Книги по разным темам Pages:     | 1 | 2 |

Econf 42.4 10-3 эВ, Econf 34.7 10-3 эВ, (П.I.1) [5] Н.В. Ткач. ФТТ, 39, 373 (1997).

c v [6] Н.В. Ткач, В.А. Головацкий, О.Н. Войцеховская. ФТП, 34, Erot 3.7 10-3 эВ, Erot 3 10-3 эВ;

602 (2000).

[7] S. Schmitt-Rink, D.S. Chemia, D.A. Miller. Edv. Phys., 38, б) L = 10 нм, R1 = 30 нм, R2 = 40 нм, (1989).

c v [8] А.И. Екимов, П.А. Скворцов, Т.В. Шубина. ЖТФ, 59 (3), Econf 10.6 10-3 эВ, Econf 8.7 10-3 эВ, (П.I.2) 202 (1989).

c v [9] S. Nomura, T. Kobayashi. Sol. St. Commun., 74 (10), Erot 10-3 эВ, Erot 0.82 10-3 эВ.

(1990).

c,v [10] С.И. Покутний. ФТП, 34, 1120 (2000).

Сравнение энергии квантования носителей Econf из (П.I.1), (П.I.2) с величиной разрыва зон Uc,v [11] В.В. Роткин, Р.А. Сурис. ФТТ, 36 (12), 3569 (1994).

[12] В. Смайт. Электростатика и электродинамика (М., из таблицы наглядно показывает, что для несильно ИЛ, 1954).

возбужденных состояний модель квантовой ямы (2) [13] А.П. Прудников, Ю.А. Брычков, О.И. Маричев. Интеградля выбранной композиции также будет выполняться с лы и ряды (М., Наука, 1981).

достаточно хорошей точностью.

[14] В.М. Галицкий, Б.М. Карнаков, В.И. Коган. Задачи по квантовой механике (М., Наука, 1981).

[15] Н.В. Ткач, А.М. Маханец, Г.Г. Зегря. ФТП, 36, 543 (2002).

II. Внешнее поле как возмущение [16] Таблицы физических величин. Справочник, под ред.

И.К. Кикоина (М., 1976).

Для композиции из выбранных материалов услоРедактор Т.А. Полянская вие (7) принимает вид R2 (qFL)2 4L (0) StarkТs confinement effect and electrical (qFR1)2 0 + 1 + E1,0. (П.II.1) 3 2 (0) 18E1,0 4 2R1 absorption in the semiconductor spherical layer Для определения верхнего предела допустимых значеV.A. Arutunjan, K.S. Aramjan, G.Sh. Petrosjan ний напряженности поля как возмущения из (П.II.1) удобно получить следующую, довольно точную ДрабоThe Humrial Educational Complex чуюУ формулу:

of the Armenian State Engineering University, 6 10-377503 Humri, Armenia F. (П.II.2) LRArzahski State University, Armenia Отсюда для напряженности поля как возмущения при L 5-10 нм, R1 15-30 нм получаем следующую оценку:

F 103-102 В/см.

Для величины штарковского сдвига основного уровня соответственно получаем (2) E1,0 6 10-4 эВ при L = 5нм, R1 = 15 нм, F = 2 103 В/см;

(2) E1,0 1.2 10-4 эВ при L = 10 нм, R1 = 30 нм, F = 2 102 В/см.

7 Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Pages:     | 1 | 2 |    Книги по разным темам