С. М. Полозов Московский инженерно-физический институт (государственный университет)

Вид материала

Документы

Подобный материал:

• Ю. С. Барсуков 1, А. Ю. Окунев 2 1 Московский инженерно-физический институт (государственный, 29.25kb.
• В. А. Курнаев Московский инженерно-физический институт (государственный университет),, 27.18kb.
• «Вегето-сосудистая дистония», 192.12kb.
• Перечен ь научных разделов и базовых вузов по научным разделам открытого конкурса, 247.02kb.
• Д. В. Гуцко Московский инженерно-физический институт (государственный университет), 34.47kb.
• В. А. Тумольский московский инженерно-физический институт (государственный университет), 27.44kb.
• Вдокладе рассматривается задача оценки рисков инвестиционных проектов электростанций, 29.4kb.
• К. С. Чистов Московский инженерно-физический институт (государственный университет), 24.11kb.
• Резюме Луценко Владимир Юрьевич, 22.32kb.
• Л. Ю. Грецкая московский инженерно-физический институт (государственный университет), 26.28kb.

С.М. Полозов

Московский инженерно-физический институт (государственный университет)


МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛЕЙ

В ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОМ ОНДУЛЯТОРЕ*


Как было показано, электростатический ондулятор (рис.1) может быть эффективно использован для транспортировки сильноточного пучка тяжелых ионов (см. в этом сборнике работу Э.С. Масунов, С.М. Полозов, Численное моделирование динамики пучка тяжелых ионов в электростатическом ондуляторе). Было показано, что пучок ионов с отношением заряда к массе Z/A=1/10–1/60 амплитуда электростатического поля на оси ондулятора Е₀ должна составлять 5 – 30 кВ/см, а период ондулятора D=1.5-2.0 см. Важной задачей является моделирование электростатического поля в ондуляторе и выбор величины потенциала, при которой могут быть получены указанные выше параметры.



Рис. 1. Аксиально-симметричный электростатический ондулятор


Для моделирования поля электростатического ондулятора была использована широко известная программа GST EM-Studio. На рисунке 2 показаны потенциалы электродов ондулятора (а), распределение электростатического потенциала (b) и продольной компоненты поля E_z (с) внутри канала ондулятора. Рисунок построен при D=2 см, разности потенциалов между электродами ондулятора V=20 kV и радиусе апертуры r_a=5 мм. При таких параметрах амплитуда электростатического поля на оси ондулятора составляет Е₀=6.5 кВ/см. Величина напряженности поля Е₀=12-14 кВ/см, необходимая для транспортировки некоторых ионов, может быть получена при V=40 кВ.

*Работа выполнена при поддержке РФФИ (Грант № 04-02-16667) и CRDF (MO-011-02 Y2-P-11-20).




Рис. 2. Результаты моделирования электростатического поля в ондуляторе.