Оптоволоконные линии связи
Доклад - Компьютеры, программирование
Другие доклады по предмету Компьютеры, программирование
/p>
структуры, показанной на рис.2.6. Их структура состоит из четверного слоя InGaAsP толщиной 1мкм и верхнего слоя InP толщиной 1мкм, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии из газовых источников. Для удаления полимера с боковых сторон гребня и получения вертикальных боковых стенок волновод толщиной 2,5 мкм глубоко стравливался ниже несущего слоя (примерно на 0,6 мкм) путем многоступенчатого реактивного ионного травления. Параметры структуры были рассчитаны для получения одинаковых постоянных распространения ТЕ- и ТМ-поляризаций. Преимущество структуры с глубоким травлением состоит в том, что двулучепреломление не зависит от глубины травления, а определяется только толщиной волноводного слоя и шириной волновода. Другим ее преимуществом является очень высокая степень ограничения света, что дает возможность использовать изгибы с малым радиусом кривизны (R ~70 мкм) без значительного увеличения потерь. Это позволяет создавать мультиплексоры чрезвычайно малых размеров.
Характеристики двух поляризационно независимых фазаров с 4 и 16 каналами в области длин волн 1,55 мкм и размерами 0,5х0,5 и 1,0х0,9 мм2 соответственно имеют следующие значения: интервал между соседними каналами -3,2 и 2,03 нм, перекрестные помехи - 28 и 20 дБ, вносимые потери - 11 и 13 дБ. Данные результаты свидетельствуют о пригодности этих мультиплексоров к монолитной интеграции с активными устройствами: полупроводниковыми лазерами, усилителями, детекторами и т. п.
- Интеграция оптических устройств.
Перспективы использования ВСМ/Д на оконечных станциях ВОЛС непосредственно связаны с возможностями их интеграции с источниками излучения, приемниками, усилителями и др.
Интегральные источники излучения. На передающих станциях излучение от матрицы лазеров, работающих на длинах волн l1, ... ln. должно быть объединено в один канал для ввода в волоконный световод оптической линии связи. Это может быть осуществлено путем использования матрицы из Y-соединителей. путем соединения излучения лазеров с помощью ВСМ. объединения усилителей и ВСМ в единый интегральный блок с одним выходным каналом, а также другими способами.
Объединители на основе InP были интегрированы с решеткой из четырех лазеров с распределенной обратной связью (РОС) с длинами волн излучения в области 1,55 мкм и спектральным интервалом между отдельными излучателями 2 нм, выполненными на единой подложке. При этом вносимые потери составляли значительную величину. В дальнейшем потери были несколько уменьшены. На рис.2.7 приведена интегральная схема модуля из четырех РОС лазеров, состыкованных с мощностным полимерным (1х4) объединителем, так же выполненным на подложке из InР. Поперечное сечение заращенной полимерной структуры показано на рис.2.8.
Рис.2.8
Изготовление модуля проводилось в два этапа. На первом методом молекулярной эпитаксии и травления реактивным ионным пучком была изготовлена лазерная структура с заращенными гребневыми волноводами. Переход от активной области к пассивной достигался с помощью вертикального травления, вплоть до подложки с использованием СН4/Н2/Аr. На втором этапе на основе волновода из полисульфона в качестве волноводного слоя и ПММА в качестве обрамляющих слоев был создан пассивный объединитель. Сначала на подложку из InP с помощью центрифуги наносились полимерные слои, а затем путем фотолитографии и реактивного ионного травления формировались полосковые волноводы объединителя.
Аналогичные модули были реализованы с использованием матрицы из лазеров с распределенными брэгговскими отражателями (РБО) (рис.2.9).
Рис.2.9
В отличие от РОС лазеров, работающих на фиксированной длине волны, определяемой периодом брэгговской структуры, РБО лазеры позволяют более гибко подстраивать длину волны путем изменения тока в пассивной секции брэгговского отражателя. Так, изменение тока от 0 до 30 мА приводило к изменению длины волны лазера на 4,5 нм. Четыре РБО лазера работали в области длин волн 1,55 мкм со спектральным интервалом между ними 4 нм. Длина активной секции лазеров составляла примерно 900 мкм, а секция брэгговского отражателя -500 мкм. Изменение тока на брэгговском отражателе позволяло производить подстройку длины волны генерации с точностью лучшей, чем 0,2 нм. Устройство было реализовано в три стадии роста с помощью мсталлорганичсской эпитаксии из газовой фазы (MOVPE). Вначале изготавливался активный слой из четырех InGaAsP напряженных потенциальных ям с оптическим ограничением. Активные лазерные области подвергались сухому травлению, а пассивный слой с шириной запрещенной зоны 1.3 мкм был получен в процессе селективного эпитаксиального роста при использовании маски из нитрида кремния. В результате была реализована структура, состоящая из активных и пассивных областей, соединенных в торец. Для точного подбора толщины решетки на верхней части пассивного слоя выращивалась структура, состоящая из четырехкомпонентного тонкого слоя, помещенного между слоями InP. Затем с помощью одномерной голографической литографии изготавливались четыре решетки с разными периодами. Период первой решетки составлял 240 нм, периоды других отличались на 0,625 нм и обеспечивали таким образом спектральный интервал между длинами волн излучения лазеров, равный 4 нм. Гребенчатые волноводы Y-разветвителей объединителя и лазерные волноводы были изготовлены за один процесс литографии. Мощность каждого лазера составляла 0,2 мВт, размеры готового устройства были равны 3х1 мм2.
Для построения оптических сет