Источник бесперебойного питания
Дипломная работа - История
Другие дипломы по предмету История
?противление изоляции при 25 С> 105 МОм> 105 МОмпри 125 С-> 104 МОмПостоянная времени
при 25 С> 1000 с> 1000 спри 125 С> 100 с> 100 с
Типоразмер SMD конденсаторов. Таблица 1.6.6
Размер
мм0402
100506032
16080805
20121206
32161210
3225l1.50.11.60.152.0.023.20.23.20.3b0.50.050.80.11.250.151.60.152.50.3s0.50.050.80.11.35max1.3max1.7maxk0.1-0.40.1-0.40.13-0.750.25-0.750.25-0.75
Исходя из таб.1.6.6., в качестве SMD конденсаторов выбираем конденсаторы с диэлектриком 1-го класса, типоразмером корпуса 1206 (рис.1.6.4.).
А = 1.5 мм.
В = 1.2 мм.
С = 4.7 мм.
Рекомендованное расположение
при пайке SMD конденсаторов типорозмера 1206.
Выбираем электролитические конденсаторы фирмы Hitano, для обычного монтажа серии ECR.
Серия ECR:
диапазон напряжений6.3…100В160…460Вдиапазон емкостей0.47…10000мкФ0.47…220мкФтемпературный диапазон-40…+85С-25…+85Сток потерь<0.01CU<0.03CUразброс емкостей20% при 20С, 120Гц
Диэлектрические потери (tg), не больше
U,B1625355063100200350400tg(D4-6.3)0.160.140.120.10.10.080.180.20.2
Стабильность при низких температурах (отношение импедансов на частоте 120Гц).
U,B1625355063100200350400Z(-25C)/ Z(+20C)222222222Z(-40C)/ Z(+20C)443333
Типоразмеры электролитических конденсаторов. Таблица 1.6.8
мкФ/B162535506310020035040015115115115116116112.25115115116116118124.751151151181281210131051151151151151161110161013101322511511511511611611102110131016335115115116116118121321102110214751151151161161110131321132113261005116116118121013102116261632163222061181281410131016132618361841330812814101310171020132647081281410161321132616261000101610211321132616251841220013211321162616361836330013261626163218362241470016261632183622412541
Рис.1.6.5. Габаритные размеры электролитических конденсаторов.
D568101316182225P2.02.53.55.05/07.57.51012.5d0.50.50.50.60.60.80.81.01.0
1.6.3 Выбор индуктивности и трансформаторов
Выбираем изделия фирмы Epcos.
В качестве дросселей, для фильтров по питанию, из таблицы выберем дроссели типа DB36-10-47, DST4-10-22, FMER-K26-09.
Катушки индуктивности. Технические параметры. Таблица 1.6.9
Типиндуктивность
мкГнQТест. частота
Гцсопротивление
ОмТок тип.
АТок нас.
АLQDB36-10-4715020100К2.520М0.0212.8014.20DST4-10-224720100К2.520М0.0112.2015.50FMER-K26-096020100К2.520М0.128.210.4Выбираем тип трансформаторов TS40-15-2, KERBIP-2-K20, TS300-12-K28, TS12-300-K32 диапазон рабочих температур -40…+45оС.
1.6.4 Выбор активных элементов
Выбираем транзисторы фирмы STMicroelectronics табл.1.6.10.
Технические параметры транзисторов. Таблица 1.6.10
ПараметрыК1531GT15Q101BC556IRFP150IRFD1232N2907К792Напряжение коллектор-база500B1200В80В100В80В-60В900В(сток-затвор)500B1200В65В100В80В-40В900ВНапряжение коллектор-эмиттер (сток-исток)30B20В5В20B20B-5В20BНапряжение 15A15А100мА43A1.1А-600мА3Aбаза-эмиттер60A30А200мА170A4.4А-1.2А5A(затвор-исток)2мА20мАТок коллектора 150Bт150Вт0.5Вт193Вт1.5Вт200мВт100Вт(сток)1480пФ1800пФ10пФ1750пФ450пФ30пФ800пФИмпульсный ток коллектора400пФ3пФ420пФ200пФ8пФ250пФ(сток)150C150С150С175С150С150С150 С
Выбираем диоды фирм Fairchild и International Rectifier.
Технические параметры диодов. Таблица 1.6.11
ПараметрыU обр. ВІ макс., АІ обр, мАF макс., кГцPSOF1073000.30.005401N49376001.52150LL41481000.20.005300LL414P600.50.01300MUR8606001020200MUR318008210RUR301001000301300
Выбираем микросхемы фирм Unitrode, National Semiconductor, Intersil, STMicroelectronics.
В качестве контролеров питания выбираем UC3842 фирмы Unitrode, SG3525 фирмы STMicroelectronics.
В качестве микросхемы стабилизатора напряжения выбираем ИМС фирмы STMicroelectronics.
Технические параметры микросхемы
интегрального стабилизатора. Таблица 1.6.13
ТипВходное напряжение, ВНапряжение стабилизации, ВВыходной ток, АТемпература, С78M05ST+30+51.2-55…+125
1.7. Расчет печатной платы.
1.7.1. Расчет площади печатной платы.
Определяем стандартные размеры элементов, которые применяются, и возводим данные в таблицу. 1.7.1.
Размеры элементов и их суммарная позиция. Таблица. 1.7.1.
Название групп компонентовКоличество N, шт.Длинна
L, ммШирина
В, ммДиаметр
D, ммПлощадь
S=L*В, мм2Площадь N элем.
S*N,мм2Диаметр
выводов
d, ммРезисторы
постоянные 0.25...0.5Вт1194.71.57.05838.95Резисторы
постоянные 1...2Вт10125606000.85Резисторы переменные33.13.611.1633.48Конденсаторы керамические374.71.57.05260.85Конденсаторы электролитические1416200.9628138203142512Транзисторы1725401000170001.0Диоды малой мощности84.71.57.0556.40.6Диоды большой мощности16152030048001.2Стабилитроны54.729.447IMC SMD614121681008IMC DIP5108804001.0Дроссели6422292455441.2Трансформаторы сигнальные3151765301.0Трансформаторы питания27060420084001.2Вставка плавкая4301030012001.2Реле25020100020001.0Разъемы6201020012000.85
Из таблицы. 1.7.1. получили суммарную плоскость SСУМ=49233мм2, тогда определяем устанавливаемую площадь всех элементов на плате, если КУСТ=1,2
Определяем плоскость печатной платы, которая необходима для установки элементов с учетом расстояния между элементами и выводами, а также для обеспечения нормальных тепловых режимов работы, по формуле, если коэффициент использования равен: КИСП=0,9, тогда
Определяем площадь, которая необходима для размещения элементов крепления, которые крепят плату. Принимаем, что плата крепится шестью винтами М3, если под один болт отводится плоскость SБ=100(мм2).
Определяем общую площадь платы:
Исходя из полученной площади выбираем ширину платы L=300(мм), тогда длинна:
Принимаем В=216(мм).
1.7.2. Расчет параметров металлизированных отверстий.
Исходя из диаметров элементов, которые устанавливаются на плату, определим диаметр металлизированных отверстий, если толщина металлизированного покрытия при металлизации гальваническим методом:
mпок=0,05(мм).
И зазор между выводом и стенкой металлизированного покрытия берется:
К=0,2(мм).
Элементы, которые устанавливаются, имеют шесть диаметров выводов:
d1=0,5 (мм)
d2=0,6 (мм)
d3=0,8 (мм)
d4=0,85 (мм)
d5=1(мм)
d6=1,2 (мм),
тогда:
<