Реферат: Общие сведения о полупроводниковых приборах

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ
РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН
Казахский Национальный Технический Университет имени К.И. Сатпаева
Институт информационных технологий
Военная кафедра
Д О К Л А Д
Тема: Общие сведения о полупроводниковых приборах
Выполнил: ст. группы ЗБИ 01-2
383 взвод
Проверил: ____________________
______________________________
Алматы 2003
Содержание:
1. Определение п.п. приборов и принцип действия (типы
проводимостей).
2. Электронно-дырочный переход.
3. П.п. диод, принцип действия.
4. Транзистор, принцип действия, схемы включения
транзисторов.
5. Список литературы.
Определение п.п. приборов и принцип действия.
(Типы проводимостей).
Техника полупроводниковых приборов стала самостоятельной областью
электроники. Замена электронных ламп полупроводниковыми приборами успешно
осуществлена во многих радиотехнических устройствах.
На всем протяжении развития радиотехники широко применялись кристаллические
детекторы, представляющие собой полупроводниковые выпрямители для токов
высокой частоты. Для выпрямления постоянного тока электрической сети
используют купроксные и селеновые полупроводниковые выпрямители. Однако они
непригодны для высоких частот.
Ещё в 1922 г. сотрудник Нижегородской радио лаборатории О.В. Лосев получил
генерирование электрических колебаний с помощью кристиллического детектора и
сконструировал приёмник УКристадинФ, в котором за счет генерации собственных
колебаний получалось усиление принимаемых сигналов. Он имел значительно
большую чувствительность, нежели обычные приемники с кристаллическими
детекторами. Открытие Лосева, к сожалению, не получило должного развития в
последующие годы. Полупроводниковые триоды, получившие названия транзисторов,
предложили в 1948 г. американские ученые Бардин, Браттейн и Шокли.
По сравнению с электронными лампами у полупроводниковых приборов имеются
существенные достоинства:
1. Малый вес и малые размеры.
2. Отсутствие затраты энергии на накал.
3. Большой срок службы (до десятков тысяч часов).
4. Большая механическая прочность (стойкость к тряске, ударам и другим
видам механических перегрузок).
5. Различные устройства (выпрямители, усилители, генераторы) с
полупроводниковыми приборами имеют высокий КПД, так как потери энергии в
самих приборах незначительны.
6. Маломощные устройства с транзисторами могут работать при очень низких
питающих напряжениях.
Вместе с тем полупроводниковые приборы в настоящее время обладают следующими
недостатками:
1. Параметры и характеристики отдельных экземпляров приборов данного типа
имеют значительный разброс.
2. Свойства приборов сильно зависят от температуры.
3. Работа полупроводниковых приборов резко ухудшается под действием
радиоактивного излучения.
Транзисторы могут работать почти во всех устройствах, в которых применяются
вакуумные лампы. В настоящее время транзисторы успешно применяются в
усилителях, приёмниках, передатчиках, генераторах, измерительных приборах,
импульсных схемах и во многих других устройствах.
Сначала надо познакомиться с механизмом проводимости в полупроводниках. А для
этого нужно понять природу связей удерживающих атомы полупроводникового
кристалла друг возле друга. Для примера рассмотрим кристалл кремния.
Кремний Ц это четырехвалентный элемент. Это означает, что во внешней
оболочке атома имеются четыре электрона, сравнительно слабо связанные с ядром.
Число ближайших соседей каждого атома кремния также равно четырем.
Взаимодействие пары соседних атомов осуществляется с помощью парно-электронной
связи, называемой ковалентной связью. В образовании этой связи от каждого атома
участвуют по одному валентному электрону, которые отщепляются от атомов
(коллективизируются кристаллом) и при своем движении большую часть времени
проводят в пространстве между соседними атомами. Их отрицательный заряд
удерживает положительные ионы кремния друг возле друга. Каждый атом образует
четыре связи с соседними, и любой валентный электрон может двигаться по одной
из них. Дойдя до соседнего атома, он может перейти к следующему, а затем дальше
вдоль всего кристалла. Валентные электроны принадлежат всему кристаллу.
Парно-электронные связи кремния достаточно прочны и при низких температурах не
разрываются. Поэтому кремний при низкой температуре не проводит электрический
ток. Участвующие в связи атомов валентные электроны прочно привязаны к
кристаллической решетке, и внешнее электрическое поле не оказывает заметного
влияния на их движение.
Электронная проводимость.
При нагревании кремния кинетическая энергия частиц повышается, и наступает
разрыв отдельных связей. Некоторые электроны покидают свои орбиты и
становятся свободными, подобно электронам в металле. В электрическом поле они
перемещаются между узлами решетки, образуя электрический ток. Проводимость
полупроводников обусловленную наличием у металлов свободных электронов,
называют электронной проводимостью. При повышении температуры число
разорванных связей, а значит, и свободных электронов увеличивается. При
нагревании от 300 до 700 К число свободных носителей заряда увеличивается от
10-¹⁷ до 10-²⁴ 1/м³. Это приводит к
уменьшению сопротивления.
Дырочная проводимость.
При разрыве связи образуется вакантное место с недостающим электроном. Его
называют дыркой. В дырке имеется избыточный положительный заряд по сравнению
с остальными, нормальными связями. Положение дырки в кристалле не является
неизменным. Непрерывно происходит следующий процесс. Один из электронов,
обеспечивающих связь атомов, перескакивает на место образовавшиеся дырки и
восстанавливает здесь парно-электронную связь, а там, откуда перескочил этот
электрон, образуется новая дырка. Таким образом, дырка может перемещаться по
всему кристаллу. Если напряженность электрического поля в образце равна нулю
то перемещение дырок, равноценное перемещению положительных зарядов,
происходит беспорядочно и поэтому не создает электрического тока. При наличии
электрического поля возникает упорядоченное перемещение дырок, и, таким
образом, к электрическому току свободных электронов добавляется электрический
ток связанный с перемещением дырок. Направление движения дырок противоположно
направлению движения электронов.
Итак, в полупроводниках имеются носители заряда двух типов: электроны и дырки.
Поэтому полупроводники обладают не только электронной, но и дырочной
проводимостью. Проводимость при этих условиях называют собственной
проводимостью полупроводников. Собственная проводимость полупроводников обычно
невелика, так как мало число свободных электронов, например, в германии при
комнатной температуре ne=3*10*²³ см³. В то же время число
атомов германия в 1 см кубическом порядка 10*²³. Таким образом,
число свободных электронов составляет примерно одну десятимиллиардную часть от
общего числа атомов.
Существенная особенность полупроводников состоит в том, что в них при наличии
примесей наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная Ч
примесная проводимость. Изменяя концентрацию примеси, можно значительно
изменять число носителей заряда того или иного знака. Благодаря этому можно
создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо
отрицательно, либо положительно заряженных носителей. Эта особенность
полупроводников открывает широкие возможности для практического применения.
Донорные примеси.
Оказывается, что при наличии примесей, например атомов мышьяка, даже при
очень малой их концентрации, число свободных электронов возрастает во много
раз. Происходит это по следующей причине. Атомы мышьяка имеют пять валентных
электронов, четыре из них участвуют в создании ковалентной связи данного
атома с окружающими, например с атомами кремния. Пятый валентный электрон
оказывается слабо связан с атомом. Он легко покидает атом мышьяка и
становится свободным. Концентрация свободных электронов значительно
возрастает, и становится в тысячу раз больше концентрации свободных
электронов в чистом полупроводнике. Примеси, легко отдающие электроны
называют донорными, и такие полупроводники являются полупроводниками n-типа.
В полупроводнике n-типа электроны являются основными носителями заряда, а
дырки Ч не основными.
Акцепторные примеси.
Если в качестве примеси использовать индий, атомы которого трехвалентны, то
характер проводимости полупроводника меняется. Теперь для образования
нормальных парно-электронных связей с соседями атому индия не достает
электрона. В результате образуется дырка. Число дырок в кристалле равно числу
атомов примеси. Такого рода примеси называют акцепторными (принимающими).
При наличии электрического поля дырки перемешаются по полю и возникает
дырочная проводимость. Полупроводники с преобладанием дырочкой проводимости
над электронной называют полупроводниками р-типа (от слова positiv Ч
положительный).
Электронно-дырочный переход
Область на границе двух полупроводников с различными типами
электропроводности называется электронно-дырочным или р-n переходом.
Электронно-дырочный переход обладает свойством несимметричной проводимости,
т.е. представляет собой нелинейное сопротивление. Работа почти всех
полупроводниковых приборов, применимых в радиоэлектронике, основана на
использовании свойств одного или нескольких p-n переходов.
Пусть внешнее напряжение отсутствует (рис.1). Так как носители заряда в
каждом полупроводнике совершают беспорядочное тепловое движение, т.е. имеют
некоторые тепловые скорости, то и происходит их диффузия (проникновение) из
одного полупроводника в другой. Как и в любом другом случае диффузии, на
пример наблюдающейся в газах и жидкостях, носители перемещаются оттуда, где
их концентрация велика, туда, где их концентрация мала. Таким образом, из
полупроводника n-типа в полупроводник p-типа диффундируют электроны, а в
обратном направлении из полупроводника p-типа в полупроводник n-типа
диффундируют дырки. Это диффузионное перемещение носителей показано на
рисунке 1 сплошными стрелками. В результате диффузии носителей по обе стороны
границы раздела двух проводников с различным типом электропроводности
создаются объемные заряды различных знаков. В области n возникает
положительный объемный заряд. Он образован положительно заряженными атомами
донорной примеси и прошедшими в эту область дырками. Подобно этому в области
p возникает отрицательный объемный заряд, образованный отрицательно
заряженными атомами акцепторной примеси и пришедшими сюда электронами.

Между образовавшимися объемными зарядами возникают так называемая контактная
разность потенциалов и электрическое поле. Направление вектора напряженности
этого поля Е показано на рисунке 1.Перемещение неосновных носителей зарядов
под действие поля, называемое дрейфом носителей. Каждую секунду через границу
в противоположных направления диффундирует определенное количество электронов
и дырок, а под действием поля такое же их количество дрейфует в обратном
направлении.
Перемещение носителей за счет диффузии называют диффузным током, а движение
носителей под действием поля представляет собой ток проводимости. В
установившемся режиме, т.е. при динамическом равновесии перехода, эти токи
противоположны по направлению. Поэтому полный ток через переход равен нулю,
что и должно быть при отсутствии внешнего напряжения.
Полупроводниковый диод, принцип действия и типы.
Электронно-дырочный переход представляет собой полупроводниковый диод. В p-n
переходе носители заряда образуется при введении в кристалл акцепторной или
донорной примеси. Полупроводниковые диоды изготовляют из германия, кремния.
селена и других веществ.
На рисунке 3 показано прямое (б) и обратное (в) подсоеденение диода.
Вольта-мперная характеристика при прямом и обратном соединении показана на
рисунке 3.

Нелинейные свойства диода видны при рассмотрении его вольтамперной
характеристики. Прямой ток в десятки миллиампер получается при прямом
напряжении порядка десятых долей вольта. Поэтому прямое сопротивление имеет
величину не выше десятков Ом. Для более мощных диодов прямой ток составляет
сотни миллиампер и больше при таком же малом напряжении, а R соответственно
снижается до единиц Ом и меньше. Обратный ток при обратном напряжении до
сотен вольт у диодов небольшой мощности составляет лишь единицы или десятки
микроампер. Это соответствует обратному сопротивлению до сотен кОм и больше.
Полупроводниковые диоды подразделяются по многим признакам. Прежде всего
следует различать точечные, плоскостные и поликристаллические диоды. У
точечных диодов линейные размеры, определяющие площадь p-n перехода, такого
же порядка как толщина перехода, или меньше ее. У плоскостных диодов эти
размеры значительно больше толщины перехода.

Точечные диоды имеют малую емкость p-n перехода и поэтому применяются на
любых частотах вплоть до СВЧ. Но они могут пропускать токи не более единиц
или нескольких десятков миллиампер. Плоскостные диоды в зависимости от
площади перехода обладают емкостью в десятки пикофарад и более. Поэтому их
применяют на частотах не более десятков килогерц. Допустимый ток в
плоскостных диодах бывает от десятков миллиампер до сотен ампер и больше.
Основой точечных и плоскостных диодов являются пластинки полупроводника,
вырезанные из монокристалла, имеющего во всем своем объеме правильное
кристаллическое строение. В качестве полупроводниковых веществ для точечных и
плоскостных диодов применяют чаще всего германий и кремний, а в последнее
время также и арсенид галлия и карбид кремния.
Поликристаллические диоды имеют p-n переход, образованный полупроводниковыми
слоями, состоящими из большого количества кристаллов малого размера, различно
ориентированных друг относительно друга и поэтому не представляющих собой
единого монокристалла. Эти диоды бывают селеновыми, меднозакисные
(купроксные) и титановые.

Принцип устройства точечного диода показан на рисунке 3(а). В нем тонкая
заостренная проволочка (игла) с нанесенной на нее примесью приваривается при
помощи импульса тока к пластинке полупроводника с определенным типом
электропроводности. При этом из иглы в основной полупроводник диффундируют
примеси которые создают в нем область с другим типом проводимости. Это
процесс наз. формовкой диода. Таким образом, около иглы получается мини p-n
переход полусферической формы. Следовательно, принципиальной разницы между
точечными и плоскостными диодами нет. В последнее время появились еще так
называемые микро плоскостные или микросплавные диоды, которые имеют несколько
больший по плоскости p-n переход, чем точечные диоды(б).

Плоскостные диоды изготавливаются, главным образом, методами сплавления
диффузии. Для примера на рисунке 4.а) показан принцип устройства сплавного
германиевого диода. В пластинку германия n-типа вплавляют при температуре
около 500 градусов каплю индия, которая сплавляясь с германием, образует слой
германия p-типа.
Область с электропроводностью p-типа имеет более высокую концентрацию
примеси, нежели основная пластинка сравнительно высокоомного германия, и
поэтому является эмитером. К основной пластинке германия и к индию
припаиваются выводные проволочки, обычно из никеля. Если за исходный материал
взят высокоомный германий p-типа, то в него вплавляют сурьму и тогда
получается эмитерная область n-типа.
Следует отметить, что сплавным методом получают так называемые резкие или
ступенчатые p-n переходы, в которых толщина области изменения концентраци
примесей значительно меньше толщины области объёмных зарядов, существующих в
переходе.
Типы диодов.
По назначению полупроводниковые диоды подразделяются на выпрямительные диоды
малой, средней и большой мощности, импульсные диоды и полупроводниковые
стабилитроны.
Выпрямительные диоды малой мощности. К ним относятся диоды,
поставляемые промышленностью на прямой ток до 300мА. Справочным параметром
выпрямительных диодов малой мощности является допустимый выпрямительный ток
(допустимой среднее значение прямого тока), который определяет в заданном
диапазоне температур допустимое среднее за период значение длительно
протекающих через диод импульсов прямого тока синусоидальной формы при паузах в
180 (полупериод) и частоте 50 Гц. Максимальное обратное напряжения этих диодов
лежит в диапазоне от десятков до 1200В.
Выпрямительные диоды средней мощности. К этому типу относятся
диоды, допустимое среднее значение прямого тока которых лежит в пределах
300мА-10мА. Большой прямой ток этих по сравнению с маломощными диодами
достигается увеличением размеров кристалла, в частности рабочей площади p-n
перехода. Диоды средней мощности выпускаются преимущественно кремниевыми. В
связи с этим обратный ток этих диодов при сравнительно большой плоскости p-n
перехода достаточно мал(несколько десятков микроампер). Теплота, выделяемая в
кристалле от протекания прямого и обратного токов в диодах средней мощности,
уже не может быть рассеяна корпусом прибора.
Мощные (силовые) диоды. К данному типа относятся диоды на токи от
10А и выше. Промышленность выпускает силовые диоды на токи 10,16,25,40 и т.д. и
обратные напряжения до3500 В. Силовые диоды имеют градацию по частоте
охватывают частотный диапазон до десятков килогерц. Мощные диоды изготовляют
преимущественно из кремния. Кремниевая пластинка с p-n переходом, создаваемым
диффузным методом, для таких диодов представляет собой диск диаметром 10-100мм
и толщиной 0,3-0,6 мм.
Транзистор, принцип действия, схема включения.
Транзистор, или полупроводниковый триод, являясь управляемым элементом, нашел
широкое применение в схемах усиления, а также в импульсных схемах. Отсутствие
накала, малые габариты и стоимость, высокая надежность- таковы преимущества,
благодаря которым транзистор вытеснил из большинства областей техники
электронный лампы.
Биполярный транзистор представляет собой трехслойную полупроводниковую
структуру с чередующимися типом электропроводности слоев и содержит два p-n
перехода. В зависимости от чередования слоев существуют транзисторы типов p-
n-p и n-p-n (рисунок ниже). Их условное обозначение на электронных схемах
показано на том же рисунки. В качестве исходного материала для получения
трехслойной структуры используют германий и кремний.

Трехслойная транзисторная структура создается по сплавной или диффузионной
технологии, по которой выполняется и двухслойная структура проводниковых
диодов. Трехслойная транзисторная структура типа p-n-p, выполненная по сплавной
технологии Пластина полупроводника n-типа является основанием, базой
конструкции. Два наружных p-слоя создаются в результате диффузии в них
акцепторной примеси при сплавлении с соответствующим материалом. Один из слоев
называется эмитерным, а другой- коллекторным . Так же называются и
p-n-переходы создаваемые этими слоями со слоем базы, а также внешние выводы от
этих слоев.
Принцип действия транзистора заключается в том, что 2 р-п перехода
расположены настолько близко друг к другу, что происходит взаимное их
влияние, вследствие чего они усиливают электрические сигналы.

Как показано на рис., это три области Ц п-, р- и п. (В принципе может быть и
наоборот: р-, п-, р-; все рассуждения относительно такого транзистора будут
одинаковы, различие только в полярностях напряжений, такой транзистор
называется р-п-р, а мы для простоты будем рассматривать п-р-п, изображённый
на рис.)
Итак, на рис. изображены три слоя: с электронной электропроводностью, причём
сильной, что обозначает плюс - эмиттер, дырочной - база, и снова электронной,
но более слабо легированной (концентрация электронов самая малая) Ц коллектор.
Толщина базы, т.е. расстояние между двумя р-п переходами, равное L_б
, очень мала. Она должна быть меньше диффузионной длины электронов в базе.
Это от единиц до десятка мкм. Толщина базы должна быть не более единиц мкм.
(Толщина человеческого волоса 20-50 мкм. Отметим также, что это близко к
пределу разрешения человеческого глаза, так как мы не можем видеть ничего
меньшего, чем длина волны света, т.е. примерно 0,5 мкм). Все остальные размеры
транзистора не более примерно 1 мм.
К слоям прикладывают внешнее напряжение так, что эмиттерный р-п переход
смещён в прямом направлении, и через него протекает большой ток, а
коллекторный р-п переход смещён в противоположную сторону, так что через него
не должен протекать ток. Однако вследствие того, что р-п переходы расположены
близко, они влияют друг на друга, и картина меняется: ток электронов,
прошедший из эмиттерного р-п перехода, протекает дальше, доходит до
коллекторного р-п перехода и электрическим полем последнего электроны
втягиваются в коллектор. В результате у хороших транзисторов практически весь
ток коллектора равен току эмиттера. Потери тока очень незначительны: проценты
и даже доли процента.

Рассмотрим более внимательно составляющие токов в биполярном транзисторе п-р-
п типа. Это изображено на рис.:
Верхний ток (большая толстая стрелка с минусом) Ц это ток электронов из
эмиттера в коллектор. В эмиттере электронов много, поэтому этот ток большой.
Когда электроны входят в базу, то дальше они движутся за счёт диффузии
(электрического поля в базе нет) Ц слева электронов много, а справа Ц мало.
Значит, они движутся слева направо. А в конце базы они попадают в область
электрического поля коллекторного р-п перехода, которое вытягивает электроны
из базы в коллектор. Так как это поле велико, концентрация электронов в базе
непосредственно у коллекторного р-п перехода практически равна нулю. Поэтому
градиент концентрации электронов в базе очень велик Ц слева их очень много,
справа Ц почти нуль, а длина базы очень мала:

где n₀ - концентрация электронов в базе слева (у эммитера), очень велика.
Поэтому диффузионный ток очень велик. А дрейфого тока нет.
На самом деле он есть, но очень маленький. Действительно, напряжение к базе
прикладывается, но сбоку, и маленькое (не больше одного вольта). А
напряжённость электрического поля рассчитывается как отношение напряжения к
расстоянию, на котором это напряжение прикладывается. В нашем случае расстояние
Ц это толщина транзистора в направлении, перпендикулярном направлению
диффузионного тока, и эта толщина в 10...1000 раз больше L_б.
Поэтому дрейфовый ток существенно меньше диффузионного, второй маленький
электронный ток на рис., который показан тоненькой линией, сворачивающей к
базовому контакту.
Второй маленький ток электронов Ц это те электроны, которые встретились в
базе с дырками и рекомбинировали. Дырки, необходимые для этого, могут притечь
только из базового контакта, так как в коллекторе и в эмиттере их нет. Этот
ток вначале обозначен минусом, а далее он встречается с дырочным током,
который обозначен плюсом, и выходит из базового контакта (второй маленький
точёк).
Третий маленький ток Ц это диффузионный ток дырок из базы в эмиттер. Он
гораздо меньше диффузионного тока электронов (из эмиттера в базу), потому что
электронов в эмиттере гораздо больше, чем дырок в базе (напомним, что эмиттер
Ц наиболее сильно легированная область п-р-п транзистора). Это обозначено
тоненьким дырочным током, который также может начаться только на базовом
контакте, а заканчивается на эмиттерном контакте.
Итак, есть три маленьких тока, которые неизбежно должны проходить из базы в
эмиттер: это дрейфовый ток электронов (мал по сравнению с диффузионным), ток
рекомбинации (мал, потому что мала толщина базы) и дырочный ток диффузии
(мал, потому что мала концентрация дырок в базе по сравнению с концентрацией
электронов в эмиттере). И есть большой диффузионный ток электронов из
эмиттера в базу, который идёт к коллекторному р-п переходу, и его
электрическим полем протягивается в коллектор. Отношение коллекторного тока к
базовому Ц это главный коэффициент, который показывает усилительные
возможности транзистора:

