Заключение Рассмотренные в настоящей работе минизонные спектры и оптические характеристики сверхрешеток (AlAs)M(Alx Ga1-xAs)N (111) показывают, что на основе подобных сверхрешеток в принципе могут быть получены структуры, поглощающие инфракрасное излучение на межминизонных переходах. Отличительной особенностью таких структур является возможность поглощения света, нормально падающего на плоскость сверхрешетки. Использование в сверхрешетках слоев из твердого раствора AlxGa1-x As вместо чистого GaAs Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. Pages: | 1 | 2 | Книги по разным темам