
[5] K. Miyashito, Y. Shiraki, D.C. Hougton, S. Fukatsu. Appl.
Phys. Lett., 67 (2), 235 (1995).
[6] N. Ohtani, S. Mokler, M.H. Xie, J. Zhang, B.A. Joyce. Japan.
J. Appl. Phys., 33, 2311 (1994).
[7] С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, Ю.Н. Дроздов. Изв. РАН, сер. физ., 65 (2), 204 (2001).
[8] В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, М.В. Степихова, Д.В. Шенгуров, L. Palmetshofer, H. Ellmer. ФТП, 35 (8), 954 (2001).
[9] G.E. Becker, J.C. Bean. J. Appl. Phys., 48, 3395 (1997).
[10] H. Wado, T. Shimizu, M. Ishida, T. Nakamura. J. Cryst.
Growth, 147, 320 (1995).
[11] R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, E.R. Weber, K.-H. Kusters, H. Alexander. Appl. Phys. A, 36, 1 (1985).
[12] H. Przybylinska, W. Yantsch, Yu. Suprin-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R.J. Wilson, B.J. Sealy. Phys. Rev. B, 54, 2532 (1996).
Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.
Pages: | 1 | 2 |
Книги по разным темам