Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 |

счет открепления доменных стенок от стопоров. СоУсиление пиннинга (закрепления доменных стенок гласно [24,25], уменьшение времени релаксации системы дефектами) уменьшает вклад бокового движения домена левой ветви зависимости (T ) объясняется темперанов в диэлектричекую проницаемость, что позволяет турным повышением коэффициента диффузии точечных объяснить ее снижение после обработки образцов в дефектов, открепленных от стенок, а увеличение врепарафазе. Поскольку перед измерением (T ) обрабо- мени релаксации системы на правой ветви зависимости танный в парафазе образец переводился в сегнетофазу, (T ) обусловлено ослаблением взаимодействия домендоменная структура формировалась в кристалле, дефект- ных стенок со стопорами при приближении кристалла к ность которого была изменена воздействием ИМП.

точке фазового сегнетоэлектрического перехода.

При магнитной обработке в сегнетофазе сразу после Можно предположить, что в отличие от электрическовоздействия ИМП наблюдалось повышение диэлектри- го воздействия ИМП не только открепляет доменные ческой проницаемости кристалла ТГС. стенки от стопоров, но и приводит к образованию новых Обнаруженный эффект может быть обусловлен от- дефектов, отличающихся от исходных. Не исключено, креплением доменных стенок от исходных точечных что в их образовании участвуют исходные дефекты Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. Воздействие слабых импульсных магнитных полей на кристаллы триглицинсульфата и/или продукты их распада, открепленные ИМП как Список литературы от доменных стенок, так и от имеющихся в кристалле [1] Г.И. Дистлер, В.М. Каневский, В.В. Москвин, С.Н. Постдислокаций.

ников, Л.А. Рябинин, В.П. Сидоров, Г.Д. Шнырев.

Таким образом, совокупность индуцированных ИМП ДАН СССР 268, 3, 591 (1983).

изменений сегнетоэлектрических и диэлектрических ха[2] В.И. Альшиц, Р. Воска, Е.В. Даринская, Е.А. Петржик.

рактеристик кристаллов ТГС может быть обусловлена ФТТ 35, 1, 70 (1993).

откреплением исходных дефектов от доменных стенок [3] Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, Д.В. Лопатин, А.А. Баскаи дислокаций, а также распадом исходных комплексов ков. Кристаллография 63, 6, 1115 (1998).

точечных дефектов с последующим образованием по- [4] О.А. Дацко. ФТТ 44, 2, 289 (2002).

движными точечными дефектами метастабильных де- [5] М.Н. Левин, Б.А. Зон. ЖЭТФ 111, 4, 1373 (1997).

[6] В.Н. Давыдов, Е.А. Лоскутова, Е.Н. Найден. ФТП 23, 9, фектных комплексов и формированием новой доменной 1596 (1989).

структуры.

[7] В.И. Алексеенко. ЖТФ 70, 6, 63 (2000).

Парадоксальность обнаруженных эффектов заключа[8] В.П. Власов, Ф.А. Заитов, В.М. Каневский, А.А. Пурцхвается в том, что энергетическое воздействие магнитнидзе, Г.М. Шаляпина. ФТТ 34, 10, 3264 (1992).

ных полей с индукцией B 0.02 T пренебрежимо ма[9] В.И. Алексеенко. ЖТФ 68, 10, 50 (1998).

о и не может быть причиной наблюдаемых явлений [10] Ю.А. Осипьян, Ю.И. Головин, Д.В. Лопатин, Р.Б. Моргу(BB < 10-4kT при B 0.02 T, где B Ч магнетон нов, Р.К. Николаев, С.З. Шмурак. Письма в ЖЭТФ 69, 2, Бора). Индуцируемые ИМП электрические поля также 110 (1999).

вряд ли ответственны за возникновение наблюдавших- [11] М.Н. Левин, Н.Н. Матвеев. ЖФХ 75, 10, 1886 (2001).

[12] Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов. ФТТ 43, 9, 827 (2001).

ся эффектов, поскольку они направлены нормально к [13] H. Schmid. Ferroelectrics 161, 1Ц4, 1 (1994).

