ГОТОВЫЕ ДИПЛОМНЫЕ РАБОТЫ, КУРСОВЫЕ РАБОТЫ, ДИССЕРТАЦИИ И РЕФЕРАТЫ
Разработка ГИС | |
Автор | Ляшенко Сергей |
Вуз (город) | ДНУ |
Количество страниц | 20 |
Год сдачи | 1999 |
Стоимость (руб.) | 1500 |
Содержание | Разрабатываемая ИС должна соответствовать общим технологическим требованиям. Исходные требования: Максимальная рабочая температура +70С Минимальная рабочая температура -20С Время работы ИС 100004 Коэффициент нагрузки резисторов 0.7 Ширина формирующей щели 90 мкм Минимальная ширина формирующей щели 6 мкм Погрешность ширины формирующей щели 5% Рабочая разность потенциалов на С 10 В Площадь обкладок конденсаторов, не менее 1 мм2 Погрешность задания линейного размера обкладок 5% Значения номиналов: R1=25 kOm 10%; R2=R3=10 kOm 10%; R4=58 kOm 1%; C1=500 пФ 20%; С2=750 пФ 20% |
Список литературы | 1. Берцин А С., Мочалкин О.Р., Технология и конструирование ИМС, - М.: Радио и связь, 1983. 2. Ермолаев Ю.П., Понаморёв, Конструкции и технология микросхем (ГИС и СБИС): Учебник для ВУЗов. – М.: Сов. Радио. 1980. 3. Васильев К.Ю., Гиленко В.Т., Овсянников В.В. Плёночная технология.: - Днепропетровск: ДГУ, 1985. 4. Понаморёв М.Ф.: Конструирование и расчёт микросхем и микроэлемен-тов ЭВА. – М.: Радио и связь, 1989. 5. Присухин Л.Н., Шахнов В.А. Конструирование вычислительных машин и систем. М.: В.Ш., 1986. 6. Ушаков Н.И. Технология производства ЭВМ. Учебник для ВУЗов, 3 изд. – М.: В.Ш., 1991. |
Выдержка из работы | Элементы плёночной технологии. Пассивные элементы гибридных ИМС создаются из тонких плёнок прово-дящих, резистивных и диэлектрических материалов нанесённых на поверхность подложки. Достоинством плёночных микросхем является возможность изготовления пассивных элементов в широком диапазоне номиналов с минимальными допус-ками и лучшими, чем у полупроводниковых схем диэлектрическими характери-стиками. Конструктивное использование плёночных ИМС позволяет реализовать мощные (100Вт) электрические схемы, работающих при больших значениях на-пряжения. Процесс изготовления гибридных плёночных ИМС осложняется тем, что активные элементы выполняются в виде навесных бескорпусных транзисто-ров, диодов и т. д. Габаритные размеры подложек стандартизированы. На стан-дартизированной подложке групповым методом изготавливается несколько плат ГИС. В качестве материалов тонкоплёночных проводников применяется Al, Cu, Ti, Tl, Ag. Резистивные слои образуют плёнки хрома, нихрома Х20Н80, тантала, ти-тана, Re и т. д. Диэлектрические слои тонкоплёночных ИМС получают, осаждением мо-ноокиси кремния SiO и германия GeO, двуокисей SiO2 и GeO2, окислов Al2O2; Ta2O5; Nb2O5. Существует несколько способов получения тонких плёнок: 1. Электрическое осаждение; 2. Химическое осаждение; 3. Осаждение пиролитическим разложением; 4. Оплавление порошка стеклообразного материала; 5. Термовакуумное осаждение плёнок; 6. Катодное и ионно-плазменное распыление. |