ГОТОВЫЕ ДИПЛОМНЫЕ РАБОТЫ, КУРСОВЫЕ РАБОТЫ, ДИССЕРТАЦИИ И РЕФЕРАТЫ
Методы напыления тонких пленок, приенение установки ВУП-5 | |
| Автор | Игорь |
| Вуз (город) | КемГУ |
| Количество страниц | 18 |
| Год сдачи | 2008 |
| Стоимость (руб.) | 1500 |
| Содержание | Содержание Введение 2 Термическое (вакуумное) напыление 3 Катодное напыление 5 Ионная бомбардировка 7 Ионно-плазменное напыление 9 Анодирование 11 Электрохимическое осаждение 12 ВУП-5, технические характеристики 13 Трансмиссионная электронная микроскопия 15 Заключение 17 Литература 1 |
| Список литературы | 1. Технология тонких пленок. Справочник, под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга, пер. с англ., т. 1-2, М., 1977; 2. Плазменная металлизация в вакууме, Минск, 1983; 3. Черняев В.Н., Технология производства интегральных микросхем и микроциклоров, 2 изд., М., 1987; 4. Волков С. С., Гирш В. И., Склеивание и напыление пластмасс, М., 1988; 5. Коледов Л. А., Технология и конструкция микросхем, микроциклоров и микросборок, М., 1989. Л. А. Коледов. 6. Шиммель Г., Методика электронной микроскопии, пер. с нем., М., 1972 |
| Выдержка из работы | Образцы для исследования в просвечивающем электронном микроскопе могут быть приготовлены как непосредственно из материала исследуемого объекта, так и из материала, отличного от материала объекта. В первом случае анализ электроннограмм и дифракционного контраста на изображении дает непосредственную информацию о кристаллической структуре объекта. Тонкие образцы для таких исследований готовятся с помощью следующих методик: • получение тонких срезов на ультрамикротоме; • утончение объектов химической полировкой или ионной бомбардировкой; • напыление пленок – термическое испарение, катодное распыление, газотранспортные реакции и т.д. • разбрызгивание и высушивание (для порошков и суспензий). Тонкие пленки представляют собой слой какого-либо материала толщиной от 10 до 10000А. Они различаются по своим физическим и химическим свойствам: эпитаксиальные монокристаллические и аморфные, проводящие и диэлектрические, органические и неорганические. Под эпитаксиальной пленкой обычно понимают монокристаллический слой, выращенный на монокристаллической подложке с которой он имеет определенное кристаллографическое соответствие. Эпитаксиальные монокристаллические пленки обычно содержат дефекты, такие, как дислокации, дефекты упаковки, двойники и субструктуры. Когда верхний слой того же состава, что и подложка, его называют гомоэпитаксиальным, если же верхний слой другого состава, то он называется гетероэпитаксиальным. Аморфные тонкие пленки обладают либо структурой типа беспорядочной сетки, либо беспорядочной плотноупакованной структурой. В данной работе будет рассмотрен метод напыления тонких пленок термическим испарением на установке ВУП-5. |