Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 |

eff жить (8) на величину эффективной площади поверхно- [7] K.R. Poguntke, A.R. Adams. Electron. Lett., 28, 41 (1992).

[8] K. Mukai, Y. Nakata, K. Otsubo, M. Sugawara, N. Yokoyama, сти гетеробарьера в кубе, (4a2)3. Тогда получим H. Ishikawa. IEEE J. Quant. Electron., 36, 472 (2000).

C3D = G(4a2)3 = 3.4759 10-26 см6 c-1 (9) [9] M.I. Dyakonov, V.Yu. Kachorovskii. Phys. Rev. B, 49, 17 eff (1994).

1/[10] M.V. Maximov, A.F. TsatsulТnikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, при радиусе КТ a = (3/4)V 8нм и Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, Eg = 1.0248 эВ, что соответствует максимуму длины S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, волны спонтанного излучения для гетероструктуры V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, с 10 слоями КТ при 200 K Ч температуре, при которой W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000).

беспороговый канал оже-рекомбинации доминирует для [11] С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, обеих структур. Экспериментальное значение эффекА.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кутивного коэффициента оже-рекомбинации, полученное лагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, из анализа экспериментальных данных, составляет Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Мак1.35 10-27 и 1.39 10-27 см6 с-1 для гетероструктур симов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimgerg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36, 1400 (2002).

с 5 и 10 слоями КТ соответственно. Видно, что полу[12] Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75, 536 (1978).

ченные значения хорошо согласуются с оценкой (9) для [13] A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vaобеих структур. Небольшое расхождение легко объясsilТev, E.A. Semenova, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, няется сделанным приближением сферической модели D.A. Livshits, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, КТ и необходимостью учета несферичности реальной КТ.

Zh.I. Alferov. J. Cryst. Growth, 251, 729 (2003).

[14] И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, 5. Заключение А.П. Васильев, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37, 1270 (2003).

Проведено исследование полупроводниковых лазер[15] А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устиных гетероструктур с 5 и 10 слоями квантовых точек нов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, InAs/GaAs, выращенных на подложках GaAs, с длиной С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, П.С. Копьев, Д. Бимберг, волны излучения 1.3 мкм. По зависимости интегральЖ.И. Алфёров. ФТП, 31, 483 (1997).

ной интенсивности электролюминесцении от тока на[16] D.G. Deppe, D.L. Huffaker, Z. Zou, G. Park, O.B. Shchekin.

качки получены оценки для температурной зависимости IEEE J. Quant. Electron., 35, 1238 (1999).

безызлучательного времени жизни и эффективного ко[17] S. Ghosh, P. Bhattacharya, E. Stoner, J. Singh, H. Jiang, эффициента оже-рекомбинации в квантовых точках. ПоS. Nuttinck, J. Laskar. Appl. Phys. Lett., 79, 722 (2001).

казано, что при низких температурах (ниже 200 K) в КТ [18] Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. Тез. докл. 2-й Росс. конф. по преобладает беспороговый канал оже-рекомбинации, в физике полупроводников (1996) т. 1, с. 95.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Температурная зависимость эффективного коэффициента оже-рекомбинации в лазерах InAs/GaAs... [19] E.B. Dogonkine, V.N. Golovatch, A.S. Polkovnikov, A.V. Pozdnyakov, G.G. Zegrya. 8th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 2000) p. 399.

[20] J. He, B. Xu, Z.G. Wang. Appl. Phys. Lett., 84, 5237 (2004).

Редактор Л.В. Шаронова Temperature dependence of an effective Auger coefficient in InAs/GaAs quantum dot laser with emitting 1.3 m wavelegth I.I. Novikov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, E.S. Semenova, A.P. VasilТev, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov and G.G. Zegrya Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

Long-wavelength semiconductor laser heterostructures with five and ten sheets of InAs/GaAs quantum dots grown on GaAs substrate have been investigated. Analyzing the efficiency of the radiative spontaneous recombination allowed us to obtain the temperature dependences of an effective Auger coefficient and the nonradiative lifetime in quantum dots. It is shown, that in quantum dots the thresholdless channel of Auger recombination dominates at low temperatures (below 200 K), while the quasithreshold one prevails above 200 K. Estimation of the effective Auger coefficient using the spherical shape model of quantum dot has shown good agreement with experimental results.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам