Курсовая: Фотодиод
Министерство образования Украины
Запорожский государственный технический университет
Кафедра МЭиПТ
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА К КУРСОВОМУ ПРОЕКТУ ПО ДИСЦИПЛИНЕ
ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
ФОТОДИОД
Разработал:
ст. гр. РП-316 А.Р. Небаба
Руководитель:
доцент А.В. Томашевский
1998
РЕФЕРАТ
ПЗ: 36 с., 16 рис., 3 табл., 3 приложения, 6 источников.
Объект исследования – германиевый фотодиод.
Цель работы – исследование физических процессов протекающих в фотодиоде,
определение зависимости основных параметров германиевого фотодиода от
температуры и интенсивности освещения.
Фотодиоды являются эффективными преобразователями световой энергии в
электрическую. Они могут быть использованы в вентильных и фотдиодных
режимах . Фототок германиевого фотодиода прямопропорционален
освещенности. Фото-ЭДС обратнопропорциональна температуре.
ФОТОДИОД, ТОК НАСЫЩЕНИЯ, ФОТОТОК, ФОТО-ЭДС, ОСВЕЩЕННОСТЬ, ТЕМПЕРАТУРА,
ВЕНТИЛЬНЫЙ РЕЖИМ, ФОТОДИОДНЫЙ РЕЖИМ.
СОДЕРЖАНИЕ
Задание на проект 2
Реферат 4
Введение 6
1 Общая часть 8
1.1 Механизм действия электронно-дырочных фотоэлементов 8
1.2 Основные характеристики электронно-дырочных
фотоэлементов 13
1.2.1 Вольт-амперная характеристика 15
1.2.2 Люкс-амперная характеристика 18
1.2.3 Спектральное распределение фоточувствительности 20
1.2.4 Температурная зависимость темнового тока,
фототока и фото-ЭДС 21
2 Расчетная часть 24
2.1 Расчет зависимости фототока от освещенности 24
2.2 Расчет зависимости тока насыщения от температуры 25
2.3 Расчет зависимости фото-ЭДС от температуры 28
2.4 Расчет зависимости фото-ЭДС от освещенности 29
Выводы 31
Перечень ссылок 33
Приложение А Физические константы 34
Приложение Б Зависимость параметров от освещенности 35
Приложение В Температурная зависимость параметров
фотодиода 36
ВВЕДЕНИЕ
В некоторых условиях при освещении полупроводника между отдельными его
точками возникает разность потенциалов, так называемая фото-ЭДС.
Появление ЭДС в полупроводнике, очевидно, может быть связано только с
возникновением объемных зарядов, т. е, с разделением в пространстве
положительных и отрицательных зарядов (электронов и дырок).
Однако поглощение света и фотоионизация непосредственно изменяют
(увеличивают) только энергию электронов и дырок, не разделяя их в
пространстве. Действительно, например, при переходе под действием света
электрона с локального примесного уровня в зону проводимости электрон и
дырка, оставшаяся на уровне, разделяются в «пространстве энергий», но
остаются рядом в геометрическом пространстве.
Следовательно, для появления фото-ЭДС должны существовать добавочные
причины разделения неравновесных зарядов разных знаков.
В качестве таких причин выступают, например:
а) разница в подвижностях носителей тока разного знака, что при
неравномерном освещении приводит к разделению зарядов из-за разных
скоростей диффузии. Эта причина обусловливает появление фото-ЭДС
Дембера.
б) наличие магнитного поля, в котором при диффузии заряды разделяются за
счет отклонения в противоположные стороны. Это явление лежит в основе
фотомагнитного эффекта Кикоина—Носкова.
Обе названные выше причины разделения носителей разного знака характерны
для однородных (до освещения) полупроводников. Однако особенно
эффективное разделение неравновесных носителей имеет место в
неоднородных полупроводниках или полупроводниковых системах и, в
частности, в электронно-дырочных переходах или на других типах
запирающих слоев.
Величина вентильной фото-ЭДС на несколько порядков больше, чем ЭДС
Дембера и объемная фото-ЭДС. Коэффициент полезного действия вентильных
фотоэлементов может быть сделан достаточно большим, и поэтому они
находят техническое применение для прямого преобразования световой
энергии в электрическую. В частности, вентильные фотоэлементы
используются для создания солнечных батарей, широко применяемых на
искусственных спутниках Земли и космических кораблях.
Следует разделять два главных направления использования
полупроводниковых фотоэлементов:
а) преобразование световых сигналов в электрические;
б) преобразование световой (например, солнечной) энергии в
электрическую.
Первое направление имеет большое значение для автоматики, измерительной
техники, счетно-решающих механизмов и т. п.
Второе направление развивается в связи с космическими полетами и имеет
также большие перспективы для «земной» энергетики.
1 ОБЩАЯ ЧАСТЬ
1.1 Механизм действия электронно-дырочных фотоэлементов
1.1.2 Энергетическая схема электронно-дырочного перехода
На рис. 1.1 изображены энергетические схемы электронного и дырочного
полупроводников до контакта. Предполагается, что полупроводники
одинаковы и отличаются лишь составом примесей. Края потенциальных ящиков
изображены на одном уровне, соответствующем потенциальной энергии
электрона вне полупроводника. Расстояния от уровня Ферми до краев
потенциальных ящиков, показанные на рисунке стрелками, определяют работу
выхода. Из рисунка видно, что работа выхода из электронного
полупроводника меньше, чем из дырочного. Следовательно, после приведения
полупроводников в контакт электроны будут переходить из электронного
полупроводника в дырочный. При этом на границе возникает двойной
заряженный слой с положительной компонентой в электронном и
отрицательной в дырочном полупроводнике и, следовательно, разность
потенциалов (именуемая контактной). По мере перехода электронов и роста
этой разности потенциалов энергетические уровни дырочного полупроводника
будут смещаться вверх относительно электронного до тех пор, пока уровни
Ферми в обоих полупроводниках не окажутся на одной высоте.
Рисунок 1.1 – Энергетическме схемы электронного и дырочного
полупроводника до контакта
В результате энергетическая схема контакта примет вид, изображенный на
рис. 1.2 а. Вблизи контакта в переходной области, называемой часто
областью объемного заряда, расстояние от уровня Ферми до краев основных
зон больше, чем в невозмущенных электронном и дырочном полупроводниках,
и, следовательно, концентрация носителей и проводимость меньше.
Переходная область называется также запорным слоем.
а – равновесие; б - при освещении
Рисунок 1.2 - Потоки электронов и дырок через n-p переход
Типичная конструкция электронно-дырочного фотоэлемента (фотодиода)
изображена в разрезе рис. 1.3 а. Свет, падающий на поверхность
фотоэлемента (n-полупроводника, см рис. 1.3), образует пары
электрон-дырка. «Неосновные» носители (т. е. дырки в n-полупроводнике)
диффундируют сквозь слой n-полупроводника к области n-p перехода. Дырки,
подошедшие к переходу, подхватываются полем, существующим на переходе, и
выбрасываются в p-полупроводник. Такой процесс идет до тех пор, пока
положительный заряд p-полупроводника не возрастет настолько, что
дальнейший ток через n-p переход прекращается. Этому состоянию
соответствует определенная разность потенциалов между n и p
полупроводником, так называемая вентильная фотоЭДС.
Рисунок 1.3 - Конструкция фотодиода
а - схема включения—«фотодиодный» режим;
б - схема включения—«вентильный» режим.
Рисунок 1.4 - Схемы включения фотодиода:
Фотодиоды, основанные на использовании n-p перехода, по существу,
представляют собой разновидность давно известных вентильных
фотоэлементов. Имеется, однако, существенная разница между n-p
фотодиодами и старыми типами вентильных фотоэлементов, заключающаяся в
том, что фотодиоды могут с успехом использоваться в режиме, не
свойственном вентильным фотоэлементам, а именно, при значительных
напряжениях, приложенных в запирающем направлении. Этот режим работы
фотоэлемента именуется «фотодиодным», а режим без внешнего
напряжения—«вентильным» (рис. 1.4 а, б).
Фотодиодная схема содержит во внешней цепи еще источник тока, включенный
так, чтобы на n-p переходе было напряжение запорного знака. Это
напряжение выбирают по возможности большим, но, конечно, меньше
пробойного напряжения n-p перехода. При этой схеме включения
существующий в цепи ток (который в темноте есть ток насыщения n-p
перехода и в хороших диодах очень мал) сильно изменяется при освещении
и, соответственно, изменяется и падение напряжения на нагрузочном
сопротивлении R. При правильном выборе напряжения источника и внешнего
сопротивления величина электрического сигнала может быть сделана намного
большей, чем в схеме фотоэлемента, и поэтому фотодиоды широко
применяются для регистрации и измерения световых сигналов.
Общее уравнение фотодиода включенного в вентильном режиме имеет вид:
, (1.1)
где J – ток через фотодиод, А;
Jf – фототок, А;
Js – ток насыщения, А;
V – фото-ЭДС, В;
T – температура, К.
Это уравнение можно переписать в виде:
(1.2)
Подставив J=(V-V0)/R в (1.1) получим основное уравнение фотодиода в
фотодиодном режиме:
, (1.3)
где V0 – внешнее напряжение, В.
1.2 Основные характеристики электронно-дырочных фотоэлементов
Экспериментальные результаты, приводимые ниже, получены главным образом
на германиевых фотодиодах. Такие фотодиоды серийно изготовляются
промышленностью.
Из рис. 1.5 – 1.7, на которых изображены некоторые характеристики для
фотодиода в вентильном режиме, видно, что с ростом сопротивления R
разность потенциалов у на фотоэлементе растет, стремясь при R(( к
значению фото-ЭДС, а ток во внешней цепи J падает от значения, равного
Jf, при R=0 и V= 0 до нуля.
Рисунок 1.5 - Нагрузочная характеристика n-р фотоэлемента в вентильном
режиме
Рисунок 1.6 – Вентильный режим
Рисунок 1.7 – Вольт-амперная характеристика
n-р фотоэлемента в вентильном режиме
Из рис. 1.7 видно, что малым токам соответствует предельное для данной
освещенности значение фото-ЭДС.
1.2.1 Вольт-амперная характеристика
Если к n-p-переходу приложено напряжение в запирающем направлении (схема
на рис. 1.8), то резко возрастают потенциальные барьеры для основных
носителей и, следовательно, ток через переход будет определяться
потоками неосновных носителей, падающих на границу раздела А.
Рисунок 1.8 – Схема n-p фотоэлемента, включеного в запирающем
направлении (фотодиодный режим)
На эти потоки не влияет величина приложенного напряжения т. к.
потенциальный барьер для неосновных носителей отсутствует, а ток
пропорционален их концентрации, которая определяется темпом термической
и оптической генерации. Ток тоже не зависит от напряжения, т. е. носит
характер тока насыщения. В темноте ток равен Js, а при освещении за счет
появления добавочных неосновных носителей возрастает на величину Jf.
Этот вывод следует и из основного уравнения фотодиода (1.1).
Действительно, при достаточно больших отрицательных V0 из (1.3) следует
J=Js+Jf (1.4)
Экспериментально получаемые вольтамперные характеристики для
германиевого фотодиода хорошо соответствуют теории (рис. 1.9). Лишь в
области больших напряжений появляется отклонение (рост тока), связанное
с размножением носителей в n-p переходе в сильных электрических полях.
При малых напряжениях ( V<
, (1.5)
где величина R0=kT/(eJs) соответствует внутреннему сопротивлению n-p
перехода при малых V.
Таким образом, в отсутствие освещения (Jf=0) ток линейно растет с V
приблизительно до V~kT/e, а затем стремится к насыщению. В результате
освещения величина тока при любом V возрастает на Jf по сравнению с его
значением в темноте. Следовательно, при V=0 J=Jf (ток короткого
замыкания).
1 – темновой режим; 2-5 – возрастающая интенсивность освещения
Рисунок 1.9 – Вольт-амперные характеристики в фотодиодном режиме
1.2.2 Люкс-амперная характеристика
Величины тока короткого замыкания в вентильном режиме и добавки тока в
фотодиодном режиме пропорциональны концентрации неосновных неравновесных
носителей, возникших при освещении.
Эта концентрация в стационарных условиях, как обычно, пропорциональна
произведению темпа генерации (kI на среднее время существования
неосновных носителей в базе.
Время существования лимитируется двумя процессами исчезновения —
рекомбинацией и уходом через n-p переход. Обычно в правильно
сконструированных фотодиодах с достаточно тонкой базой влиянием
рекомбинации можно пренебречь, так как все неосновные носители успевают
за время много меньшее, чем (, уйти через n-p переход.
В этих условиях ток Jf равен произведению элементарного заряда на полное
число носителей, генерируемых светом в единицу времени во всем объеме:
Таким образом, величина Jf, прямо пропорциональна I при любых уровнях
возбуждения. Этот вывод хорошо подтверждается на опыте (рис. 1.10).
В фотодиодном режиме вплоть до весьма больших освещенностей наблюдается
строгая линейность. Это является важным достоинством фотодиодов. В
вентильном режиме тока короткого замыкания начальный участок
характеристики также линеен, но при значительных освещенностях (для
разных образцов этот предел различен) наблюдается значительное
отступление от линейности, связанное с тем, что при больших
освещенностях конечная величина сопротивления толщи германия, контактов
и внешней цепи начинает играть существенную роль и таким образом
нарушается режим тока короткого замыкания.
1 - вентильный режим;
2, 3 - фотодиодный режим при разных напряжениях
Рисунок 1.10 - Типичные люкс-амперные характеристики для германиевых
фотодиодов
В режиме разомкнутой цепи, как это следует из (1.2), фото-ЭДС
логарифмически зависит от Jf и, следовательно, от интенсивности
освещения.
1.2.3 Спектральное распределение фоточувствительности
Спектральные зависимости для германиевых фотодиодов изображены на рис.
1.11. Длинноволновая граница соответствует краю собственного поглощения.
Спектральные характеристики для разных образцов несколько отличаются
друг от друга, особенно в области длин волн короче 1 мк, однако
приближенно можно считать, что экстраполированная в сторону коротких
длин волн кривая проходит через нуль. Если учесть, что на рис. 1.11
кривые построены в пересчете на единицу падающей энергии, указанное
обстоятельство свидетельствует о том, что, как и следовало ожидать,
число возникающих в германии носителей пропорционально не количеству
световой энергии, а количеству квантов. Для проведения ориентировочных
расчетов спектральную характеристику можно представить в виде
треугольника с вершиной при 1,5 мк и основанием, простирающимся от 0 до
2 мк (см. пунктирную линию на рис. 1.11). На самом деле, для квантов
~2,3 эВ и в сторону более коротких длин волн за счет ударной ионизации
спад чувствительности прекращается.
Рисунок 1.11 - Спектральное распределение фототока для двух образцов
фотодиодов.
1.2.4 Температурная зависимость темнового тока, фототока и фото-ЭДС
Фототок Jf правильно сконструированного фотодиода определяется полным
числом поглощенных квантов и, если это число неизменно, очевидно, не
должен зависеть от температуры.
Экспериментальные данные, приведенные на рис. 1.12, в основном
подтверждают это. Заметный слабый рост Jf с температурой, по-видимому,
определяется уменьшением ширины запретной зоны, что при использовании
белого света приводит к увеличению в спектре числа квантов, способных
генерировать неосновные носители. Слабая температурная зависимость
фототока является важным достоинством фотодиодов. Некоторым недостатком
их следует, однако, признать очень резкую температурную зависимость
темнового тока Js (рис. 1.12, а и б). Это в первую очередь связано с
резкой температурной зависимостью концентрации неосновных носителей.
Действительно, поскольку обычно в рабочей области температур имеет место
полная ионизация примесей и, следовательно, концентрация основных
носителей (например, электронов) неизменна, из выражения
, (1.6)
имеем для концентрации неосновных носителей
, (1.7)
Таким образом, p0, а следовательно, и Js быстро (приблизительно
экспоненциально) растут с температурой, причем в показателе экспоненты
стоит, полная ширина запретной зоны.
Для уменьшения величины тернового тока следует либо понижать
температуру, либо использовать для изготовления фотодиодов вещества с
более широкой запретной зоной.
а
б
а – температура выше комнатной;
б – температура ниже комнатной
Рисунок 1.12 – Температурная зависимость тока насыщения Js и фототока Jf
германиевого фотодиода
2 РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ
Значения физических констант и некоторых параметров германия приведены в
приложении А. Расчеты проведены в электронной таблице EXEL97.
2.1 Расчет зависимости фототока от освещенности
Фотодиод облучается видимым светом с длиной волны (=6*10-7 м. Из (=с/(,
частота этого излучения (=5*1014 Гц.
Jf=e((I/(h() , (1)
где Jf – фототок, А;
( - часть нерекомбинировавших зарядов, дошедших до перехода, в данном
случае, для тонкой базы, (=1;
( - квантовый выход, в данном случае (=1;
I – освещенность, I=1014 - 1020 (см2с)-1;
( - частота излучения, (=5*1014 Гц.
Результаты расчета фототока приведены в приложении Б. График зависимости
фототока от освещенности изображен на рисунке 2.1.
Рисунок 2.1 - Зависимость фототока от освещения
Так как диапазон изменения освещенности широк, график построен в
логарифмических координатах (логарифм с основанием 2). От температуры
фототок практически не зависит.
2.2 Расчет зависимости тока насыщения от температуры
Значения тока насыщения необходимы для расчетов других параметров
фотодиода.
2.2.1 Коэффициент диффузии носителей заряда
D=(e/(kT) , (2)
где D – коэффициент диффузии, для электронов – Dn, для дырок – Dp, ;
( - подвижность носителей, (n и (p для электронов и дырок
соответственно, значения – в приложении А;
Т – температура, Т=193 – 473 К.
Результаты расчета коэффициента диффузии приведены в приложении В.
2.2.2 Диффузионная длина
, (3)
где L – диффузионная длина, Ln – для электронов, Lp – для дырок, см;
( - время жизни неосновных носителей, (=0,001 с.
Результаты расчета диффузионной длины приведены в приложении В.
2.2.3 Эффективная плотность состояний в валентной зоне и зоне
проводимости
, (4)
где N – эффективная плотность состояний, Nc – для зоны проводимости, Nv
– для валентной зны, с-1;
m* - эффективная масса, m*р – для дырок, m*n – для электронов, значения
– в приложении А.
Результаты расчета эффективной плотности состояний приведены в
приложении В.
2.2.4 Собственная концентрация
, (5)
где ni2 – собственная концентрация, см-6;
(Е –ширина запрещенной зоны, значение в приложении А.
Результаты расчета собственной концентрации приведены в приложении В.
2.2.5 Концентрация неосновных носителей заряда
pn= ni2/nn , (6.1)
np= ni2/pp . (6.2)
где np, pn – концентрация электронов в р-области и дырок в n-области,
см-3;
nn, pp – концентрация основных носителей,
nn=pp=2*1015 см-3.
Результаты расчета концентрации неосновных носителей приведены в
приложении В.
2.2.6 Ток насыщения
, (7)
где Js – ток насыщения, А.
Результаты расчета тока насыщения приведены в приложении В. График
температурной зависимости тока насыщения изображен на рисунке 2.2.
Рисунок 2.2 – Зависимость тока насыщения от температуры
2.3 Расчет зависимости фото-ЭДС от температуры
Фотодиод облучается видимым светом с длиной волны (=6*10-7 м и
интенсивностью I=6,4*1015 1/см2с. Из предыдущих расчетов (см. приложение
Б), этим значениям соответствует фототок Jf=4,9*10-4A.
, (8)
где V – фото-ЭДС, В.
Результаты расчета фото-ЭДС приведены в приложении В. График
температурной зависимости фото-ЭДС изображен на рисунке 2.3.
Рисунок 2.3 – Зависимость фото-ЭДС от температуры
2.4 Расчет зависимости фото-ЭДС от освещенности
рисунке 2.4.
Рисунок 2.4 – Зависимость фото-ЭДС от освещенности
ВЫВОДЫ
Расчеты показывают, что для повышения напряжения на выходе фотодиодного
преобразователя энергии, необходимо поддерживать низкую температуру и
использовать материалы с максимальной шириной запрещенной зоны.
Использование фотодиодного режима для преобразования сигналов имеет
преимущество по сравнению с использованием вентильного режима в том, что
обладает большей вольтовой чувствительностью. В вентильном режиме полная
световая добавка тока Jf может быть получена только в режиме тока
короткого замыкания. В фотодиодном режиме ту же величину Jf можно
получить при наличии в цепи большого нагрузочного сопротивления.
Следовательно, и сигнал, снимаемый с этого сопротивления, будет иметь
большую величину.