Так как I _к>>I_б , эта величина большая,
т.е. транзистор усиливает ток. Обычно b составляет 10 Ц 300, в редких случаях
(у очень широкополосных транзисторов) b может быть меньше (порядка 2...5), или
больше, 5 000...10 000 у супербетатранзисторов.

Итак, у транзистора ток базы очень мал, поэтому ток эмиттера практически весь
преобразуется в ток коллектора, и только небольшая часть его преобразуется в
ток базы:
b связано с a = I_к/I_э формулой:

И наоборот:
Конечно, a очень близко к единице, но a <1.
Итак, понятно, откуда берётся усиление в транзисторе по току: если к базе
прикладывать маленький ток, то в эмиттере и коллекторе будут протекать токи,
в b и b+1 раз большие.
Но в электронике гораздо чаще используются усилители по напряжению. Как это
получается?
Обычно управляют транзистором, прикладывая ток или напряжение к эмиттерному
р-п переходу, смещённому в прямом направлении. При этом падение напряжения на
нём не очень велико Ц порядка контактной разности потенциалов 0,6...0,7 В. А
значит, переменная часть напряжения вообще лежит в пределах 0,1 В.
Выходной ток, которым является ток коллектора, вообще не зависит от напряжения
на коллекторе, если только оно нулевое или обратное (чтобы в коллекторном р-п
переходе было тянущее поле). Поэтому если подключить коллектор к источнику
напряжения через сопротивление, то ток I_к, протекающий через
это сопротивление и зависящий только от напряжения на входе, будет выделять
напряжение на этом сопротивлении, тем большее, чем больше сопротивление.
Ясно, что максимальное выходное напряжение равно напряжению источника E_п, которое может быть 5...15 В, или даже больше. Пусть E_п
=10 В, тогда
В транзисторах типа n-p-n функции всех трех слоев и их названия аналогичны,
изменяется лишь тип носителей заряда, проходящий через базу: в приборах типа
p-n-p Цэто дырки , в приборах типа n-p-n Цэто электроны
Полупроводниковая структура транзистора типов p-n-p и n-p-n Существуют три
способа включения транзистора: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ), и
общим коллектором (ОК). Различие в способах включения зависит от того, какой
из выводов транзистора является общим для входной и выходной цепей. В схеме
ОБ общей точкой входной и выходной цепей является база, в схеме ОЭ- эмиттер,
в схеме ОК Ц коллектор.
В силу того, что статические характеристики транзистора в схемах ОЭ или ОК
примерно одинаковы, рассматриваются характеристики только для двух способов
включения : ОБ или ОЭ.

Схемы включения транзисторов
а.) с общим эмиттером; б) с общей базой; в) с общим
коллектором. ИС Ч источник сигнала, подаваемого на вход транзистора, Uвх,
Uвых Ч входное и выходное напряжения сигнала, Uбэ, Uбк, Uкэ Ч напряжения между
базой и эмиттером, базой коллектором, коллектором и эмиттером, iб,iэ,iк- токи
базы, эмиттера и коллектора, E1, Е2 Ч источники питания, С1, С2, Ч
конденсаторы большой емкости, сопротивление которых для переменного сигнала
является малым и через которые коллектор по переменному току замкнут, являясь в
схеме общим.
Список литературы:
1. Виноградов Ю.В. УОсновы электронной и полупроводниковой техникиФ.
2. Ю.С. Забродин УПромышленная электроникаФ
3. И.М. Викулин УФизика полупроводниковых приборовФ
Конец формы

Blog

Реферат: Общие сведения о полупроводниковых приборах