Исследование влияния частоты переменного электрического поля на яркость люминесценции различных люми...
Дипломная работа - Физика
Другие дипломы по предмету Физика
° так же у некоторых органических люминофоров полевое тушение фотолюминесценции не наблюдалось в условиях данного эксперимента. Это связано, по-видимому, с тем, что электрическое поле с одной стороны не влияет на электронные переходы внутри атомов активатора, а с другой стороны его энергии не достаточно для освобождения электронов с глубоких энергетических уровней электронных ловушек. То же относится и к органическим люминофорам, у которых электрическое поле не действует на внутримолекулярные электронные переходы.
Исходя из этого, дальнейшие исследования были продолжены на образцах люминофоров рекомбинационного типа на основе сульфидов цинка и кадмия.
По полученным значениям яркости были построены графики зависимости яркости фотолюминесценции от частоты (рис. 14) и напряженности поля (рис. 15) при постоянном фотовозбуждении и на этапе послесвечения (рис. 16).
Как видно из графиков (рис. 14, 15), зависимость яркости от частоты более крутая и является кубической, а зависимость яркости от напряженности поля носит квадратичный характер.
Кроме этого, просматривается четкая зависимость между интенсивностью тушения фотолюминесценции и глубиной электронных ловушек (рис. 14, 15).
Так люминофоры, обладающие очень короткой длительностью послесвечения, а следовательно не имеющие сколько-нибудь значительного количества глубоких электронных ловушек, обладают наименьшей интенсивностью полевого тушения фотолюминесценции.
Напротив, образцы фотолюминофоров с длительным послесвечением (до нескольких часов), имеющие значительное количество глубоких электронных ловушек, обладают наибольшей интенсивностью полевого тушения фотолюминесценции.
Помимо переменного поля было рассмотрено действие постоянного электрического поля на фотолюминесценцию цинксульфидного люминофора, активированного медью и обладающего длительным послесвечением, марки ФВ-540 (рис. 17).
Так при подаче постоянного электрического поля на предварительно облученный и находящийся на этапе послесвечения образец, наблюдается вспышка. При повторном включении поля той же напряженности вспышки не наблюдается. Для того, чтобы вновь наблюдать вспышку, необходимо увеличить напряженность поля, после чего картина повторяется. Это явление во многом схоже с явлением термостимулированного высвечивания по своей физической природе, о котором говорилось в п. 1.1.2.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В ходе выполнения данной дипломной работы был синтезирован ряд образцов фотолюминофоров на основе сульфида цинка, имеющих различную кристаллографическую модификацию кристаллической решетки основы.
Разработана схема измерительного комплекса и конструкция электролюминесцентной ячейки, позволяющая наблюдать и регистрировать явления, связанные с одновременным действием на люминофор возбуждающего излучения и электрического поля.
С помощью данной схемы было исследовано влияние переменного электрического поля на люминесценцию синтезированных образцов фотолюминофоров с кубической и гексагональной модификацией кристаллической решетки основы.
Изучено действие переменного электрического поля на люминофоров рекомбинационного и характеристического типа, а также на органические люминофоры. При этом нами установлено, что электрическое поле действует только на люминофоры рекомбинационного типа.
При дальнейшем изучении этого типа люминофоров были измерены значения яркости и глубины тушения фотолюминесценции, по которым были построены графики зависимости яркости от напряжения и частоты тушащего поля. По результатам проведенных измерений выявлена зависимость между интенсивностью тушения фотолюминесценции и глубиной электронных ловушек.
Помимо переменного поля было рассмотрено действие постоянного электрического поля на послесвечение фотолюминофора ФВ 540. При этом было выявлено сходство данного явления с явлением термостимулированного высвечивания.
По результатам данных исследований были опубликованы две работы в центральной печати.
ЛИТЕРАТУРА
1. Кюри Д., Люминесценция кристаллов, ИЛ, 1961.
2. Бьюб Р., Фотопроводимость твердых тел. НJI, 1962.
3. Марковский Л. Я. Люминофоры, М., Л.: Химия, 1966.
4. Хениш Г. под ред. Вавилова В. С., Электролюминесценция, М.: Мир, 1964.
5. Lеvеrеnz Н. W., An Introduction to Luminescence of Solids, New York; 1950.
6. Studer F. I., Rosenbaum А., JOSA, 39, 685 (1949).
7. Толстой Н. А., Феофилов П. П., УФН, 16, 44 (1950).
8. Левшин В. Л., Фотолюминесценция жидких и твердых веществ, Гостехтеориздат, 1951.
9. Адирович Э. И.,Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов, Гостехиздат, 1951.
10. Фок М. В., Введеиие в кинетику люминесценции кристаллофосфоров, изд. Наука, 1964.
11. Антонов-Романовский В. В., ЖФХ, 6, 1022 (1935).
12. Лущик Ч. Б., Труды ин-та физики и астрономии АН ЭССР, вып. 3, 1955, стр. 3.
13. Жуков Г. В., Исследование влияния препаративных условий на формирование электронных ловушек в цинксулъфидных люминофорах. Автореф. канд. дисс.,: МХТИ, 1965.
14. Левшин В. Л., Туницкая В. Ф., Черелаев А. А., Опт. и спектр., 1, 259 (1956) .
15. Бундель А. А., Жyков Г. В., Опт. и спектр.: 19, 247 (1965).
16. Нооgеnstrааtеn W., J. Electrochem.Soc.,100, 356(1953).
17. Destriau G.,Phil. Mag.,38, 700, 774, 880 (1947).
18. Curie D., J. Phys. Radium, 14, 510 (1953).
19. Piper W. W., Williams F. E., Brit. J. Appl. Phys., Suppl. № 4, 39 (1955).
20. Zalm, Philips Res. Repts.,11, 353 (1956)
21. Фок M. В., Георгобиани А. Н., УФН, 72, 467 (1960).
22. Георгобиани A. Н., Труды ФИАН им. Лебедева т. 23, Изд. АН СССР, 1963.
23. Thornton W. A., J. Electrochem. Soc., 108, 7 (1961).
24. Gilson I. L., Darnell F. I., Phys. Rev., 125, 149 (1962).
25. Бонч-Бруевич A