Однако, и вентильный режим в свою очередь обладает двумя важными
преимуществами перед фотодиодным. Это, во-первых, отсутствие источников
питания и, во-вторых, чрезвычайно низкий уровень шумов. Весьма малая
величина шумов в вентильном режиме (существенно меньшая, чем в
фотодиодном) обусловлена в основном тем, что в этом режиме темновой ток
равен нулю, в то время как в фотодиодном этот ток имеет заметную
величину и его флуктуации (из-за нестабильности контактов и т. п.) чаще
всего и определяют шумы.
Очевидно, что наиболее благоприятным был бы режим, в котором совмещались
бы преимущества как фотодиодного режима (большая вольтовая
чувствительность, малая инерционность), так и вентильного (малые шумы,
отсутствие источников питания). Эта возможность может быть осуществлена
при работе фотодиода в вентильном режиме тока короткого замыкания, но
при достаточно низких температурах. Уже начиная с ~ - 40 °С сигнал в
вентильном режиме становится равным сигналу в фотодиодном, в то время
как уровень шумов в первом случае по крайней мере на два порядка ниже,
чем во втором.
Итак, вентильный режим тока короткого замыкания оказывается оптимальным
для регистрации малых сигналов.
Перспективным является использование в фотодиодах гетеропереходов и
сложных полупроводниковых соединений.
ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОК
1 Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М.:
Физматгиз, 1963. – 496 с.
2 Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. – М.: 1977.
– 672 с.
3 Шалимова К.В. Физика полупроводников. – М.: Энергия, 1976. – 416 с.
4 Тауц Я., Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. - М.:
1962. – 544 с.
5 Пикус Г.Е., Основы теории полупроводниковых приборов, М.: Наука, -
1965. – 628 с.
6 Васильев А.М., Ландсман А.П., Полупроводниковые фотопреобразователи.
– М.: Советское радио, - 1971. – 568с.
Приложение А
Физические константы
Таблица А.1 – Используемые в расчетах общие физические постоянные и
некоторые постоянные для германия
Обозначения Размерность Постоянная Значение
Общие
c м/с скорость света в вакууме 3*108
e Кл заряд электрона 1,6*10-19
h Дж*с постоянная Планка 6,6*10-34
k Дж/К постоянная Больцмана 1,38*10-23
Для германия
(n см2/Вс подвижность электронов 3900
(p см2/Вс подвижность дырок 1900
mn* кг эффективная масса электрона
mp* кг эффективная масса дырки
(E эВ ширина запрещенной зоны 0,66
Приложение Б
Зависимость параметров фотодиода от освещенности
Таблица Б.1 – Зависимость фототока и фото-ЭДС от освещенности
I, 1/(см^2с) If, А v, B
1,00E+14 7,7576E-06 0,35668015
2,00E+14 1,5515E-05 0,37461532
4,00E+14 3,103E-05 0,39255049
8,00E+14 6,2061E-05 0,41048567
1,60E+15 0,00012412 0,42842085
3,20E+15 0,00024824 0,44635604
6,40E+15 0,00049648 0,46429122
1,28E+16 0,00099297 0,4822264
2,56E+16 0,00198594 0,50016159
5,12E+16 0,00397188 0,51809677
1,02E+17
0???????????????????????????????????????????????????????????????????????
????????????????????????????????????
Приложение В
Температурная зависимость параметров фотодиода
Таблица В.1 - Результаты расчета зависимости тока насыщения от
температуры
Т, С T, K De Dp Le Lp Nc, 1/cm3 Nv, 1/cm3 ni, 1/cm6 pn, np, 1/cm3 Is, A
v, B
-80 193 9,15E+04 4,46E+04 9,57 6,68 5,48E+24 2,71E+24 8,97E+31 4,48E+17
7,28E-17 3,69E-01
-70 203 8,70E+04 4,24E+04 9,33 6,51 5,92E+24 2,92E+24 7,36E+32 3,68E+18
5,83E-16 3,51E-01
-60 213 8,29E+04 4,04E+04 9,11 6,36 6,36E+24 3,14E+24 4,99E+33 2,49E+19
3,86E-15 3,34E-01
-50 223 7,92E+04 3,86E+04 8,90 6,21 6,81E+24 3,37E+24 2,87E+34 1,43E+20
2,17E-14 3,16E-01
-40 233 7,58E+04 3,69E+04 8,71 6,08 7,27E+24 3,59E+24 1,43E+35 7,13E+20
1,05E-13 2,99E-01
-30 243 7,27E+04 3,54E+04 8,53 5,95 7,75E+24 3,83E+24 6,25E+35 3,13E+21
4,52E-13 2,81E-01
-20 253 6,98E+04 3,40E+04 8,36 5,83 8,23E+24 4,07E+24 2,45E+36 1,22E+22
1,74E-12 2,63E-01
-10 263 6,72E+04 3,27E+04 8,20 5,72 8,72E+24 4,31E+24 8,69E+36 4,34E+22
6,05E-12 2,45E-01
0 273 6,47E+04 3,15E+04 8,04 5,61 9,22E+24 4,56E+24 2,82E+37 1,41E+23
1,93E-11 2,27E-01
10 283 6,24E+04 3,04E+04 7,90 5,51 9,74E+24 4,81E+24 8,46E+37 4,23E+23
5,68E-11 2,09E-01
20 293 6,03E+04 2,94E+04 7,76 5,42 1,03E+25 5,07E+24 2,36E+38 1,18E+24
1,56E-10 1,91E-01
30 303 5,83E+04 2,84E+04 7,64 5,33 1,08E+25 5,33E+24 6,19E+38 3,09E+24
4,01E-10 1,73E-01
40 313 5,64E+04 2,75E+04 7,51 5,24 1,13E+25 5,60E+24 1,53E+39 7,64E+24
9,75E-10 1,55E-01
50 323 5,47E+04 2,66E+04 7,39 5,16 1,19E+25 5,87E+24 3,58E+39 1,79E+25
2,25E-09 1,37E-01
60 333 5,30E+04 2,58E+04 7,28 5,08 1,24E+25 6,14E+24 7,99E+39 4,00E+25
4,94E-09 1,18E-01
70 343 5,15E+04 2,51E+04 7,18 5,01 1,30E+25 6,42E+24 1,71E+40 8,53E+25
1,04E-08 1,00E-01
80 353 5,00E+04 2,44E+04 7,07 4,94 1,36E+25 6,70E+24 3,50E+40 1,75E+26
2,10E-08 8,30E-02
90 363 4,87E+04 2,37E+04 6,98 4,87 1,41E+25 6,99E+24 6,92E+40 3,46E+26
4,10E-08 6,63E-02
100 373 4,74E+04 2,31E+04 6,88 4,80 1,47E+25 7,28E+24 1,32E+41 6,60E+26
7,71E-08 5,11E-02
110 383 4,61E+04 2,25E+04 6,79 4,74 1,53E+25 7,57E+24 2,44E+41 1,22E+27
1,41E-07 3,77E-02
120 393 4,49E+04 2,19E+04 6,70 4,68 1,59E+25 7,87E+24 4,39E+41 2,19E+27
2,50E-07 2,67E-02
130 403 4,38E+04 2,14E+04 6,62 4,62 1,65E+25 8,18E+24 7,67E+41 3,83E+27
4,31E-07 1,84E-02
140 413 4,28E+04 2,08E+04 6,54 4,56 1,72E+25 8,48E+24 1,31E+42 6,54E+27
7,26E-07 1,23E-02
150 423 4,18E+04 2,03E+04 6,46 4,51 1,78E+25 8,79E+24 2,18E+42 1,09E+28
1,19E-06 8,18E-03
160 433 4,08E+04 1,99E+04 6,39 4,46 1,84E+25 9,10E+24 3,55E+42 1,77E+28
1,92E-06 5,42E-03
170 443 3,99E+04 1,94E+04 6,31 4,41 1,91E+25 9,42E+24 5,66E+42 2,83E+28
3,03E-06 3,60E-03
180 453 3,90E+04 1,90E+04 6,24 4,36 1,97E+25 9,74E+24 8,86E+42 4,43E+28
4,70E-06 2,42E-03
190 463 3,81E+04 1,86E+04 6,18 4,31 2,04E+25 1,01E+25 1,36E+43 6,81E+28
7,14E-06 1,64E-03
200 473 3,73E+04 1,82E+04 6,11 4,27 2,10E+25 1,04E+25 2,06E+43 1,03E+29
1,07E-05 1,13E-03
 |