ГОТОВЫЕ ДИПЛОМНЫЕ РАБОТЫ, КУРСОВЫЕ РАБОТЫ, ДИССЕРТАЦИИ И РЕФЕРАТЫ
Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом | |
| Автор | Ляшенко Сергей |
| Вуз (город) | ДНУ |
| Количество страниц | 11 |
| Год сдачи | 1999 |
| Стоимость (руб.) | 1500 |
| Содержание | 1.1. Имеется МОП-транзистор с индуцированным каналом на кремневой под-ложке. В курсовой работе необходимо выполнить: 1) Построение вольтфарадной характеристики МОП-структуры. 2) Построение стоковой и стоко-затворной характеристики. 3) Определение напряжения и тока насыщения и напряжения отсечки. 4) Нахождение крутизны стоко-затворной характеристики и проводимости канала. 1.2. Исходные данные: 1) концентрация примеси N=3,5*1015 См-2; 2) тип подожки n; 3) ширина канала Z=5,8 мкм; 4) толщина канала L=1,1 мкм; 5) толщина оксидного слоя Xокс=0,15 мкм; 6) плотность заряда Qss=8*10-8 Кл/м2; 7) поверхностный заряд на границе Qss=1,6*10-8 Кл/см2. |
| Список литературы | 1. Л.Рассадо “Физическая электроника и микроэлектроника”, М. Высшая школа, 1991г. 2. Маллер Д.Б. “Элементы интегральных схем”. 3. Агарханян O.П. “Основы транзисторной электроники”. 4. И.П. Степаненко “Основы транзисторов и транзисторных схем”, М., Энергия, 1973г. |
| Выдержка из работы | 2.1. Построение вольт-фарадной характеристики канала. Ёмкость между затвором и подложкой МОП-структуры будем рассматри-вать как два последовательно включённых конденсатора. Один, из которых образуется металлом и границей Si-SiO2, его ёмкость рав-на const и равна С0. Другой конденсатор образуется в режиме обеднения и инверсии за счёт на-личия обеднённой области. Эта ёмкость не линейна и зависит от ряда параметров. Общая ёмкость имеет следующую оценку: - при Uз |