полярной оси 180 сегнетоэлектрика и не превышают [14] R. Comes, S.M. Shapiro, B.C. Frases, G. Shirane. Phys. Rev. B 10 V/cm (см. оценку в [5]).

24, 1559 (1981).

Считается, что воздействие слабых магнитных полей [15] В.П. Зенченко, Б.Г. Вехтер, И.Б. Берсукер. ЖЭТФ 82, 5, на диамагнитные кристаллы обусловлено снятием за1628 (1982).

претов на электронные переходы с изменением спи[16] С.А. Флерова, О.Е. Бочков, И.Л. Цинман. ФТТ 24, 8, на, приводящие к изменению прочности химических (1982).

связей в дефектных комплексах [26,27]. Так, синглет- [17] С.А. Флерова, И.Л. Цинман. Кристаллография 32, 4, (1987).

триплетными переходами в короткоживущих радикаль[18] О.Л. Орлов, С.А. Попов, С.А. Флерова, И.Л. Цинман.

ных парах, образуемых парамагнитными точечными деПисьма в ЖТФ 14, 2, 118 (1988).

фектами с оборванными связями в ядре дислокации, [19] С.А. Гриднев, К.С. Дрождин, В.В. Шмыков. ФТТ 42, 2, объясняется открепление дислокаций от стопоров при (2000).

магнитопластических эффектах.

[20] С.А. Гриднев, К.С. Дрождин, В.В. Шмыков. КристаллограИзвестно, что номинально чистые кристаллы ТГС не фия 42, 6, 1135 (1997).

свободны от парамагнитных примесей, включая центры [21] Б.И. Смирнов, Н.Н. Песчанская, В.И. Николаев. ФТТ 43, Fe3+ [22]. Не исключено, что эти центры стабилизируют 12, 2154 (2001).

некие комплексы, способные к распаду в ИМП. Однако [22] М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). 736 с.

микроскопическая природа дефектов, являющихся сто[23] М.В. Цедрик. Физические свойства кристаллов семейства порами доменных стенок в кристаллах ТГС, в настоятриглицинсульфата. Наука и техника, Минск (1986). 216 с.

щее время не установлена [28], что затрудняет анализ [24] Б.Н. Прасолов, И.А. Сафонова. Изв. РАН. Сер. физ. 59, 9, механизмов обнаруженных эффектов.

69 (1995).

Отметим, однако, отличие индуцированных ИМП эф[25] Б.Н. Прасолов, Н.В. Постникова, И.А. Сафонова. Изв.

фектов, обнаруженных в ТГС, от магнитопластических РАН. Сер. физ. 61, 5, 1002 (1997).

эффектов в ЩГК и металлах. Эффекты в ТГС наблю[26] Yu. Golivin, R.B. Morgunov. Chem. Rev. 23, 23 (1998).

дались в полях 0.02 T, т. е. ниже типичного порога [27] M. Molotskii. Mat. Sci. Eng. A 287, 248 (2000).

магнитопластических эффектов 0.1 T, проходящих по [28] А.В. Шильников, А.П. Поздняков, В.Н. Нестеров, В.А. Федорихин, Л.А. Шувалов. ФТТ 43, 8, 1516 (2001).

известному g-механизму [27]. Столь слабые магнитные [29] А.Л. Бучаченко, Р.З. Сагдеев, К.М. Салихов. Магнитные и поля характерны для сверхтонкого взаимодействия элекспиновые эффекты в спиновых реакциях. Наука, Новоситронных и ядерных спинов [29]. Это позволяет предпобирск (1978). 296 с.

ожить участие протонов водородных связей в электронных переходах, ответственных за индуцированные ИМП эффекты в ТГС. В пользу сделанного предположения свидетельствовало бы обнаружение изменений реальной структуры ТГС и/или других кристаллов с водородными связями в результате резонансного (отличающего сверхтонкое взаимодействие от g-механизма [29]) воздействия слабого постоянного магнитного поля.

Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам