Новые технологии в организации PC
Курсовой проект - Компьютеры, программирование
Другие курсовые по предмету Компьютеры, программирование
µжимов не требуется.
Карты Low Power могут потреблять 25-50W, поэтому для обеспечения охлаждения спецификация требует наличия одного свободного слота PCI.
При этом все retail-карты AGP Pro должны иметь специальную накладку шириной соответственно в 3 или 2 слота, при этом карта приобретает вид достаточно устрашающий.
При этом в разъем AGP Pro можно устанавливать и карты AGP.
3. Registered DIMM SDRAM
Я думаю, что все знают, что модули оперативной памяти обычного компьютера вставлена в разьёмы SIMM или DIMM. Есть также ещё пока мало распространённые RIMM, ну а про RDIMM совсем мало, что слышно.
Для начала надо сказать, что разработчиком памяти стандарта RDIMM являются IBM и Intel. Модули памяти для RDIMM SDRAM поддерживаются чипсетом BX, соответсвуют спецификации PC-100 и являются усовершенствованными, а точнее Регистровыми (Registered) DIMM SDRAM . Основное отличие RDIMM от обычных DIMM SDRAM заключается в пропускной способности (bandwith): 800 и 1600 Мбайт/сек (последняя цифра особенно нравится, так как первой уже наступают на пятки мощные 3D-приложения) и называются соответсвенно SDR (Single Data Rate) и DDR (Dual Data Rate) RDIMM SDRAM. Не путать DDR SDRAM с DR DRAM (отличается работой на чаcтототе до 800 MHz, выйдет во 2 квартале и будет дороже за счёт обязательного лицензирования).
Итак, IBM анонсировала модули такой памяти обьёмом 256 Мбайт, сделанной по технологии 0.20 мкм и имеющие плотность чипов в 4 раза больше, чем у обычных, что сделало возможным создание буферизированного 256 Мбайтного модуля памяти. Кстати, по заявлению той же IBM нет никаких преград для увеличения плотности записи в 8 раз выше обычной, а значит, есть теоритическая возможность создания буферизированных 512 Мбайтных модулей.
Теперь рассмотрим архитектуру DDR RDIMM SDRAM на примере 64 Мбайтных модулей. Для осуществления эффективного ввода/вывода данных устанавливаются конденсаторы (рядом с каждым чипом). Эти конденсаторы сделаны из новейших диэллектрических материалов. Сама IBM уже применяет модули RDIMM 64-256 Мбайт, а также небуферизированные модули обьемом 512 Мбайт в своих Hi-End системах серии Netfiniti.
SDR RDIMMDDR RDIMMВремя прерывания (циклов) (Burst length )2, 4, 82, 4, 8Тип прерывания (Burst type)Последовательное чередование (sequential interleave)последовательное чередование (sequential interleave)Число тактов для работы с памятью (CAS latency)2, 3, 42, 2.5, 3Режим работыНормальный, Режим записи (single write), Режим тестирования (test mode)Нормальный, Режим сброса операций DLL, Режим тестирования (test mode), Режим расширенного регистрирования (Extended register mode set), Включение/выключение операций DLLИз таблицы мы видим, что SDR является упрощенным вариантом DDR RDIMM SDRAM. Особенности DDR заключаются в следующем:
- Работа на частоте 125, 133 и 143 MHz за 2, 2,5 и 3 такта (CAS latency = 3), в зависимости от разновидности модулей
- Однотактовое формирование сигнала RAS (Signal-pulsed RAS interface)
- Встроенный блок DLL (Delay Locked Loop), который синхронизирует вывод информации с частотой ее ввода
- Возможность отключения блока DLL через функцию расширенного режима регистрирования (например для экономии питания)
- Удвоенная скорость обмена данных (DDR)
- Двунаправленный поток данных
- Полная синхронизация
- Программируемый тип и длина прерываний
- Прерывание операций чтения (специальной командой прерывания) и записи. Смена операций осуществляется последовательно
- Четыре банка (Bank) памяти
- Способность работы при пониженном потреблении питания
- Операции чтения и записи выполняются за 4 и 8 циклов (соответственно), операция контроля затрачивает удвоенное количество циклов на соответствующую операцию
- Произвольный доступ к столбцам (в памяти)
- Ждущий режим и режим пониженного питания
- 4096/8192 циклов обновления для 64 и 256 мб модулей
- Автоматические, контролируемые команды дозарядки (Automatic and controlled precharge command). Энергия, подаваемая на модуль памяти может быть неодинаковой.
- Вольтаж: 3,3В
Данный набор характеристик не является окончательным перечнем характеристик DDR SDRAM для RDIMM, а потому может быть модифицирован в будущих стандартных DDR SDRAM, однако благодаря таким нововведения получаем: проускная способность на пин составляет 200 Мбайт (200Мбайт/пин).
4. Новые технологии памяти: DDR SDRAM
Уже давно, еще со времен 486 процессоров, отставание скорости системной шины PC от скорости убыстряющихся CPU все более увеличивалось. Именно тогда Intel впервые отказался от частоты процессоров, синхронной с частотой системной шины, и применил технологию умножения частоты FSB. Этот факт отразился даже в названии - 486DX2. Хотя частота системной шины осталась той же, несмотря на название, производительность процессора выросла почти вдвое.
В дальнейшем разброд в тактовой частоте различных системных компонентов только увеличивался: в то время, как частота системной шины выросла сначала до 66 МГц, а затем и до 100, шина PCI осталась все на тех же давних 33 МГц, для AGP стандартной является 66 МГц и т.д. Шина памяти же до самого последнего времени оставалась синхронной с системной шиной (название обязывает - Synchronous DRAM, SDRAM). - Так появились спецификации PC66, затем PC100, потом, с несколько большими организационными усилиями, PC133 SDRAM.
Однако за то время, за которое частота шины памяти увеличилась на треть и, соответственно, на столько же возросла ее пропускная способность (с 800 Мбайт/с до 1,064 Мбайт/с), частота процессоров увеличилась в два с половиной раза - с 400 МГц до 1 ГГц. Наблюдается некоторый дисбаланс, не так ли? Пропускная способность PC133 SDRAM составляет лишь 1,064 Мбайт/с, тогда как сегодняшним PC требуется по крайней мере: 1 Гбай?/p>