Источник бесперебойного питания мощностью 600 Вт
Дипломная работа - Разное
Другие дипломы по предмету Разное
/p>
1.6.4 Вибір активних елементів
Вибираємо транзистори фірми STMicroelectronics табл.1.6.10.
Технічні параметри транзисторів. Таблиця 1.6.10
ПараметриК1531GT15Q101BC556IRFP150IRFD1232N2907К792Напруга колектор-база
(втік-затвор)500B1200В80В100В80В-60В900ВНапруга колектор-емітер (втік-витік)500B1200В65В100В80В-40В900ВНапруга
база-емітер
(затвор-витік)30B20В5В20B20B-5В20BСтрум колектора
(втока)15A15А100мА43A1.1А-600мА3AІмпульсний струм колектора
(втока)60A30А200мА170A4.4А-1.2А5AСтрум бази2мА20мАРозсіювана потужність150Bт150Вт0.5Вт193Вт1.5Вт200мВт100ВтВхідна ємність1480пФ1800пФ10пФ1750пФ450пФ30пФ800пФВихідна ємність400пФ3пФ420пФ200пФ8пФ250пФДопустима температура150C150С150С175С150С150С150С
Вибираємо діоди фірм Fairchild та International Rectifier.
Технічні параметри діодів. Таблиця 1.6.11
ПараметриUзв., ВІмакс., АІзв., мАFмакс., кГцPSOF1073000.30.005401N49376001.52150LL41481000.20.005300LL414P600.50.01300MUR8606001020200MUR318008210RUR301001000301300
Вибираємо мікросхеми фірм Unitrode, National Semiconductor, Intersil, STMicroelectronics.
В якості контролерів живлення оберемо UC3842 фірми Unitrode, SG3525 фірми STMicroelectronics.
В якості мікросхеми стабілізатора напруги оберемо ІМС фірми STMicroelectronics.
Технічні параметри мікросхеми інтегрального стабілізаторів. Таблиця 1.6.13
ТипВхідна напруга,
ВНапруга стабілізації, ВВихідний струм, АТемпература, С78M05ST+30+51.2-55…+125
1.7. Розрахунок друкованої плати.
1.7.1. Розрахунок площі друкованої плати.
Визначаємо стандартні розміри елементів які застосовуються і зводимо дані в таблицю. 1.7.1.
Розміри елементів та їх сумарна площа. Таблиця. 1.7.1.
Назви груп компонентівКіль-
кість N,штДовжина
L,ммШирина
В,ммДіаметр
D,ммПлоща
S=L*В,мм2Площа N елем.
S*N,мм2Діаметр
виводів
d,мм1.2.3.4.5.6.7.8.Резистори
постійні 0.25...0.5Вт1194.71.57.05838.95Резистори
постійні 1...2Вт10125606000.85Резистори змінні33.13.611.1633.48Конденсатори керамічні374.71.57.05260.85Конденсатори електролітичні1416200.9628138203142512Транзистори1725401000170001.0Діоди малої потужності84.71.57.0556.40.6Діоди великої потужності16152030048001.2Стабілітрони54.729.447ІМС SMD614121681008IMC DIP5108804001.0Дроселі6422292455441.2Трансформатори сигнальні3151765301.0Трансформатори живлення27060420084001.2Вставка плавка 4301030012001.2Реле25020100020001.0Розєми6201020012000.85
З таблиці. 1.7.1. отримали сумарну площину SСУМ=49233мм2, тоді визначаємо встановлювану площину всіх елементів на платі, якщо КВСТ=1,2
Визначаємо площину друкованої плати, яка необхідна для установки елементів з врахуванням відстані між елементами і виводами, а також для забезпечення нормальних теплових режимів роботи, по формулі якщо коефіцієнт використання, який враховує все вище сказане рівний
КВИК=0,9, тоді
Визначаємо площу, яка необхідна для розміщення елементів кріплення, що кріплять плату. Приймаємо, що плата кріпиться шістьма гвинтами М3, якщо під один болт відводиться площина SБ=100(мм2).
Визначаємо загальну величину площини плати
Виходячи із отриманої площини плати вибираємо ширину плати
L=300(мм), тоді довжина рівна
Приймаємо рівну В=216(мм).
1.7.2. Розрахунок параметрів металізованих отворів.
Виходячи із діаметрів елементів які ставляться на плату визначимо діаметр металізованого отвору якщо товщина металізованого покриття при металізації гальванічним методом береться
mпок=0,05(мм).
і зазор між виводом і стінкою металізованого покриття береться
К=0,2(мм).
Елементи, які встановлюються мають шість діаметрів виводів:
d1=0,5(мм);
d2=0,6(мм);
d3=0,8(мм);
d4=0,85(мм);
d5=1(мм);
d6=1,2(мм);
тоді
Визначаємо параметри контактних площадок навколо металізованого отвору якщо контактні площадки виконуються в вигляді контактного кільця з обох сторін плати. Якщо необхідна радіальна величина рівна В=0,55, а технологічний коефіцієнт на похибку С=0,1, тоді:
Виходячи з отриманих розмірів металізованих отворів і діаметрів виводів елементів, вибираємо технологічно обумовлені розміри металізованих отворів і отримані дані записуємо в таблицю 2.
Розміри діаметрів отворів і контактних площадок. Таблиця 1.7.2.
N п/пДіаметр виводу
елемента, ммРозраховані даніСтандартні Діаметр отвору, ммДіаметр площадки, ммДіаметр отвору, ммДіаметр площадки, мм10,512,212,220,61,12,312,230,81,32,51,22,540,851,352,551,22,5511,52,71,52,861,21,72,91,83
1.7.3. Розрахунок ширини друкованих провідників.
Ширина друкованих провідників визначається по максимальному струму для різних кіл схеми, якщо допустима густина струму JДОП=30(А/мм2), максимальний струм ІМ=8(А), а товщина металізованого покриття mПОК=0,05(мм), тоді ширина буде рівна
А відстань між провідниками по різниці потенціалів з врахуванням електричних характеристик вибраного метода виготовлення. В нашій схемі в основному максимально можлива напруга не перевищує 450(В), відстань між друкованими провідниками рівна 1,8(мм).
1.8. Тепловий розрахунок.
Розрахуємо тепловий режим транзистора в імпульсному стабілізаторі напруги.
Повна потужність, що виділяється в транзисторі під час його роботи при перемиканні визначається за формулою:
Р=Рпер+Рвід+Ркер+Рв